公开(公告)号：CN117355134A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202311273190.X

申请日：2018-01-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐藤优一 ,  方堂凉太 ,  饭田裕太 ,  森若智昭

IPC: H10B12/00 ,  H10B41/20 ,  H10B41/70 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 本公开涉及电容器、半导体装置及半导体装置的制造方法。提供能够实现一种微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括晶体管以及电容器。晶体管包括金属氧化物以及与金属氧化物电连接的第一导电体。电容器包括：设置在金属氧化物上的第一绝缘体，第一导电体贯通第一绝缘体；设置在第一绝缘体上的第二绝缘体，该第二绝缘体包括到达第一绝缘体及第一导电体的开口；与开口的内壁、第一绝缘体及第一导电体接触的第二导电体；设置在第二导电体上的第三绝缘体；以及设置在第三绝缘体上的第四导电体。第一绝缘体的抑制氢的透过的能力比第二绝缘体高。

公开(公告)号：CN110199386B

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN201880007414.3

申请日：2018-01-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐藤优一 ,  方堂凉太 ,  饭田裕太 ,  森若智昭

IPC: H10B12/00 ,  H10B41/20 ,  H10B41/70 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 提供能够实现一种微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括晶体管以及电容器。晶体管包括金属氧化物以及与金属氧化物电连接的第一导电体。电容器包括：设置在金属氧化物上的第一绝缘体，第一导电体贯通第一绝缘体；设置在第一绝缘体上的第二绝缘体，该第二绝缘体包括到达第一绝缘体及第一导电体的开口；与开口的内壁、第一绝缘体及第一导电体接触的第二导电体；设置在第二导电体上的第三绝缘体；以及设置在第三绝缘体上的第四导电体。第一绝缘体的抑制氢的透过的能力比第二绝缘体高。

公开(公告)号：CN110199386A

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：CN201880007414.3

申请日：2018-01-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐藤优一 ,  方堂凉太 ,  饭田裕太 ,  森若智昭

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 提供能够实现一种微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括晶体管以及电容器。晶体管包括金属氧化物以及与金属氧化物电连接的第一导电体。电容器包括：设置在金属氧化物上的第一绝缘体，第一导电体贯通第一绝缘体；设置在第一绝缘体上的第二绝缘体，该第二绝缘体包括到达第一绝缘体及第一导电体的开口；与开口的内壁、第一绝缘体及第一导电体接触的第二导电体；设置在第二导电体上的第三绝缘体；以及设置在第三绝缘体上的第四导电体。第一绝缘体的抑制氢的透过的能力比第二绝缘体高。