-
公开(公告)号：CN113675275A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110965455.7
申请日：2014-11-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L29/45 , H01L49/02
Abstract: 本发明的一个方式提供一种新颖的半导体装置，其中在包括氧化物半导体膜的晶体管中将含铜(Cu)的金属膜用于布线或信号线等。该半导体装置包括绝缘表面上的具有导电性的氧化物半导体膜以及接触于具有导电性的氧化物半导体膜的导电膜。该导电膜包括Cu‑X合金膜(X为Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、Ta或Ti)。
-
公开(公告)号：CN112510096B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202011128796.0
申请日：2012-10-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本公开涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明提供一种高可靠性的半导体装置以及该半导体装置的制造方法。在具有在氧化物半导体膜上设置有用作沟道保护膜的绝缘层的底栅结构的晶体管的半导体装置中，通过在形成以接触于氧化物半导体膜的方式设置的绝缘层及/或源电极层及漏电极层之后，进行杂质去除处理，可以防止蚀刻气体中的元素作为杂质残留在氧化物半导体膜的表面。氧化物半导体膜表面中的杂质浓度为5×1018atoms/cm3以下，优选为1×1018atoms/cm3以下。
-
公开(公告)号：CN105793994B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201480064849.3
申请日：2014-11-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L51/50 , H05B33/14
Abstract: 本发明的一个方式提供一种新颖半导体装置，其中在包括氧化物半导体膜的晶体管中将含铜(Cu)的金属膜用于布线或信号线等。该半导体装置包括绝缘表面上的具有导电性的氧化物半导体膜以及接触于具有导电性的氧化物半导体膜的导电膜。该导电膜包括Cu‑X合金膜(X为Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、Ta或Ti)。
-
公开(公告)号：CN107302031B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201710319577.2
申请日：2012-10-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
Abstract: 本公开涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明提供一种高可靠性的半导体装置以及该半导体装置的制造方法。在具有在氧化物半导体膜上设置有用作沟道保护膜的绝缘层的底栅结构的晶体管的半导体装置中，通过在形成以接触于氧化物半导体膜的方式设置的绝缘层及/或源电极层及漏电极层之后，进行杂质去除处理，可以防止蚀刻气体中的元素作为杂质残留在氧化物半导体膜的表面。氧化物半导体膜表面中的杂质浓度为5×1018atoms/cm3以下，优选为1×1018atoms/cm3以下。
-
公开(公告)号：CN107302031A
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201710319577.2
申请日：2012-10-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
Abstract: 本公开涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明提供一种高可靠性的半导体装置以及该半导体装置的制造方法。在具有在氧化物半导体膜上设置有用作沟道保护膜的绝缘层的底栅结构的晶体管的半导体装置中，通过在形成以接触于氧化物半导体膜的方式设置的绝缘层及/或源电极层及漏电极层之后，进行杂质去除处理，可以防止蚀刻气体中的元素作为杂质残留在氧化物半导体膜的表面。氧化物半导体膜表面中的杂质浓度为5×1018atoms/cm3以下，优选为1×1018atoms/cm3以下。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103066128B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201210410515.X
申请日：2012-10-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L29/22 , H01L29/7869
Abstract: 本公开涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明提供一种高可靠性的半导体装置以及该半导体装置的制造方法。在具有在氧化物半导体膜上设置有用作沟道保护膜的绝缘层的底栅结构的晶体管的半导体装置中，通过在形成以接触于氧化物半导体膜的方式设置的绝缘层及/或源电极层及漏电极层之后，进行杂质去除处理，可以防止蚀刻气体中的元素作为杂质残留在氧化物半导体膜的表面。氧化物半导体膜表面中的杂质浓度为5×1018atoms/cm3以下，优选为1×1018atoms/cm3以下。
-
公开(公告)号：CN107507805B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201710644974.7
申请日：2012-10-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/82 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种可靠性高的半导体装置以及该半导体装置的制造方法。本发明的目的之一是高成品率地制造可靠性高的半导体装置以实现高生产化。在具有依次层叠有栅电极层、栅极绝缘膜、氧化物半导体膜并且设置有与氧化物半导体膜接触的源电极层及漏电极层的晶体管的半导体装置的制造中，通过蚀刻工序在形成源电极层及漏电极层，然后进行去除存在于氧化物半导体膜表面及其附近的因蚀刻工序而产生的杂质的工序。
-
公开(公告)号：CN107507805A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710644974.7
申请日：2012-10-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/82 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种可靠性高的半导体装置以及该半导体装置的制造方法。本发明的目的之一是高成品率地制造可靠性高的半导体装置以实现高生产化。在具有依次层叠有栅电极层、栅极绝缘膜、氧化物半导体膜并且设置有与氧化物半导体膜接触的源电极层及漏电极层的晶体管的半导体装置的制造中，通过蚀刻工序在形成源电极层及漏电极层，然后进行去除存在于氧化物半导体膜表面及其附近的因蚀刻工序而产生的杂质的工序。
-
公开(公告)号：CN103065969A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210411643.6
申请日：2012-10-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78693 , H01L21/02071 , H01L21/32136 , H01L21/465 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种可靠性高的半导体装置以及该半导体装置的制造方法。本发明的目的之一是高成品率地制造可靠性高的半导体装置以实现高生产化。在具有依次层叠有栅电极层、栅极绝缘膜、氧化物半导体膜并且设置有与氧化物半导体膜接触的源电极层及漏电极层的晶体管的半导体装置的制造中，通过蚀刻工序在形成源电极层及漏电极层，然后进行去除存在于氧化物半导体膜表面及其附近的因蚀刻工序而产生的杂质的工序。
-
公开(公告)号：CN118712235A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410843896.3
申请日：2012-10-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L21/34 , H01L21/44
Abstract: 本公开的发明名称是“半导体装置以及半导体装置的制造方法”。本公开涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明提供一种高可靠性的半导体装置以及该半导体装置的制造方法。在具有在氧化物半导体膜上设置有用作沟道保护膜的绝缘层的底栅结构的晶体管的半导体装置中，通过在形成以接触于氧化物半导体膜的方式设置的绝缘层及/或源电极层及漏电极层之后，进行杂质去除处理，可以防止蚀刻气体中的元素作为杂质残留在氧化物半导体膜的表面。氧化物半导体膜表面中的杂质浓度为5×1018atoms/cm3以下，优选为1×1018atoms/cm3以下。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
15
records
(took 0.028 seconds)
