公开(公告)号：CN108883498A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780012928.3

申请日：2017-02-03

申请人： 詹诺普蒂克自动化技术有限公司

发明人： 维尔弗里德·克拉默 ,  安德烈亚斯·比歇尔

IPC分类号： B23K26/073 ,  B23K26/28 ,  B23K33/00 ,  B23K26/12

CPC分类号： B23K26/28 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/0734 ,  B23K26/0736 ,  B23K26/128 ,  B23K33/00

摘要： 装置包括具有管件(3)的焊接单元、沿管件轴线(3.0)的方向照射的激光束单元(1)以及经由例如通过两个间隔元件(5.1)形成的保持单元与管件(3)连接且相对管件(3)同轴地布置在管件内的芯轴(4)。管件(3)和芯轴(4)的周面对于激光束单元(1)的激光辐射来说是反射的，从而使激光辐射通过在管件(3)与芯轴(4)之间的多次反射朝射束离开侧的管件端部(3.2)偏转并且被环形地成形。

公开(公告)号：CN107636805A

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201680032946.3

申请日：2016-06-20

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 平野兼史 ,  大野克巳

IPC分类号： H01L21/301 ,  B23K26/073 ,  B23K26/364

CPC分类号： B23K26/38 ,  B23K26/0643 ,  B23K26/0648 ,  B23K26/0736 ,  B23K26/359 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/268 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68327

摘要： 本发明的半导体元件的制造方法通过使激光(21)的聚光光点形状成为椭圆、使激光(21)聚光到半导体基板(10)与固定用薄片(14)的界面(15)的预定分离线(12a)上而进行照射，使得在界面(15)产生蒸发压力，使初始裂纹(13a)延伸。此时，将聚光光点形状的椭圆的长轴设为沿着预定分离线(12a)的方向且使该椭圆的半长轴a成为热扩散长度Lt以上，从而能够提高椭圆的长轴方向的裂纹延伸效果。由此，能够减小激光(21)的能量，能够降低对半导体基板(10)的元件区域(11)的热损伤和碎屑，并且能够稳定地得到平坦性良好的分离面。

公开(公告)号：CN103025478B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201180036884.0

申请日：2011-07-19

申请人： 浜松光子学株式会社

发明人： 下井英树 ,  荒木佳祐

IPC分类号： B23K26/53 ,  B23K26/55 ,  B23K26/402 ,  B23K26/064 ,  B23K26/073 ,  B23K26/382 ,  B23K26/384 ,  H01L21/306

CPC分类号： B23K26/064 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0736 ,  B23K26/382 ,  B23K26/384 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K26/55 ,  B23K2103/50 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/76898

摘要： 一种用于将沿着规定的线（12）的空间形成于硅基板（11）的基板加工方法，具备：通过将作为椭圆率为1以外的椭圆偏振光的激光（L）聚光于硅基板（11），从而使多个改质点（S）沿着线（12）而形成于硅基板（11）的内部，形成包含多个改质点（S）的改质区域（7）的第1工序；以及在第1工序之后，通过对硅基板（11）施以各向异性蚀刻处理，从而使蚀刻沿着改质区域（7）选择性地进展，在硅基板（11）形成空间的第2工序；在第1工序中，以使相对于硅基板（11）的激光（L）的移动方向与激光（L）的偏振光方向所成的角度小于45°的方式将激光（L）聚光于硅基板（11），以沿着线（12）排列成多列的方式形成多个改质点（S）。

公开(公告)号：CN104882370A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201410710371.9

申请日：2014-11-28

申请人： 超科技公司

发明人： S·阿尼基特切夫

IPC分类号： H01L21/268 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/02683 ,  B23K26/0608 ,  B23K26/0736 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324

摘要： 本发明涉及一种利用光纤激光器的激光尖峰退火。通过对晶片表面执行激光尖峰退火的该方法包括：利用多个光纤激光器系统来产生相应的连续波输出辐射束以形成具有长轴和沿长轴的长度LA的长型退火图像，其中连续波输出辐射束在晶片表面部分地重叠；加热晶片表面的至少一个区域至预退火温度TPA；以及在晶片表面及预热区域内扫描长型退火图像，使得长型退火图像的停留时间tD介于30纳秒至10毫秒之间并且使晶片表面的温度升至退火温度TA。

公开(公告)号：CN104244858A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201380020997.0

申请日：2013-05-17

申请人： 皇家飞利浦有限公司

发明人： P·T·朱特 ,  B·W·M·莫斯科普斯 ,  M·T·约翰森 ,  J·H·库姆斯

IPC分类号： A61B18/20 ,  B26B19/00

CPC分类号： B23K26/40 ,  A61B18/20 ,  A61B18/203 ,  A61B2018/00476 ,  A61N2005/0663 ,  A61N2005/0665 ,  A61N2005/067 ,  B23K26/0096 ,  B23K26/02 ,  B23K26/0648 ,  B23K26/0736 ,  B23K26/38 ,  B23K26/402 ,  B23K2103/32 ,  B23K2103/38 ,  B23K2103/50 ,  B26B19/00 ,  B26F3/16

摘要： 本申请涉及一种用于剪发装置的切割头(1)。所述切割头具有在所述切割头内引导激光束(7)跨过切割区(8)的光学系统(3)。所述激光束具有快轴和慢轴。所述光学系统具有被配置成在所述切割区内形成所述激光束的第一焦点(11)的聚焦透镜(6)。在一个实施例中，所述光学系统(3)还具有重新聚焦所述激光束以在所述切割区内形成所述激光束的第二焦点(16)的聚焦元件(15)。在另一实施例中，所述聚焦透镜形成所述激光束在所述切割区内沿所述激光束的快轴的焦距，该焦距大于所述激光束在所述切割区内沿所述激光束的慢轴的焦距。

