公开(公告)号：CN102543833A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201210025514.3

申请日：2008-03-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  比嘉荣二 ,  永野庸治 ,  沟井达也 ,  下村明久

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L21/20 ,  H01L21/321

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/268 ,  H01L21/302 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明提供一种具有SOI层的SOI基板，该SOI基板即使使用玻璃基板等耐热温度低的基板也可以耐受实际使用。本发明还提供一种使用所述SOI基板的半导体装置。为了将单晶半导体基板接合到玻璃基板等基底基板，接合层例如使用以有机硅烷为原料通过CVD法而形成的氧化硅膜。即使使用玻璃基板等耐热温度为700℃以下的基板，也可以形成接合部具有高结合力的SOI基板。另外，通过将激光照射到从单晶半导体基板分离了的半导体层，将其表面平坦化，并恢复其结晶性。

公开(公告)号：CN101743616B

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN200880022572.2

申请日：2008-06-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下村明久 ,  沟井达也 ,  宫入秀和 ,  田中幸一郎

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66772

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，其中可以使转置在多个地方的半导体膜之间的间隔变得很小。进行多次从接合衬底到基底衬底的半导体膜的转置。当使先转置的半导体膜和后转置的半导体膜相邻时，通过利用其端部被部分地去掉了的接合衬底来进行后转置。对用于后转置的接合衬底来说，其对应于被去掉的端部的区域在垂直于接合衬底的方向上的宽度大于先转置的半导体膜的厚度。

公开(公告)号：CN101796613A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN200880106523.7

申请日：2008-09-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人 ,  饭洼阳一 ,  山本孔明 ,  牧野贤一郎 ,  下村明久 ,  比嘉荣二 ,  沟井达也 ,  永野庸治 ,  井坂史人 ,  挂端哲弥 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78654

Abstract: 本发明名称为半导体装置及电子设备。通过使用以低耐热性衬底为基底衬底的SOI衬底来提供高性能半导体装置。而且，以不进行化学抛光的方式提供高性能半导体装置。再者，提供一种使用该半导体装置的电子设备。包括绝缘衬底上的绝缘层、绝缘层上的接合层、以及接合层上的单晶半导体层，至于单晶半导体层，其上部表面的凹凸形状的算术平均粗糙度为大于或等于1nm且小于或等于7nm。或者，凹凸形状的均方根粗糙度可以为大于或等于1nm且小于或等于10nm。或者，凹凸形状的最大高度差可以为大于或等于5nm且小于或等于250nm。

公开(公告)号：CN101290876A

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200810088335.8

申请日：2008-03-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  比嘉荣二 ,  永野庸治 ,  沟井达也 ,  下村明久

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/268 ,  H01L21/302 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明提供一种具有SOI层的SOI基板，该SOI基板即使使用玻璃基板等耐热温度低的基板也可以耐受实际使用。本发明还提供一种使用所述SOI基板的半导体装置。为了将单晶半导体基板接合到玻璃基板等基底基板，接合层例如使用以有机硅烷为原料通过CVD法而形成的氧化硅膜。即使使用玻璃基板等耐热温度为700℃以下的基板，也可以形成接合部具有高结合力的SOI基板。另外，通过将激光照射到从单晶半导体基板分离了的半导体层，将其表面平坦化，并恢复其结晶性。

公开(公告)号：CN102646698B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201210130042.8

申请日：2008-09-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人 ,  饭洼阳一 ,  山本孔明 ,  牧野贤一郎 ,  下村明久 ,  比嘉荣二 ,  沟井达也 ,  永野庸治 ,  井坂史人 ,  挂端哲弥 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78654

Abstract: 本发明名称为半导体装置及电子设备。通过使用以低耐热性衬底为基底衬底的SOI衬底来提供高性能半导体装置。而且，以不进行化学抛光的方式提供高性能半导体装置。再者，提供一种使用该半导体装置的电子设备。包括绝缘衬底上的绝缘层、绝缘层上的接合层、以及接合层上的单晶半导体层，至于单晶半导体层，其上部表面的凹凸形状的算术平均粗糙度为大于或等于1nm且小于或等于7nm。或者，凹凸形状的均方根粗糙度可以为大于或等于1nm且小于或等于10nm。或者，凹凸形状的最大高度差可以为大于或等于5nm且小于或等于250nm。

