公开(公告)号：CN102738002B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201210098750.8

申请日：2012-04-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐藤裕平 ,  佐藤惠司 ,  佐佐木俊成 ,  丸山哲纪 ,  矶部敦生 ,  村川努 ,  手塚祐朗

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/477

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。本发明通过对使用氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性，提供一种可靠性高的半导体装置。作为晶体管的制造工序，在依次形成氧化物半导体层、源电极层、漏电极层、栅极绝缘膜、栅电极层及氧化铝膜之后，通过对氧化物半导体层及氧化铝膜进行热处理，去除含有氢原子的杂质，并形成包括含有超过化学计量比的氧的区域的氧化物半导体层。另外，通过形成氧化铝膜，即使在具有该晶体管的半导体装置或电子设备的制造工序中的热处理中，也可以防止来自大气的水或氢侵入且扩散到氧化物半导体层中，从而可以制造可靠性高的晶体管。

公开(公告)号：CN102738002A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210098750.8

申请日：2012-04-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐藤裕平 ,  佐藤惠司 ,  佐佐木俊成 ,  丸山哲纪 ,  矶部敦生 ,  村川努 ,  手塚祐朗

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/477

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。本发明通过对使用氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性，提供一种可靠性高的半导体装置。作为晶体管的制造工序，在依次形成氧化物半导体层、源电极层、漏电极层、栅极绝缘膜、栅电极层及氧化铝膜之后，通过对氧化物半导体层及氧化铝膜进行热处理，去除含有氢原子的杂质，并形成包括含有超过化学计量比的氧的区域的氧化物半导体层。另外，通过形成氧化铝膜，即使在具有该晶体管的半导体装置或电子设备的制造工序中的热处理中，也可以防止来自大气的水或氢侵入且扩散到氧化物半导体层中，从而可以制造可靠性高的晶体管。

公开(公告)号：CN107424927A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201710291791.1

申请日：2012-04-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐藤裕平 ,  佐藤惠司 ,  佐佐木俊成 ,  丸山哲纪 ,  矶部敦生 ,  村川努 ,  手塚祐朗

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/477 ,  H01L21/324 ,  H01L29/66409

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。本发明通过对使用氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性，提供一种可靠性高的半导体装置。作为晶体管的制造工序，在依次形成氧化物半导体层、源电极层、漏电极层、栅极绝缘膜、栅电极层及氧化铝膜之后，通过对氧化物半导体层及氧化铝膜进行热处理，去除含有氢原子的杂质，并形成包括含有超过化学计量比的氧的区域的氧化物半导体层。另外，通过形成氧化铝膜，即使在具有该晶体管的半导体装置或电子设备的制造工序中的热处理中，也可以防止来自大气的水或氢侵入且扩散到氧化物半导体层中，从而可以制造可靠性高的晶体管。

公开(公告)号：CN102683197A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210060002.0

申请日：2012-03-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  佐藤裕平 ,  佐藤惠司 ,  丸山哲纪

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L29/78693

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置的制造方法，目的在于对使用氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性并实现高可靠性。在包括氧化物半导体层的晶体管的制造工序中，在氧化硅膜上形成包括氧含量超过氧化物半导体处于结晶状态时的化学计量组成比的区域的非晶氧化物半导体层，在该非晶氧化物半导体层上形成氧化铝膜，然后进行加热处理来使该非晶氧化物半导体层的至少一部分晶化，从而形成包括具有大致垂直于表面的c轴的结晶的氧化物半导体层。

公开(公告)号：CN107424927B

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201710291791.1

申请日：2012-04-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐藤裕平 ,  佐藤惠司 ,  佐佐木俊成 ,  丸山哲纪 ,  矶部敦生 ,  村川努 ,  手塚祐朗

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。本发明通过对使用氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性，提供一种可靠性高的半导体装置。作为晶体管的制造工序，在依次形成氧化物半导体层、源电极层、漏电极层、栅极绝缘膜、栅电极层及氧化铝膜之后，通过对氧化物半导体层及氧化铝膜进行热处理，去除含有氢原子的杂质，并形成包括含有超过化学计量比的氧的区域的氧化物半导体层。另外，通过形成氧化铝膜，即使在具有该晶体管的半导体装置或电子设备的制造工序中的热处理中，也可以防止来自大气的水或氢侵入且扩散到氧化物半导体层中，从而可以制造可靠性高的晶体管。

公开(公告)号：CN102683197B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201210060002.0

申请日：2012-03-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  佐藤裕平 ,  佐藤惠司 ,  丸山哲纪

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L29/78693

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置的制造方法，目的在于对使用氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性并实现高可靠性。在包括氧化物半导体层的晶体管的制造工序中，在氧化硅膜上形成包括氧含量超过氧化物半导体处于结晶状态时的化学计量组成比的区域的非晶氧化物半导体层，在该非晶氧化物半导体层上形成氧化铝膜，然后进行加热处理来使该非晶氧化物半导体层的至少一部分晶化，从而形成包括具有大致垂直于表面的c轴的结晶的氧化物半导体层。