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公开(公告)号：CN119031706A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410637530.0
申请日：2024-05-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供一种电特性良好的晶体管。提供一种通态电流大的晶体管。提供一种寄生电容小的晶体管。提供一种能够实现微型化或高集成化的晶体管、半导体装置或存储装置。晶体管包括第一导电层、第二导电层、半导体层、半导体层上的栅极绝缘层及栅极绝缘层上的栅电极，第一绝缘层位于第一导电层与第二导电层之间，第二导电层位于第一绝缘层上，第一绝缘层及第二导电层具有到达第一导电层的开口部，半导体层与开口部的侧壁接触，半导体层包括第一氧化物层及第二氧化物层，第一氧化物层具有第一区域及第二区域，第二氧化物层位于第一区域与第二区域之间。
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公开(公告)号：CN113196501A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201980083166.5
申请日：2019-11-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L21/8242 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/108 , H01L29/788 , H01L29/792
Abstract: 本发明提供一种晶体管特性的偏差少的半导体装置。本发明提供一种包括晶体管的半导体装置，其中晶体管包括：第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物；第一氧化物上的第一导电体、第二导电体以及配置在第一导电体与第二导电体之间的第二氧化物；第二氧化物上的第二绝缘体；以及第二绝缘体上的第三导电体，与第三导电体重叠的区域的第一氧化物的顶面低于与第一导电体重叠的区域的第一氧化物的顶面，在与第三导电体重叠的区域中，第一氧化物的侧面与顶面之间具有弯曲面，弯曲面的曲率半径为1nm以上且15nm以下。
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公开(公告)号：CN119277781A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202410883463.0
申请日：2024-07-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10B12/00
Abstract: 本公开的发明名称是“半导体装置”。提供一种能够实现微型化的晶体管。该半导体装置包括氧化物半导体层、第一至第四导电层以及第一至第四绝缘层，在具有凹部的第一导电层上依次设置包括与该凹部重叠的第一开口部的第一绝缘层、第二导电层、第二绝缘层及第三导电层，第三绝缘层在第一开口部内至少与第二导电层的侧面接触，氧化物半导体层与第三导电层的顶面以及凹部的底面及侧面接触且在第一开口部内与第三绝缘层接触，第四绝缘层在第一开口部内位于氧化物半导体层的内侧，第四导电层在第一开口部内位于第四绝缘层的内侧，在从截面看时氧化物半导体层具有隔着第三绝缘层与第二导电层重叠且隔着第四绝缘层与第四导电层重叠的区域。
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公开(公告)号：CN116034488A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202180057131.1
申请日：2021-08-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
Abstract: 提供一种晶体管特性不均匀小的半导体装置。包括如下工序：在包括氧化物半导体器件的结构体中形成到达氧化物半导体器件的开口的工序；将第一导电体嵌入开口中的工序；以与第一导电体的顶面接触的方式形成第二导电体的工序；通过溅射法以覆盖结构体、第一导电体及第二导电体的方式形成第一阻挡绝缘膜的工序；以及通过ALD法在第一阻挡绝缘膜上形成第二阻挡绝缘膜的工序，其中第一阻挡绝缘膜及第二阻挡绝缘膜具有抑制氢的扩散的功能。
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公开(公告)号：CN101452962B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN200810183805.9
申请日：2008-12-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L27/12
CPC classification number: H01L27/1218
Abstract: 本发明的目的在于提供在施加诸如弯曲等的外力而产生应力的情况下也降低晶体管等的损伤的半导体装置。本发明的半导体装置包括：设置在具有挠性的衬底上的第一岛状加强膜；在第一岛状加强膜上具有沟道形成区域和杂质区域的半导体膜；在沟道形成区域的上方隔着栅极绝缘膜而设置的第一导电膜；以覆盖第一导电膜及栅极绝缘膜的方式设置的第二岛状加强膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119421415A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411539728.1
