公开(公告)号：CN119562516A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202411178961.1

申请日：2024-08-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 方堂涼太 ,  笹川慎也 ,  仓田求 ,  山崎舜平

IPC: H10B12/00

Abstract: 本公开涉及半导体装置的制造方法。提供一种工作速度快的半导体装置。半导体装置的制造方法包括如下步骤：在第一绝缘体上形成第一涂敷膜及第一涂敷膜上的第二涂敷膜；去除第二涂敷膜的一部分，形成第一层；以第一层为掩模去除第一涂敷膜的一部分来形成第二层；进行热处理工序；以覆盖第一绝缘体的顶面、第二层的侧面以及第一层的侧面及顶面的方式形成第一氧化物半导体；利用各向异性蚀刻对第一氧化物半导体进行加工，以与第二层的侧面接触的方式形成第二氧化物半导体；去除第一层；去除第二层来使被第二层覆盖的第二氧化物半导体的侧面露出。

公开(公告)号：CN117276190A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202310699385.4

申请日：2023-06-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  远藤俊弥 ,  方堂涼太

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明是一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：在衬底上形成氧化物、氧化物上的第一导电体及第一导电体上的第二导电体；以覆盖氧化物、第一导电体及第二导电体的方式形成第一绝缘体；以将第二导电体分为第三导电体及第四导电体的方式在第一绝缘体中形成开口；以覆盖氧化物及第一绝缘体的方式沉积第二绝缘体及第三绝缘体；对第二绝缘体及第三绝缘体进行加工来形成第四绝缘体及第五绝缘体；将第四绝缘体及第五绝缘体用作掩模对第一导电体进行加工，来将第一导电体分为第五导电体及第六导电体；以及去除第五绝缘体。