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公开(公告)号：CN101369540B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200810210492.1
申请日：2008-08-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/20
CPC classification number: C23C16/515 , C23C16/509 , H01L27/1288 , H01L29/04 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/78696
Abstract: 本发明的目的在于提供一种在大面积衬底上形成品质良好的微晶半导体膜的方法。本发明的技术要点如下：在栅电极上形成栅极绝缘膜之后，为了提高在成膜初期中形成的微晶半导体膜的品质，通过提供具有不同频率的高频电力产生辉光放电等离子体，在成膜速度低而品质良好的第一成膜条件下形成栅极绝缘膜界面附近的膜的下部，然后在成膜速度高的第二成膜条件下堆积膜的上部。接触微晶半导体膜上地层叠缓冲层。
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公开(公告)号：CN101599464A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910141555.7
申请日：2009-06-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/84 , H01L21/336 , H01L21/268 , H01L21/78 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/84 , H01L21/76251
Abstract: 本发明的目的之一在于制造适合批量生产的半导体衬底、以及使用该半导体衬底的半导体装置。在所公开的发明的一种方式中，在支撑衬底上形成至少具有绝缘层、第一电极、第一杂质半导体层的叠层体；在第一杂质半导体层上形成添加有赋予一种导电类型的杂质元素的第一半导体层；在第一半导体层上利用与第一半导体层不同的条件形成添加有赋予一种导电类型的杂质元素的第二半导体层；通过固相生长法，提高第一半导体层及第二半导体层的结晶性，形成第二杂质半导体层；对第二杂质半导体层添加赋予一种导电类型的杂质元素，并添加赋予与一种导电类型不同的导电类型的杂质元素，并且隔着栅绝缘层形成栅电极层，形成源电极层或漏电极层。
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公开(公告)号：CN101369540A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810210492.1
申请日：2008-08-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/20
CPC classification number: C23C16/515 , C23C16/509 , H01L27/1288 , H01L29/04 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/78696
Abstract: 本发明的目的在于提供一种在大面积衬底上形成品质良好的微晶半导体膜的方法。本发明的技术要点如下：在栅电极上形成栅极绝缘膜之后，为了提高在成膜初期中形成的微晶半导体膜的品质，通过提供具有不同频率的高频电力产生辉光放电等离子体，在成膜速度低而品质良好的第一成膜条件下形成栅极绝缘膜界面附近的膜的下部，然后在成膜速度高的第二成膜条件下堆积膜的上部。接触微晶半导体膜上地层叠缓冲层。
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公开(公告)号：CN101567408B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN200910136910.1
申请日：2009-04-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/036 , H01L31/0256
CPC classification number: H01L31/1896 , H01L31/0201 , H01L31/042 , H01L31/072 , H01L31/075 , H01L31/076 , H01L31/1804 , H01L31/1824 , H01L31/1872 , H02S40/34 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 所公开的发明的目的之一在于在有效地利用有限的资源的同时安全地提供具有优越的光电转换特性的光电转换装置。在所公开的发明中，在单晶半导体衬底中形成脆化层，并且在单晶半导体衬底的一个表面上形成第一杂质半导体层、第一电极以及绝缘层；通过在将绝缘层和支撑衬底贴紧来将单晶半导体衬底和支撑衬底贴在一起后，在脆化层中分离单晶半导体衬底，形成包括第一单晶半导体层的叠层体；在第一单晶半导体层上形成第一半导体层及第二半导体层；通过固相成长，提高第一半导体层及第二半导体层的结晶度，来形成第二单晶半导体层；在第二单晶半导体层上形成具有与第一杂质半导体层相反的导电型的第二杂质半导体层；在第二杂质半导体层上形成第二电极。
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公开(公告)号：CN101527260A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200810183703.7
申请日：2008-12-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 鸟海聪志
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: H01L21/67207 , C30B25/105
Abstract: 本发明的目的在于提供不形成迁移层，或者可以使迁移层薄于现有的迁移层的结晶半导体膜的形成方法及应用该形成方法的薄膜晶体管的制造方法。其中在衬底上或在衬底上的绝缘膜上形成包含氢的半导体膜，对该包含氢的半导体膜在氢和/或稀有气体中进行表面波等离子体处理，以在该包含氢的半导体膜中产生晶核。通过使用等离子体CVD法使该晶核成长来形成结晶半导体膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113571588A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110854378.8
