公开(公告)号：CN102646698B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201210130042.8

申请日：2008-09-05

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 大沼英人 ,  饭洼阳一 ,  山本孔明 ,  牧野贤一郎 ,  下村明久 ,  比嘉荣二 ,  沟井达也 ,  永野庸治 ,  井坂史人 ,  挂端哲弥 ,  山崎舜平

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/04

CPC分类号： H01L27/1266 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78654

摘要： 本发明名称为半导体装置及电子设备。通过使用以低耐热性衬底为基底衬底的SOI衬底来提供高性能半导体装置。而且，以不进行化学抛光的方式提供高性能半导体装置。再者，提供一种使用该半导体装置的电子设备。包括绝缘衬底上的绝缘层、绝缘层上的接合层、以及接合层上的单晶半导体层，至于单晶半导体层，其上部表面的凹凸形状的算术平均粗糙度为大于或等于1nm且小于或等于7nm。或者，凹凸形状的均方根粗糙度可以为大于或等于1nm且小于或等于10nm。或者，凹凸形状的最大高度差可以为大于或等于5nm且小于或等于250nm。

公开(公告)号：CN102306629B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201110254200.6

申请日：2008-06-27

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 大沼英人 ,  今林良太 ,  饭洼阳一 ,  牧野贤一郎 ,  永松翔

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/77 ,  H01L51/40 ,  H01L51/56

CPC分类号： H01L27/1266 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/78654

摘要： 本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括以下工序：对半导体基板的一个表面照射离子，从而在离所述一个表面有一定深度的区域中形成脆化层；在所述一个表面上或支撑基板上形成绝缘层；将所述一个表面和所述支撑基板与所述绝缘层接合；加热所述半导体基板，以使所述脆化层中产生裂缝；在所述脆化层中分离所述半导体基板，从而在所述支撑基板上形成半导体层；对所述半导体层照射电磁波；在照射所述半导体层之后对所述半导体层表面进行研磨处理；使用所述半导体层形成半导体元件；在所述半导体元件上形成发光元件；以及在所述发光元件上形成彩色滤光片。

公开(公告)号：CN102306629A

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN201110254200.6

申请日：2008-06-27

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 大沼英人 ,  今林良太 ,  饭洼阳一 ,  牧野贤一郎 ,  永松翔

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/77 ,  H01L51/40 ,  H01L51/56

CPC分类号： H01L27/1266 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/78654

摘要： 本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括以下工序：对半导体基板的一个表面照射离子，从而在离所述一个表面有一定深度的区域中形成脆化层；在所述一个表面上或支撑基板上形成绝缘层；将所述一个表面和所述支撑基板与所述绝缘层接合；加热所述半导体基板，以使所述脆化层中产生裂缝；在所述脆化层中分离所述半导体基板，从而在所述支撑基板上形成半导体层；对所述半导体层照射电磁波；在照射所述半导体层之后对所述半导体层表面进行研磨处理；使用所述半导体层形成半导体元件；在所述半导体元件上形成发光元件；以及在所述发光元件上形成彩色滤光片。

公开(公告)号：CN101714519B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN200910178514.5

申请日：2009-09-24

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 牧野贤一郎

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/20 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L27/1266 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1274 ,  H01L29/66772

摘要： 一种半导体装置的制造方法。本发明的目的之一在于抑制在通过贴合玻璃衬底和单晶半导体衬底制造SOI衬底时产生的条纹状的图案(不均匀)。本发明的要旨在于，对单晶半导体衬底照射离子来在单晶半导体衬底形成脆化区；在形成在单晶半导体衬底的绝缘层表面的对应于单晶半导体衬底的边缘部的区域形成凹部或凸部；贴合单晶半导体衬底和支撑衬底；通过进行热处理，在脆化区分离单晶半导体衬底来在支撑衬底上形成单晶半导体层；去除对应于边缘部的区域的单晶半导体层。

公开(公告)号：CN102646698A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210130042.8

申请日：2008-09-05

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 大沼英人 ,  饭洼阳一 ,  山本孔明 ,  牧野贤一郎 ,  下村明久 ,  比嘉荣二 ,  沟井达也 ,  永野庸治 ,  井坂史人 ,  挂端哲弥 ,  山崎舜平

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/04

CPC分类号： H01L27/1266 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78654

摘要： 本发明名称为半导体装置及电子设备。通过使用以低耐热性衬底为基底衬底的SOI衬底来提供高性能半导体装置。而且，以不进行化学抛光的方式提供高性能半导体装置。再者，提供一种使用该半导体装置的电子设备。包括绝缘衬底上的绝缘层、绝缘层上的接合层、以及接合层上的单晶半导体层，至于单晶半导体层，其上部表面的凹凸形状的算术平均粗糙度为大于或等于1nm且小于或等于7nm。或者，凹凸形状的均方根粗糙度可以为大于或等于1nm且小于或等于10nm。或者，凹凸形状的最大高度差可以为大于或等于5nm且小于或等于250nm。