申请日：2019-04-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括第一层以及第一层上的第二层，第一层及第二层各自包括晶体管，第一层中的晶体管及第二层中的晶体管各自包括第一氧化物、第一氧化物上的第一导电体及第二导电体、以覆盖第一导电体、第二导电体及第一氧化物的方式配置的第一绝缘体、第一绝缘体上的第二绝缘体、第一氧化物上的在第一导电体与第二导电体之间配置的第二氧化物、第二氧化物上的第三绝缘体、第三绝缘体上的第三导电体以及与第二绝缘体的顶面、第二氧化物的顶面、第三绝缘体的顶面及第三导电体的顶面接触的第四绝缘体，第一绝缘体及第四绝缘体与第二绝缘体相比不容易使氧透过。
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公开(公告)号：CN119300428A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202410867831.2
申请日：2024-07-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种电特性良好的晶体管。提供一种通态电流大的晶体管。提供一种寄生电容小的晶体管。提供一种能够实现微型化或高集成化的晶体管、半导体装置、存储装置或该半导体装置的制造方法。本发明的一个方式是一种使用氧化物半导体层的晶体管、半导体装置、存储装置或该氧化物半导体层的制造方法，该氧化物半导体层包括第一区域、第一区域上的第二区域、第二区域上的第三区域，第一区域位于离氧化物半导体层的被形成面在大致垂直方向上有0nm以上且3nm以下处，并且在使用透射电子显微镜对氧化物半导体层进行截面观察的情况下，第一区域、第二区域及第三区域中都观察到在平行于被形成面的方向上排列为层状的亮点。
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公开(公告)号：CN113795928A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202080032665.4
申请日：2020-04-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/8239 , H01L21/8242 , H01L27/105 , H01L27/108 , H01L27/1156
Abstract: 提供一种晶体管特性的不均匀少的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括：第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物；第一氧化物上的第一导电体及第二导电体；与第一氧化物的侧面接触的第一层及第二层；第一绝缘体、第一层、第二层、第一导电体及第二导电体上的第二绝缘体；第二绝缘体上的第三绝缘体；配置在第一导电体与第二导电体之间且第一氧化物上的第二氧化物；第二氧化物上的第四绝缘体；以及第四绝缘体上的第三导电体，其中，第一层及第二层各自包含第一导电体及第二导电体所含有的金属，并且，与第二绝缘体接触的区域中的第一绝缘体具有金属的浓度比第一层或第二层低的区域。
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公开(公告)号：CN107424927B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201710291791.1
申请日：2012-04-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/324 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。本发明通过对使用氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性，提供一种可靠性高的半导体装置。作为晶体管的制造工序，在依次形成氧化物半导体层、源电极层、漏电极层、栅极绝缘膜、栅电极层及氧化铝膜之后，通过对氧化物半导体层及氧化铝膜进行热处理，去除含有氢原子的杂质，并形成包括含有超过化学计量比的氧的区域的氧化物半导体层。另外，通过形成氧化铝膜，即使在具有该晶体管的半导体装置或电子设备的制造工序中的热处理中，也可以防止来自大气的水或氢侵入且扩散到氧化物半导体层中，从而可以制造可靠性高的晶体管。
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公开(公告)号：CN110383492A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201880016313.2
申请日：2018-02-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/788 , H01L29/792
Abstract: 提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括：衬底上的第一绝缘体；第一绝缘体上的氧化物；氧化物上的第二绝缘体；第二绝缘体上的导电体；与第二绝缘体的侧面及导电体的侧面接触的第三绝缘体；至少与氧化物的顶面接触且与第三绝缘体的侧面及导电体的顶面接触的第四绝缘体；第四绝缘体上的第五绝缘体；第五绝缘体上的第六绝缘体；以及第六绝缘体上的第七绝缘体，其中，第六绝缘体包含氧，并且，第六绝缘体和第一绝缘体具有彼此接触的区域。
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