公开(公告)号：CN107302031B

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201710319577.2

申请日：2012-10-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 栃林克明 ,  日向野聪 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786

Abstract: 本公开涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明提供一种高可靠性的半导体装置以及该半导体装置的制造方法。在具有在氧化物半导体膜上设置有用作沟道保护膜的绝缘层的底栅结构的晶体管的半导体装置中，通过在形成以接触于氧化物半导体膜的方式设置的绝缘层及/或源电极层及漏电极层之后，进行杂质去除处理，可以防止蚀刻气体中的元素作为杂质残留在氧化物半导体膜的表面。氧化物半导体膜表面中的杂质浓度为5×1018atoms/cm3以下，优选为1×1018atoms/cm3以下。

公开(公告)号：CN107980178A

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201680048760.7

申请日：2016-08-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 笹川慎也 ,  浜田崇 ,  下村明久 ,  冈本悟 ,  栃林克明

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/4763 ,  H01L27/12 ,  H01L29/423 ,  H01L21/4757 ,  H01L21/465

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/465 ,  H01L21/47573 ,  H01L21/47635 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78648

Abstract: 本发明提供一种微型晶体管。提供一种寄生电容小的晶体管。提供一种频率特性高的晶体管。提供一种通态电流大的晶体管。提供一种包括该晶体管的半导体装置。提供一种集成度高的半导体装置。一种半导体装置，包括：氧化物半导体；第二绝缘体；第二导电体；第三导电体；第四导电体；第五导电体；埋入在形成于第二绝缘体、第二导电体、第三导电体、第四导电体及第五导电体的开口部中的第一导电体及第一绝缘体；第二导电体的侧面及底面与第四导电体接触的区域；以及第三导电体的侧面及底面与第五导电体接触的区域。

公开(公告)号：CN107302031A

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201710319577.2

申请日：2012-10-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 栃林克明 ,  日向野聪 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786

Abstract: 本公开涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明提供一种高可靠性的半导体装置以及该半导体装置的制造方法。在具有在氧化物半导体膜上设置有用作沟道保护膜的绝缘层的底栅结构的晶体管的半导体装置中，通过在形成以接触于氧化物半导体膜的方式设置的绝缘层及/或源电极层及漏电极层之后，进行杂质去除处理，可以防止蚀刻气体中的元素作为杂质残留在氧化物半导体膜的表面。氧化物半导体膜表面中的杂质浓度为5×1018atoms/cm3以下，优选为1×1018atoms/cm3以下。

公开(公告)号：CN103066128B

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201210410515.X

申请日：2012-10-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 栃林克明 ,  日向野聪 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L29/22 ,  H01L29/7869

Abstract: 本公开涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明提供一种高可靠性的半导体装置以及该半导体装置的制造方法。在具有在氧化物半导体膜上设置有用作沟道保护膜的绝缘层的底栅结构的晶体管的半导体装置中，通过在形成以接触于氧化物半导体膜的方式设置的绝缘层及/或源电极层及漏电极层之后，进行杂质去除处理，可以防止蚀刻气体中的元素作为杂质残留在氧化物半导体膜的表面。氧化物半导体膜表面中的杂质浓度为5×1018atoms/cm3以下，优选为1×1018atoms/cm3以下。

公开(公告)号：CN114846625A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202080090653.7

申请日：2020-12-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 方堂凉太 ,  栃林克明 ,  远藤俊弥 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 提供一种具有良好的电特性的半导体装置。该半导体装置包括：包括栅电极、源电极及漏电极的晶体管；晶体管上的第一绝缘体；第一绝缘体上的第二绝缘体；第二绝缘体上的第三绝缘体；与源电极的顶面接触的第一电极；以及与漏电极的顶面接触的第二电极，其中，第二绝缘体包括与源电极重叠的第一开口部及与漏电极重叠的第二开口部，第三绝缘体在第一开口部及第二开口部的内侧接触于第二绝缘体的侧面及第一绝缘体的顶面，第一电极通过第一开口部配置，并且，第二电极通过第二开口部配置。

公开(公告)号：CN111788698A

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201980016079.8

申请日：2019-02-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  栃林克明 ,  方堂凉太 ,  菅谷健太郎 ,  山出直人

