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公开(公告)号：CN119300428A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202410867831.2
申请日：2024-07-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种电特性良好的晶体管。提供一种通态电流大的晶体管。提供一种寄生电容小的晶体管。提供一种能够实现微型化或高集成化的晶体管、半导体装置、存储装置或该半导体装置的制造方法。本发明的一个方式是一种使用氧化物半导体层的晶体管、半导体装置、存储装置或该氧化物半导体层的制造方法，该氧化物半导体层包括第一区域、第一区域上的第二区域、第二区域上的第三区域，第一区域位于离氧化物半导体层的被形成面在大致垂直方向上有0nm以上且3nm以下处，并且在使用透射电子显微镜对氧化物半导体层进行截面观察的情况下，第一区域、第二区域及第三区域中都观察到在平行于被形成面的方向上排列为层状的亮点。
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公开(公告)号：CN117305780A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202310755764.0
申请日：2023-06-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C23C14/34 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/622
Abstract: 提供一种新颖的溅射靶材及溅射靶材的制造方法。溅射靶材包括第一区域及第二区域。第一区域包括含有元素M1(元素M1为选自Al、Ga、Si、Mg、Zr及B中的一种或多种)的第一金属氧化物。第二区域包括含有铟及锌的第二金属氧化物。第一区域与第二区域彼此分离。第一区域及第二区域各自为晶粒。第一区域与第二区域之间观察到晶界。第一区域及第二区域各自的径为5nm以上且10μm以下。
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公开(公告)号：CN101504930B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN200910004867.3
申请日：2009-01-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/20 , H01L21/84
CPC classification number: H01L21/76254
Abstract: 本发明的目的之一在于：提供一种可以减少贴合不良，并可以形成大面积的单晶半导体膜的SOI衬底的制造方法。一种SOI衬底的制造方法，其步骤如下：在形成有多个第一单晶半导体膜的第一衬底上形成用作接合层的第一绝缘膜；对第一绝缘膜进行平坦化之后，在第一绝缘膜上贴合单晶半导体膜并进行热处理以形成第二单晶半导体膜；接下来，将第一和第二单晶半导体膜用作种子层形成第三单晶半导体膜；在通过对第三单晶半导体膜引入离子形成脆化层之后，在第三单晶半导体膜上形成用作接合层的第二绝缘膜；将第二衬底贴合在第二绝缘膜上并进行热处理；夹着第二绝缘膜在第二衬底上固定第三单晶半导体膜的一部分。
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公开(公告)号：CN101567408A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200910136910.1
申请日：2009-04-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/036 , H01L31/0256
CPC classification number: H01L31/1896 , H01L31/0201 , H01L31/042 , H01L31/072 , H01L31/075 , H01L31/076 , H01L31/1804 , H01L31/1824 , H01L31/1872 , H02S40/34 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 所公开的本发明的目的之一在于在有效地利用有限的资源的同时安全地提供具有优越的光电转换特性的光电转换装置。在所公开的本发明中，在单晶半导体衬底中形成脆化层，并且在单晶半导体衬底的一个表面上形成第一杂质半导体层、第一电极以及绝缘层；通过在将绝缘层和支撑衬底贴紧来将单晶半导体衬底和支撑衬底贴在一起后，在脆化层中分离单晶半导体衬底，形成包括第一单晶半导体层的叠层体；在第一单晶半导体层上形成第一半导体层及第二半导体层；通过固相成长，提高第一半导体层及第二半导体层的结晶度，来形成第二单晶半导体层；在第二单晶半导体层上形成具有与第一杂质半导体层相反的导电型的第二杂质半导体层；在第二杂质半导体层上形成第二电极。
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公开(公告)号：CN119031706A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410637530.0
申请日：2024-05-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供一种电特性良好的晶体管。提供一种通态电流大的晶体管。提供一种寄生电容小的晶体管。提供一种能够实现微型化或高集成化的晶体管、半导体装置或存储装置。晶体管包括第一导电层、第二导电层、半导体层、半导体层上的栅极绝缘层及栅极绝缘层上的栅电极，第一绝缘层位于第一导电层与第二导电层之间，第二导电层位于第一绝缘层上，第一绝缘层及第二导电层具有到达第一导电层的开口部，半导体层与开口部的侧壁接触，半导体层包括第一氧化物层及第二氧化物层，第一氧化物层具有第一区域及第二区域，第二氧化物层位于第一区域与第二区域之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102646698A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210130042.8
