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公开(公告)号：CN101409215A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810166534.6
申请日：2008-10-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/306 , H01L21/762 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/76254 , H01L27/1214 , H01L29/66772
Abstract: 提供一种用于制造设置有甚至当使用了诸如玻璃基板等等之类的具有低耐热温度的基板时仍可实际使用的半导体层的SOI基板的方法。该半导体层通过以下步骤转变为支撑基板：用离子从一表面的离子照射半导体晶片以形成损伤层；在该半导体晶片的一表面上形成绝缘层；使支撑基板的一表面附着到形成在半导体晶片上的绝缘层上，并进行热处理以将该支撑基板结合到半导体晶片上；以及在损伤层处分离为半导体晶片和支撑基板。通过湿法刻蚀和用激光束照射半导体层的表面去除在半导体层上部分剩余的损伤层。
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公开(公告)号：CN101409214B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200810166515.3
申请日：2008-10-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/762 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/76254 , H01L27/1214 , H01L29/66772
Abstract: 提供了一种制造半导体器件的方法，该方法防止杂质进入SOI基板。激发包括从氢气、氦气、或卤素气体中选择的一种或多种气体的源气体以产生离子，并且将这些离子添加到接合基板，由此在接合基板中形成了形成了易碎层。然后，通过蚀刻、抛光等，除去接合基板的表面上和其附近的区域，即从比易碎层浅的位置到其表面这一区域。接下来，在将接合基板粘贴到底部基板之后，在易碎层处分离接合基板，由此，在底部基板上形成半导体膜。在底部基板上形成半导体膜之后，利用该半导体膜形成半导体元件。
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公开(公告)号：CN101409215B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN200810166534.6
申请日：2008-10-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/306 , H01L21/762 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/76254 , H01L27/1214 , H01L29/66772
Abstract: 提供一种用于制造设置有甚至当使用了诸如玻璃基板等等之类的具有低耐热温度的基板时仍可实际使用的半导体层的SOI基板的方法。该半导体层通过以下步骤转变为支撑基板：用离子从一表面的离子照射半导体晶片以形成损伤层；在该半导体晶片的一表面上形成绝缘层；使支撑基板的一表面附着到形成在半导体晶片上的绝缘层上，并进行热处理以将该支撑基板结合到半导体晶片上；以及在损伤层处分离为半导体晶片和支撑基板。通过湿法刻蚀和用激光束照射半导体层的表面去除在半导体层上部分剩余的损伤层。
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公开(公告)号：CN101409214A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810166515.3
申请日：2008-10-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/762 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/76254 , H01L27/1214 , H01L29/66772
Abstract: 提供了一种制造半导体器件的方法，该方法防止杂质进入SOI基板。激发包括从氢气、氦气、或卤素气体中选择的一种或多种气体的源气体以产生离子，并且将这些离子添加到接合基板，由此在接合基板中形成了形成了易碎层。然后，通过蚀刻、抛光等，除去接合基板的表面上和其附近的区域，即从比易碎层浅的位置到其表面这一区域。接下来，在将接合基板粘贴到底部基板之后，在易碎层处分离接合基板，由此，在底部基板上形成半导体膜。在底部基板上形成半导体膜之后，利用该半导体膜形成半导体元件。
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