公开(公告)号：CN101752433A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910178380.7

申请日：2009-11-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 鸟海聪志 ,  远藤俊弥 ,  大森绘梨子

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/036 ,  H01L31/20

CPC classification number: H01L31/03685 ,  H01L31/0747 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548

Abstract: 本发明的目的在于提供一种高效的光电转换装置，而不使制造工序复杂化。一种光电转换装置，包括构成半导体接合的单元元件，其中依次层叠有：一导电型的第一杂质半导体层；包括晶体半导体所占的比率高于非晶半导体的第一半导体区域和非晶半导体所占的比率高于晶体半导体且在所述非晶半导体中混合有放射状晶体和具有针状生长端的结晶的第二半导体区域的半导体层；以及其导电型与所述第一杂质半导体层相反的第二杂质半导体层。

公开(公告)号：CN101752433B

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN200910178380.7

申请日：2009-11-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 鸟海聪志 ,  远藤俊弥 ,  大森绘梨子

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/036 ,  H01L31/20

CPC classification number: H01L31/03685 ,  H01L31/0747 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548

Abstract: 本发明的目的在于提供一种高效的光电转换装置，而不使制造工序复杂化。一种光电转换装置，包括构成半导体接合的单元元件，其中依次层叠有：一导电型的第一杂质半导体层；包括晶体半导体所占的比率高于非晶半导体的第一半导体区域和非晶半导体所占的比率高于晶体半导体且在所述非晶半导体中混合有放射状晶体和具有针状生长端的结晶的第二半导体区域的半导体层；以及其导电型与所述第一杂质半导体层相反的第二杂质半导体层。