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公开(公告)号：CN103219394B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310138489.4
申请日：2009-12-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
CPC classification number: H01L27/1255 , H01L27/12 , H01L27/1225 , H01L27/127 , H01L28/20 , H01L29/24 , H01L29/78606 , H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及一种驱动电路及半导体装置，提供一种利用使用被电特性控制的氧化物半导体层而制造的电阻元件及薄膜晶体管的驱动电路、以及利用该驱动电路的半导体装置。在用作电阻元件(354)的氧化物半导体层(905)上直接接触地设置利用使用含有硅烷（SiH4）以及氨（NH3）等的氢化合物的气体的等离子体CVD法而形成的氮化硅层(910)，并且在用作薄膜晶体管(355)的氧化物半导体层(906)上隔着用作阻挡层的氧化硅层(909)地设置氮化硅层(910)。因此，对氧化物半导体层(905)引入比氧化物半导体层(906)更高浓度的氢。其结果，用作电阻元件(354)的氧化物半导体层(905)的电阻值低于用作薄膜晶体管(355)的氧化物半导体层(906)的电阻值。
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公开(公告)号：CN101794791A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200910262579.8
申请日：2009-12-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1255 , H01L27/12 , H01L27/1225 , H01L27/127 , H01L28/20 , H01L29/24 , H01L29/78606 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种利用使用被电特性控制的氧化物半导体层而制造的电阻元件及薄膜晶体管的驱动电路、以及利用该驱动电路的半导体装置。在用作电阻元件(354)的氧化物半导体层(905)上直接接触地设置利用使用含有硅烷(SiH4)以及氨(NH3)等的氢化合物的气体的等离子体CVD法而形成的氮化硅层(910)，并且在用作薄膜晶体管(355)的氧化物半导体层(906)上隔着用作阻挡层的氧化硅层(909)地设置氮化硅层(910)。因此，对氧化物半导体层(905)引入比氧化物半导体层(906)更高浓度的氢。其结果，用作电阻元件(354)的氧化物半导体层(905)的电阻值低于用作薄膜晶体管(355)的氧化物半导体层(906)的电阻值。
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公开(公告)号：CN113571588A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110854378.8
申请日：2016-03-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/49 , H01L29/51 , H01L29/417 , H01L29/24
Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括：衬底上的半导体；半导体上的第一导电体及第二导电体；第一导电体及第二导电体上的第一绝缘体；半导体上的第二绝缘体；第二绝缘体上的第三绝缘体；以及第三绝缘体上的第三导电体，第三绝缘体与第一绝缘体的侧面接触，半导体包括半导体与第一导电体的底面重叠的第一区域、半导体与第二导电体的底面重叠的第二区域、半导体与第三导电体的底面重叠的第三区域，半导体的顶面与第三导电体的底面之间的长度大于第一区域与第三区域之间的长度。
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公开(公告)号：CN107710392A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201680021254.9
申请日：2016-03-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , C23C14/08 , H01L21/363 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L21/8242 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L27/108 , H01L27/146 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1156 , H01L27/1225 , H01L27/14645 , H01L27/14649 , H01L29/24 , H01L29/41733 , H01L29/4908 , H01L29/517
Abstract: 本发明提供一种微型晶体管。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括：衬底上的半导体；半导体上的第一导电体及第二导电体；第一导电体及第二导电体上的第一绝缘体；半导体上的第二绝缘体；第二绝缘体上的第三绝缘体；以及第三绝缘体上的第三导电体，第三绝缘体与第一绝缘体的侧面接触，半导体包括半导体与第一导电体的底面重叠的第一区域、半导体与第二导电体的底面重叠的第二区域、半导体与第三导电体的底面重叠的第三区域，半导体的顶面与第三导电体的底面之间的长度大于第一区域与第三区域之间的长度。
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公开(公告)号：CN104064473A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410329040.0
申请日：2009-12-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/77 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L27/1255 , H01L27/12 , H01L27/1225 , H01L27/127 , H01L28/20 , H01L29/24 , H01L29/78606 , H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及制造半导体装置的方法，其中提供一种利用使用被电特性控制的氧化物半导体层而制造的电阻元件及薄膜晶体管的驱动电路、以及利用该驱动电路的半导体装置。在用作电阻元件(354)的氧化物半导体层(905)上直接接触地设置利用使用含有硅烷(SiH4)以及氨(NH3)等的氢化合物的气体的等离子体CVD法而形成的氮化硅层(910)，并且在用作薄膜晶体管(355)的氧化物半导体层(906)上隔着用作阻挡层的氧化硅层(909)地设置氮化硅层(910)。因此，对氧化物半导体层(905)引入比氧化物半导体层(906)更高浓度的氢。其结果，用作电阻元件(354)的氧化物半导体层(905)的电阻值低于用作薄膜晶体管(355)的氧化物半导体层(906)的电阻值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102709187A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210093069.4