申请日：2008-09-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/2007 , H01L21/76254 , H01L21/84 , H01L27/1214 , H01L29/4908 , H01L29/66772 , H01L29/78603 , H01L29/78654
Abstract: 本发明名称为半导体装置及电子设备。通过使用以低耐热性衬底为基底衬底的SOI衬底来提供高性能半导体装置。而且，以不进行化学抛光的方式提供高性能半导体装置。再者，提供一种使用该半导体装置的电子设备。包括绝缘衬底上的绝缘层、绝缘层上的接合层、以及接合层上的单晶半导体层，至于单晶半导体层，其上部表面的凹凸形状的算术平均粗糙度为大于或等于1nm且小于或等于7nm。或者，凹凸形状的均方根粗糙度可以为大于或等于1nm且小于或等于10nm。或者，凹凸形状的最大高度差可以为大于或等于5nm且小于或等于250nm。
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公开(公告)号：CN101796613B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200880106523.7
申请日：2008-09-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/2007 , H01L21/76254 , H01L21/84 , H01L27/1214 , H01L29/4908 , H01L29/66772 , H01L29/78603 , H01L29/78654
Abstract: 本发明名称为半导体装置及电子设备。通过使用以低耐热性衬底为基底衬底的SOI衬底来提供高性能半导体装置。而且，以不进行化学抛光的方式提供高性能半导体装置。再者，提供一种使用该半导体装置的电子设备。包括绝缘衬底上的绝缘层、绝缘层上的接合层、以及接合层上的单晶半导体层，至于单晶半导体层，其上部表面的凹凸形状的算术平均粗糙度为大于或等于1nm且小于或等于7nm。或者，凹凸形状的均方根粗糙度可以为大于或等于1nm且小于或等于10nm。或者，凹凸形状的最大高度差可以为大于或等于5nm且小于或等于250nm。
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公开(公告)号：CN101504930A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200910004867.3
申请日：2009-01-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/20 , H01L21/84
CPC classification number: H01L21/76254
Abstract: 本发明的目的之一在于：提供一种可以减少贴合不良，并可以形成大面积的单晶半导体膜的SOI衬底的制造方法。一种SOI衬底的制造方法，其步骤如下：在形成有多个第一单晶半导体膜的第一衬底上形成用作接合层的第一绝缘膜；对第一绝缘膜进行平坦化之后，在第一绝缘膜上贴合单晶半导体膜并进行热处理以形成第二单晶半导体膜；接下来，将第一和第二单晶半导体膜用作种子层形成第三单晶半导体膜；在通过对第三单晶半导体膜引入离子形成脆化层之后，在第三单晶半导体膜上形成用作接合层的第二绝缘膜；将第二衬底贴合在第二绝缘膜上并进行热处理；夹着第二绝缘膜在第二衬底上固定第三单晶半导体膜的一部分。
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公开(公告)号：CN101447526A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810179634.2
申请日：2008-11-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L31/02168 , H01L31/022433 , H01L31/03762 , H01L31/0725 , H01L31/1864 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种光电转换装置的制造方法。本发明的要旨在于：在离单晶半导体衬底的一表面有小于1000nm的深度的领域中形成脆弱层，且在其一表面上形成第一杂质半导体层、第一电极。在将第一电极和支撑衬底贴合之后，以脆弱层或其附近为分离面分离单晶半导体衬底，来在支撑衬底上形成第一单晶半导体层。在第一单晶半导体层上形成非晶半导体层，并进行热处理，使非晶半导体层固相外延生长来形成第二单晶半导体层。第二杂质半导体层具有与第一杂质半导体层相反的导电型，在第二单晶半导体层上形成第二电极。
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公开(公告)号：CN120019726A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202380070619.7
申请日：2023-10-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种半导体装置，包括晶体管、第一层间绝缘层、第一层间绝缘层上的第二层间绝缘层。晶体管包括用作源电极和漏电极中的一个的第一导电层及用作源电极和漏电极中的另一个的第二导电层，在第一导电层与第二导电层之间设置第一和第二层间绝缘层。在第一和第二层间绝缘层以及第二导电层中设置有到达第一导电层的开口部，以具有位于该开口部的内部的区域的方式依次设置半导体层、第一栅极绝缘层及第一栅电极。在第一层间绝缘层与第二层间绝缘层之间以覆盖半导体层的侧面的方式设置第二栅电极。第二栅电极包括具有与半导体层接触的区域的氧化物区域。氧化物区域被用作第二栅极绝缘层。
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