申请日：2016-03-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/49 , H01L29/51 , H01L29/417 , H01L29/24
Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括：衬底上的半导体；半导体上的第一导电体及第二导电体；第一导电体及第二导电体上的第一绝缘体；半导体上的第二绝缘体；第二绝缘体上的第三绝缘体；以及第三绝缘体上的第三导电体，第三绝缘体与第一绝缘体的侧面接触，半导体包括半导体与第一导电体的底面重叠的第一区域、半导体与第二导电体的底面重叠的第二区域、半导体与第三导电体的底面重叠的第三区域，半导体的顶面与第三导电体的底面之间的长度大于第一区域与第三区域之间的长度。
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公开(公告)号：CN107710392A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201680021254.9
申请日：2016-03-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , C23C14/08 , H01L21/363 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L21/8242 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L27/108 , H01L27/146 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1156 , H01L27/1225 , H01L27/14645 , H01L27/14649 , H01L29/24 , H01L29/41733 , H01L29/4908 , H01L29/517
Abstract: 本发明提供一种微型晶体管。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括：衬底上的半导体；半导体上的第一导电体及第二导电体；第一导电体及第二导电体上的第一绝缘体；半导体上的第二绝缘体；第二绝缘体上的第三绝缘体；以及第三绝缘体上的第三导电体，第三绝缘体与第一绝缘体的侧面接触，半导体包括半导体与第一导电体的底面重叠的第一区域、半导体与第二导电体的底面重叠的第二区域、半导体与第三导电体的底面重叠的第三区域，半导体的顶面与第三导电体的底面之间的长度大于第一区域与第三区域之间的长度。
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公开(公告)号：CN101599464B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN200910141555.7
申请日：2009-06-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/84 , H01L21/336 , H01L21/268 , H01L21/78 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/84 , H01L21/76251
Abstract: 本发明的目的之一在于制造适合批量生产的半导体衬底、以及使用该半导体衬底的半导体装置。在所公开的发明的一种方式中，在支撑衬底上形成至少具有绝缘层、第一电极、第一杂质半导体层的叠层体；在第一杂质半导体层上形成添加有赋予一种导电类型的杂质元素的第一半导体层；在第一半导体层上利用与第一半导体层不同的条件形成添加有赋予一种导电类型的杂质元素的第二半导体层；通过固相生长法，提高第一半导体层及第二半导体层的结晶性，形成第二杂质半导体层；对第二杂质半导体层添加赋予一种导电类型的杂质元素，并添加赋予与一种导电类型不同的导电类型的杂质元素，并且隔着栅绝缘层形成栅电极层，形成源电极层或漏电极层。
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公开(公告)号：CN101567397A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200910136911.6
申请日：2009-04-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/04 , H01L31/042 , H01L31/0376 , H01L31/20
CPC classification number: H01L31/03685 , H01L31/03762 , H01L31/1816 , Y02E10/545 , Y02E10/548
Abstract: 本发明的目的在于提供一种光电转换特性提高且具有高成本竞争力的光电转换装置。一种包括半导体结的光电转换装置，具有在杂质半导体层上针状结晶成长了的半导体层。所述杂质半导体层由微晶半导体形成并包含一种导电型的杂质。在微晶半导体层上，在成膜时将稀释气体的流量(代表为氢)设定为半导体材料气体(代表为硅烷)的1倍以上且6倍以下形成非晶半导体层。在膜的形成方向上，即从微晶半导体层向非晶半导体层的方向使具有其顶端变细的立体形状的结晶成长。
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公开(公告)号：CN107710392B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201680021254.9
申请日：2016-03-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , C23C14/08 , H01L21/363 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L21/8242 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L27/108 , H01L27/146 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种微型晶体管。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括：衬底上的半导体；半导体上的第一导电体及第二导电体；第一导电体及第二导电体上的第一绝缘体；半导体上的第二绝缘体；第二绝缘体上的第三绝缘体；以及第三绝缘体上的第三导电体，第三绝缘体与第一绝缘体的侧面接触，半导体包括半导体与第一导电体的底面重叠的第一区域、半导体与第二导电体的底面重叠的第二区域、半导体与第三导电体的底面重叠的第三区域，半导体的顶面与第三导电体的底面之间的长度大于第一区域与第三区域之间的长度。
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