公开(公告)号：CN101796613B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200880106523.7

申请日：2008-09-05

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 大沼英人 ,  饭洼阳一 ,  山本孔明 ,  牧野贤一郎 ,  下村明久 ,  比嘉荣二 ,  沟井达也 ,  永野庸治 ,  井坂史人 ,  挂端哲弥 ,  山崎舜平

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L27/1266 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78654

摘要： 本发明名称为半导体装置及电子设备。通过使用以低耐热性衬底为基底衬底的SOI衬底来提供高性能半导体装置。而且，以不进行化学抛光的方式提供高性能半导体装置。再者，提供一种使用该半导体装置的电子设备。包括绝缘衬底上的绝缘层、绝缘层上的接合层、以及接合层上的单晶半导体层，至于单晶半导体层，其上部表面的凹凸形状的算术平均粗糙度为大于或等于1nm且小于或等于7nm。或者，凹凸形状的均方根粗糙度可以为大于或等于1nm且小于或等于10nm。或者，凹凸形状的最大高度差可以为大于或等于5nm且小于或等于250nm。

公开(公告)号：CN101409215B

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN200810166534.6

申请日：2008-10-10

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  大沼英人 ,  饭漥阳一 ,  山本孔明 ,  牧野贤一郎

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/306 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L27/1266 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66772

摘要： 提供一种用于制造设置有甚至当使用了诸如玻璃基板等等之类的具有低耐热温度的基板时仍可实际使用的半导体层的SOI基板的方法。该半导体层通过以下步骤转变为支撑基板：用离子从一表面的离子照射半导体晶片以形成损伤层；在该半导体晶片的一表面上形成绝缘层；使支撑基板的一表面附着到形成在半导体晶片上的绝缘层上，并进行热处理以将该支撑基板结合到半导体晶片上；以及在损伤层处分离为半导体晶片和支撑基板。通过湿法刻蚀和用激光束照射半导体层的表面去除在半导体层上部分剩余的损伤层。

公开(公告)号：CN101335188B

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN200810127386.7

申请日：2008-06-27

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 大沼英人 ,  今林良太 ,  饭洼阳一 ,  牧野贤一郎 ,  永松翔

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/268 ,  H01L21/304

CPC分类号： H01L27/1266 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/78654

摘要： 本发明的目的在于提供一种SOI基板的制造方法，该SOI基板具备即使在使用玻璃基板等耐热温度低的基板时也可以满足实用的要求的单晶半导体层。另外，本发明的目的还在于提供使用了这种SOI基板的可靠性高的半导体装置。对从半导体基板分离且接合在具有绝缘表面的支撑基板上的半导体层照射电磁波，并且对受到电磁波照射的半导体层表面进行研磨处理。通过电磁波照射，可以使半导体层的至少部分区域熔化，使得半导体层中的结晶缺陷减少。而且，通过研磨处理研磨半导体层表面来实现平坦化。因此，通过电磁波照射和研磨处理，可以制造具有结晶缺陷减少且平坦性高的半导体层的SOI基板。

公开(公告)号：CN101714519A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200910178514.5

申请日：2009-09-24

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 牧野贤一郎

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/20 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L27/1266 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1274 ,  H01L29/66772

摘要： 一种半导体装置的制造方法。本发明的目的之一在于抑制在通过贴合玻璃衬底和单晶半导体衬底制造SOI衬底时产生的条纹状的图案(不均匀)。本发明的要旨在于，对单晶半导体衬底照射离子来在单晶半导体衬底形成脆化区；在形成在单晶半导体衬底的绝缘层表面的对应于单晶半导体衬底的边缘部的区域形成凹部或凸部；贴合单晶半导体衬底和支撑衬底；通过进行热处理，在脆化区分离单晶半导体衬底来在支撑衬底上形成单晶半导体层；去除对应于边缘部的区域的单晶半导体层。

公开(公告)号：CN101335188A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200810127386.7

申请日：2008-06-27

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 大沼英人 ,  今林良太 ,  饭洼阳一 ,  牧野贤一郎 ,  永松翔

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/268 ,  H01L21/304

CPC分类号： H01L27/1266 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/78654

摘要： 本发明的目的在于提供一种SOI基板的制造方法，该SOI基板具备即使在使用玻璃基板等耐热温度低的基板时也可以满足实用的要求的单晶半导体层。另外，本发明的目的还在于提供使用了这种SOI基板的可靠性高的半导体装置。对从半导体基板分离且接合在具有绝缘表面的支撑基板上的半导体层照射电磁波，并且对受到电磁波照射的半导体层表面进行研磨处理。通过电磁波照射，可以使半导体层的至少部分区域熔化，使得半导体层中的结晶缺陷减少。而且，通过研磨处理研磨半导体层表面来实现平坦化。因此，通过电磁波照射和研磨处理，可以制造具有结晶缺陷减少且平坦性高的半导体层的SOI基板。