公开(公告)号：CN101743616A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200880022572.2

申请日：2008-06-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下村明久 ,  沟井达也 ,  宫入秀和 ,  田中幸一郎

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66772

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，其中可以使转置在多个地方的半导体膜之间的间隔变得很小。进行多次从接合衬底到基底衬底的半导体膜的转置。当使先转置的半导体膜和后转置的半导体膜相邻时，通过利用其端部被部分地去掉了的接合衬底来进行后转置。对用于后转置的接合衬底来说，其对应于被去掉的端部的区域在垂直于接合衬底的方向上的宽度大于先转置的半导体膜的厚度。

公开(公告)号：CN101308782A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200810088432.7

申请日：2008-03-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  下村明久 ,  沟井达也 ,  比嘉荣二 ,  永野庸治

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明的目的在于提供一种利用氢离子注入法的SOI衬底的制造方法，在该SOI衬底中，支撑衬底由玻璃衬底那样的耐热性低的衬底构成，并且包括表面的平坦性高且厚度为薄的100nm以下的半导体层。中间夹着接合层将半导体衬底和支撑衬底贴在一起。通过进行加热处理来分割半导体衬底，可以获得固定有从半导体衬底分离的半导体层的支撑衬底。通过对该半导体层照射激光束并使它熔化，提高半导体层的表面的平坦性，且恢复其结晶性。在照射激光束之后，通过蚀刻等来减薄半导体层。通过以上工序，可以制造SOI衬底，在该SOI衬底中，在支撑衬底上存在其厚度为100nm以下的单晶半导体层。

公开(公告)号：CN102543833B

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201210025514.3

申请日：2008-03-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  比嘉荣二 ,  永野庸治 ,  沟井达也 ,  下村明久

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L21/20 ,  H01L21/321

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/268 ,  H01L21/302 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明提供一种具有SOI层的SOI基板，该SOI基板即使使用玻璃基板等耐热温度低的基板也可以耐受实际使用。本发明还提供一种使用所述SOI基板的半导体装置。为了将单晶半导体基板接合到玻璃基板等基底基板，接合层例如使用以有机硅烷为原料通过CVD法而形成的氧化硅膜。即使使用玻璃基板等耐热温度为700℃以下的基板，也可以形成接合部具有高结合力的SOI基板。另外，通过将激光照射到从单晶半导体基板分离了的半导体层，将其表面平坦化，并恢复其结晶性。

公开(公告)号：CN101504930B

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN200910004867.3

申请日：2009-01-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 井坂史人 ,  加藤翔 ,  根井孝征 ,  小松立 ,  沟井达也 ,  下村明久

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/20 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 本发明的目的之一在于：提供一种可以减少贴合不良，并可以形成大面积的单晶半导体膜的SOI衬底的制造方法。一种SOI衬底的制造方法，其步骤如下：在形成有多个第一单晶半导体膜的第一衬底上形成用作接合层的第一绝缘膜；对第一绝缘膜进行平坦化之后，在第一绝缘膜上贴合单晶半导体膜并进行热处理以形成第二单晶半导体膜；接下来，将第一和第二单晶半导体膜用作种子层形成第三单晶半导体膜；在通过对第三单晶半导体膜引入离子形成脆化层之后，在第三单晶半导体膜上形成用作接合层的第二绝缘膜；将第二衬底贴合在第二绝缘膜上并进行热处理；夹着第二绝缘膜在第二衬底上固定第三单晶半导体膜的一部分。

公开(公告)号：CN101290876B

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN200810088335.8

申请日：2008-03-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  比嘉荣二 ,  永野庸治 ,  沟井达也 ,  下村明久

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/268 ,  H01L21/302 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明提供一种具有SOI层的SOI基板，该SOI基板即使使用玻璃基板等耐热温度低的基板也可以耐受实际使用。本发明还提供一种使用所述SOI基板的半导体装置。为了将单晶半导体基板接合到玻璃基板等基底基板，接合层例如使用以有机硅烷为原料通过CVD法而形成的氧化硅膜。即使使用玻璃基板等耐热温度为700℃以下的基板，也可以形成接合部具有高结合力的SOI基板。另外，通过将激光照射到从单晶半导体基板分离了的半导体层，将其表面平坦化，并恢复其结晶性。