公开(公告)号：CN104039988A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201280065201.9

申请日：2012-11-15

申请人： POSCO公司

发明人： 权五烈 ,  李原杰 ,  韩赞熙 ,  朴炫哲

IPC分类号： C21D8/12

CPC分类号： H01B5/002 ,  B23K26/0643 ,  B23K26/0736 ,  B23K26/354 ,  B23K26/355 ,  C21D8/1288 ,  C21D8/1294 ,  C21D2201/05 ,  H01B1/02 ,  H01F3/02

摘要： 本发明公开了一种电工钢的制造方法。根据本发明的电工钢制造方法包括：通过激光照射而钢片表面熔融，而形成具有第一、第二侧面及底面的沟槽(groove)的步骤；在上述形成沟槽的步骤中，用吹气或吸入而去除在上述第一、第二、底面形成的上述钢片的熔融副产物，以使上述第一、第二及底面中任意一面外露而形成开放部的步骤。

公开(公告)号：CN102046545B

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN200980120192.7

申请日：2009-05-14

申请人： 康宁股份有限公司

发明人： A·A·阿布拉莫夫 ,  L·乌克兰采克 ,  邬起 ,  周乃越

IPC分类号： C03B33/09 ,  C03B33/033 ,  B23K26/064

CPC分类号： B23K26/0736 ,  C03B33/0215 ,  C03B33/0222 ,  C03B33/023 ,  C03B33/093 ,  G02B27/0966 ,  Y10T225/12 ,  Y10T225/321

摘要： 本发明描述了用来刻划包括不平坦的玻璃板(1000)的不平坦材料的系统。在一个实施方式中，描述了一种激光刻划系统。所述激光刻划系统包括激光器(102)和光学头(106)。所述光学头设计用来接收来自激光器的输出，将所述输出聚焦成伸长的激光束，所述激光束具有光束腰以及相对于光束腰中点大于+/-5毫米的延伸的焦深，其功率密度足以对至少一部分位于所述延伸的焦深内的材料进行刻划。在一个方面，所述系统可以包括光束扩展器(104)。所述光束扩展器从激光器接收输出，将来自激光器的输出扩展为扩展的激光束，然后将扩展的激光束传输到光学头。

公开(公告)号：CN103228587A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201180057094.0

申请日：2011-10-27

申请人： 电子科学工业有限公司

发明人： 马克·T·科斯莫夫斯基 ,  米梅特·艾尔裴

IPC分类号： C03B33/02 ,  C03B33/03 ,  C03B33/09 ,  B23K26/38

CPC分类号： B23K26/0736 ,  B23K26/082 ,  B23K26/146 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/50 ,  C03B33/04 ,  C03B33/093 ,  Y02P40/57

摘要： 本发明教示一种正交集成裁切设备及控制此设备的方法。所述裁切设备包含相对于面向待处理的衬底的座架以直角安装的两个裁切装置。通过使所述座架或非金属及/或易碎衬底沿两个正交轴线移动而在不使所述衬底旋转或移动到第二机器的情况下使所述衬底沿所述轴线分离。每一裁切装置激光器沿相应切割轴线按顺序加热所述衬底的表面、使切割区域冷却且接着激光器再加热所述切割区域以形成齐平断裂。

公开(公告)号：CN103180085A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201180046039.1

申请日：2011-10-06

申请人： 三菱重工业株式会社

发明人： 渡边真生

IPC分类号： B23K26/38 ,  B23K26/073 ,  B23K26/08

CPC分类号： B23K26/0736 ,  B23K26/0648 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/0884 ,  B23K26/123 ,  B23K26/1464 ,  B23K26/38 ,  B23K37/0235 ,  B23K2101/18

摘要： 一种激光切割装置和激光切割方法，其能够采用波长比CO2激光短的激光切割具有厚度的被加工物。激光切割装置(10)从激光射出部(24)射出用于切割被加工物(30)的激光束(波长比CO2激光短的YAG系激光)，该激光激光切割装置利用光学系统(26)汇聚使得该激光束的截面形状呈椭圆形且该椭圆形的长轴方向与被加工物(30)的切割行进方向一致，汇聚成椭圆形的激光束有助于被加工物(30)内部的熔融池的温度上升。

公开(公告)号：CN102157375B

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201110073309.X

申请日：2006-03-30

申请人： 应用材料公司

发明人： 迪安·詹宁斯 ,  海凡·朗 ,  马克·亚姆 ,  维杰·帕里哈尔 ,  阿比拉什·玛雨尔 ,  亚伦·亨特 ,  布鲁斯·亚当斯 ,  约瑟夫·迈克尔·拉尼什

IPC分类号： H01L21/324

CPC分类号： B23K26/0608 ,  B23K26/0604 ,  B23K26/0613 ,  B23K26/073 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/0736 ,  B23K26/0738 ,  B23K26/352 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324

摘要： 本发明涉及双波长热流激光退火。本发明公开了一种热处理设备和方法，其中第一激光源(40)，例如以10.6μm发射的CO2激光器，作为线光源(48)聚焦到硅晶片(20)上，并且第二激光源(26)，例如以808nm发射的GaAs激光器棒作为围绕线光束的更大光束(34)聚焦到晶片上。两个光束在线光源的窄方向上同步扫描，以产生在通过更大光束进行活化时由线光束产生窄加热脉冲。GaAs辐射的能级大于硅带隙能级，并产生了自由载流子。CO2辐射的能级小于硅带隙能级，因此硅对此是透明的，但是长波长辐射被自由载流子吸收。