申请日：2012-03-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/30 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/3274 , H01L51/0545
Abstract: 提供具有优秀电特性的半导体器件以及制造该半导体器件的方法。一种用于制造半导体器件的方法包括以下步骤：形成栅电极；形成栅绝缘膜以覆盖栅电极；在栅绝缘膜上形成氧化物半导体膜；在氧化物半导体膜上形成氢渗透膜；在氢渗透膜上形成氢捕获膜；执行热处理以从氧化物半导体膜释放氢；形成与一部分氧化物半导体膜接触的源电极和漏电极；以及去除氢捕获膜的暴露部分以形成由氢渗透膜形成的沟道保护膜。还提供由上述方法制造的半导体器件。
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公开(公告)号：CN107710392B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201680021254.9
申请日：2016-03-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , C23C14/08 , H01L21/363 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L21/8242 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L27/108 , H01L27/146 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种微型晶体管。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括：衬底上的半导体；半导体上的第一导电体及第二导电体；第一导电体及第二导电体上的第一绝缘体；半导体上的第二绝缘体；第二绝缘体上的第三绝缘体；以及第三绝缘体上的第三导电体，第三绝缘体与第一绝缘体的侧面接触，半导体包括半导体与第一导电体的底面重叠的第一区域、半导体与第二导电体的底面重叠的第二区域、半导体与第三导电体的底面重叠的第三区域，半导体的顶面与第三导电体的底面之间的长度大于第一区域与第三区域之间的长度。
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公开(公告)号：CN104064473B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410329040.0
申请日：2009-12-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/77 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L27/1255 , H01L27/12 , H01L27/1225 , H01L27/127 , H01L28/20 , H01L29/24 , H01L29/78606 , H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及制造半导体装置的方法，其中提供一种利用使用被电特性控制的氧化物半导体层而制造的电阻元件及薄膜晶体管的驱动电路、以及利用该驱动电路的半导体装置。在用作电阻元件(354)的氧化物半导体层(905)上直接接触地设置利用使用含有硅烷(SiH4)以及氨(NH3)等的氢化合物的气体的等离子体CVD法而形成的氮化硅层(910)，并且在用作薄膜晶体管(355)的氧化物半导体层(906)上隔着用作阻挡层的氧化硅层(909)地设置氮化硅层(910)。因此，对氧化物半导体层(905)引入比氧化物半导体层(906)更高浓度的氢。其结果，用作电阻元件(354)的氧化物半导体层(905)的电阻值低于用作薄膜晶体管(355)的氧化物半导体层(906)的电阻值。
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公开(公告)号：CN102576677B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201080043261.1
申请日：2010-09-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , C23C14/08 , H01L21/205 , H01L21/28 , H01L21/363 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L21/02565 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 目的在于提供薄膜晶体管、以及用于制造具有受控阈值电压、高操作速度、相对容易的制造工艺、以及足够的可靠性的包括氧化物半导体的薄膜晶体管的方法。可消除对氧化物半导体层中的载流子浓度产生影响的杂质，诸如氢原子、或包含氢原子的化合物(诸如H2O)。可形成与氧化物半导体层接触的包含大量缺陷(诸如悬空键)的氧化物绝缘层，以使杂质扩散到氧化物绝缘层中，并且氧化物半导体层中的杂质浓度降低。可在通过使用低温泵排空、由此杂质浓度降低的沉积室中形成氧化物半导体层或与该氧化物半导体层接触的氧化物绝缘层。
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公开(公告)号：CN101728000B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN200910211814.9
申请日：2009-10-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01B1/00 , H01B1/06 , H01B13/00 , H01B5/14 , H01L29/786 , H01L29/24 , C03C17/22 , C04B41/85 , C01B21/20
CPC classification number: C23C14/5846 , C04B35/58 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C23C14/0057 , C23C14/0676 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及导电氧氮化物及导电氧氮化物膜的制造方法。提供了一种导电氧氮化物，包括：包含铟、镓和锌的氧氮化物；以及氢原子。由透明导电氧化物构成的电极因半导体装置的制造工序中的加热处理而容易晶化。使用其表面凹凸因晶化而变得明显的电极的薄膜元件容易发生短路，其结果是，元件的可靠性降低。本发明的一个方式的目的在于提供一种即使进行加热处理也不会晶化的透光导电氧氮化物及其制造方法。本发明人等发现掺杂了氢原子的包含铟、镓和锌的氧氮化物为即使进行350℃的加热处理也不会晶化的透光导电膜，据此解决了上述问题。
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