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 提供一种可靠性良好的半导体装置。一种包括晶体管的半导体装置，该晶体管包括：第一绝缘体；第二绝缘体；第一氧化物；第二氧化物；第三氧化物；第一导电体及第二导电体；第三绝缘体；第三导电体；第四绝缘体；以及第五绝缘体。第四绝缘体及第五绝缘体中设置有到达第二氧化物的开口，以嵌入开口的方式从开口的内壁一侧依次设置有第三氧化物、第三绝缘体和第三导电体。在晶体管的沟道长度方向上，第四绝缘体与第二氧化物不重叠的区域的第四绝缘体的至少一部分与第一绝缘体接触。在晶体管的沟道宽度方向上，第三氧化物与第二氧化物不重叠的区域的第三氧化物的至少一部分与第一绝缘体接触。

公开(公告)号：CN111742414A

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN201980014864.X

申请日：2019-02-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  栃林克明 ,  方堂凉太

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 提供一种通态电流大且可靠性高的半导体装置。一种半导体装置，包括：第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物；第一氧化物上的第二氧化物；第二氧化物上的第一导电体及第二导电体；第二氧化物上的第三氧化物；第三氧化物上的第二绝缘体；位于第二绝缘体上并与第三氧化物重叠的第三导电体；与第一绝缘体的顶面、第一氧化物的侧面、第二氧化物的侧面、第一导电体的侧面、第一导电体的顶面、第二导电体的侧面、第二导电体的顶面接触的第三绝缘体；第三绝缘体上的第四绝缘体；第四绝缘体上的第五绝缘体；以及第三导电体、第二绝缘体、第三氧化物及第五绝缘体上的第六绝缘体，其中第六绝缘体与第三导电体、第二绝缘体、第三氧化物及第五绝缘体各自的顶面接触。

公开(公告)号：CN111615743A

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201980008975.X

申请日：2019-01-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  藤井照幸 ,  石塚章广 ,  平石铃之介 ,  高桥俊辅 ,  永松翔 ,  八塚昇大 ,  山出直人 ,  栃林克明

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 提供一种通态电流大且可靠性良好的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括第一绝缘体、第一绝缘体上的第二绝缘体及第一导电体、第二绝缘体上的第三绝缘体、第一导电体上、第二绝缘体上及第三绝缘体上的第四绝缘体、第四绝缘体上的第五绝缘体、第五绝缘体上的第一氧化物、第一氧化物上的第二氧化物、第二氧化物上的第二导电体及第三导电体、第二导电体上的第六绝缘体、第三导电体上的第七绝缘体、第二氧化物上的第三氧化物、第三氧化物上的第八绝缘体、位于第八绝缘体上且与第二氧化物重叠的第四导电体、位于第八绝缘体上且覆盖第四导电体的第九绝缘体以及第九绝缘体上的第十绝缘体，第二绝缘体与第一导电体的侧面接触，第十绝缘体与第四绝缘体接触。

公开(公告)号：CN118712235A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410843896.3

申请日：2012-10-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 栃林克明 ,  日向野聪 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417 ,  H01L21/34 ,  H01L21/44

Abstract: 本公开的发明名称是“半导体装置以及半导体装置的制造方法”。本公开涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明提供一种高可靠性的半导体装置以及该半导体装置的制造方法。在具有在氧化物半导体膜上设置有用作沟道保护膜的绝缘层的底栅结构的晶体管的半导体装置中，通过在形成以接触于氧化物半导体膜的方式设置的绝缘层及/或源电极层及漏电极层之后，进行杂质去除处理，可以防止蚀刻气体中的元素作为杂质残留在氧化物半导体膜的表面。氧化物半导体膜表面中的杂质浓度为5×1018atoms/cm3以下，优选为1×1018atoms/cm3以下。

公开(公告)号：CN113196501A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201980083166.5

申请日：2019-11-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  笹川慎也 ,  栃林克明 ,  村川努 ,  高桥绘里香

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供一种晶体管特性的偏差少的半导体装置。本发明提供一种包括晶体管的半导体装置，其中晶体管包括：第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物；第一氧化物上的第一导电体、第二导电体以及配置在第一导电体与第二导电体之间的第二氧化物；第二氧化物上的第二绝缘体；以及第二绝缘体上的第三导电体，与第三导电体重叠的区域的第一氧化物的顶面低于与第一导电体重叠的区域的第一氧化物的顶面，在与第三导电体重叠的区域中，第一氧化物的侧面与顶面之间具有弯曲面，弯曲面的曲率半径为1nm以上且15nm以下。