公开(公告)号：CN105206519B

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201510349565.5

申请日：2015-06-23

申请人： 超科技公司

发明人： J·T·麦克沃特 ,  A·哈夫雷鲁克 ,  S·阿尼基蒂切夫 ,  M·萨法

IPC分类号： H01L21/268 ,  H01L21/67

摘要： 本发明涉及用于降低激光退火中的光束不稳定性的系统和方法。该方法包括：利用光束重定向元件引导调节激光束通过光圈中的开口；通过将所述光圈成像在所述半导体晶片的所述表面处，来在所述半导体晶片的所述表面上形成线图像，由此局部加热所述半导体晶片的所述表面，以形成退火温度分布；探测来自所述半导体晶片的局部加热表面的热发射；根据探测的热发射来确定所述退火温度分布；从所述退火温度分布来确定包括斜率的时变量的线图像强度分布曲线；以及调节所述光束重定向元件以重定向所述调节激光束，以减小或消除所述线图像强度分布曲线中的斜率的时变量。

公开(公告)号：CN108735606A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810356713.X

申请日：2018-04-20

申请人： 超科技公司

发明人： 迈克尔·H·威尔曼

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/268 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823418 ,  G10L15/26 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/308 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851 ,  H04L51/02 ,  H04L51/046 ,  H04L65/403 ,  H01L21/268 ,  H01L29/66742

摘要： 本文公开的方法涉及使用激光退火利用固相外延形成用于鳍式FET的源极和漏极的方法。所公开的方法包括用具有与第一掺杂相反的第二掺杂的掺杂非晶硅(a-Si)或非晶硅锗(a-SiGe)替代具有侧壁和第一掺杂的鳍式FET结构的源极区段和漏极区段的顶部部分，并且延伸高于侧壁。所公开的方法还包括进行a-Si或a-SiGe的亚熔化激光退火以分别形成c-Si或c-SiGe从而限定鳍式FET的源极区和漏极区。去除未转化的a-Si或a-SiGe。如此形成的源极区和漏极区包括延伸超过所述侧壁的顶部的扩展区域部分。

公开(公告)号：CN104501946B

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201410364162.3

申请日：2014-07-29

申请人： 超科技公司

发明人： S·阿尼基谢威 ,  D·盖恩斯

IPC分类号： G01J1/42

CPC分类号： G01J1/0407 ,  G01J1/0414 ,  G01J1/0477 ,  G01J1/4257 ,  G01J2001/0481 ,  G01J2001/4261 ,  G02B5/04 ,  G02B27/108

摘要： 本发明涉及用于测量高强度光束的系统和方法，公开了用于测量光束的强度特性的系统和方法。所述方法包括将光束引导到包括由两个透明板夹在中间的薄棱镜的棱镜组件中，以及由全内反射表面将光束的一部分反射到积分球，同时将光束的剩余部分通过两个透明板发射到光束收集器。方法还包括检测由积分球捕获的光束并且根据所检测的光束确定光束的强度特性。

公开(公告)号：CN103592727B

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201310357355.1

申请日：2013-08-16

申请人： 超科技公司

发明人： D·G·斯蒂特斯 ,  A·M·霍里鲁克

IPC分类号： G02B6/42 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/201 ,  G03F7/70391 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/642 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种具有高收光效率的基于发光二极管的光刻发光器揭露于此。所述发光器使用发光二极管阵列，其中各发光二极管具有发光二极管晶粒以及散热器。发光二极管晶粒被成像在光均匀器柱的输入端以大致覆盖该输入端，而不包含发光二极管的不会发光的散热器部分。微透镜阵列用来成像发光二极管晶粒。发光器的收光效率比50%来的更好，且光均匀器的输出端的照明均匀性在+/‑2%以内。

公开(公告)号：CN103268856B

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201310028523.2

申请日：2013-01-25

申请人： 超科技公司

发明人： 沈小华 ,  王耘 ,  王晓茹

IPC分类号： H01L21/268 ,  H01L21/66 ,  H01L21/324 ,  B23K26/06 ,  B23K26/073 ,  B23K26/08 ,  G01N21/55

CPC分类号： H01L21/2636 ,  B23K26/0608 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/08 ,  B23K2101/40 ,  G01N21/55 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本公开涉及具改良温度表现的双光束雷射退火。一种可在雷射退火制程中减少晶圆表面温度变异的雷射退火系统与方法。所述系统与方法包含对晶圆表面以第一和第二激光束退火，其分别作为预热以及退火激光束且分别具有第一与第二强度。预热激光束使晶元表面温度趋近于退火温度，而退火激光束则将晶圆表面温度带至退火温度。在预热波长以及退火波长之下使用晶圆表面的反射率地图（reflectivity map）可确保良好的退火温度一致性。

公开(公告)号：CN106373909A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201610578685.7

申请日：2016-07-21

申请人： 超科技公司

发明人： S·阿尼基特切夫

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/268 ,  G02B27/09

CPC分类号： G02B27/0983 ,  G02B19/0004 ,  G02B19/0047 ,  G02B27/0927 ,  G02B27/0988 ,  H01L21/268 ,  H01L21/67115

摘要： 本发明涉及使用锯齿状空间滤光片的高效线形成光学系统及方法。所述线形成光学系统包括：激光源；光束调节光学系统；第一光圈器件；及中继光学系统，该中继光学系统包括具有该锯齿状光圈的第二光圈器件。该锯齿状光圈由相对的锯齿状叶片来界定，相较于使用具有笔直边缘叶片的光圈，该锯齿状叶片被配置以减小在图像平面处所形成的线图像的强度变化。

公开(公告)号：CN105319722A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510426704.X

申请日：2015-07-20

申请人： 超科技公司

发明人： S·阿尼基特切夫

IPC分类号： G02B27/09 ,  H01L21/268

CPC分类号： G02B27/0927 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0643 ,  B23K26/0648 ,  B23K26/066 ,  B23K26/0738 ,  B23K26/082 ,  B23K26/0823 ,  B23K26/083 ,  B23K26/352 ,  B23K26/354 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/56 ,  G02B17/008 ,  G02B17/061 ,  G02B27/0983 ,  G02B27/0988 ,  H01L21/2253 ,  H01L21/268 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324 ,  H01L21/428 ,  H01L21/477 ,  G02B27/0955 ,  G02B27/0977

摘要： 本发明涉及一种高效率的线形成光学系统及方法。一种线形成光学系统及方法被公开以形成具有高效率的线图像，所述方法包含形成具有第一强度分布的激光束，第一强度分布至少在第一方向上具有高斯分布，并且使在第一方向上的激光束的至少50％穿过以形成第一透射光。所述方法还包含在中间像平面处聚焦第一透射光以定义第二强度分布，第二强度分布具有中心峰及紧邻中心峰的第一侧峰，在第一侧峰的每个内截断第二强度分布以定义第二透射光，然后利用第二透射光在像平面上形成线图像。

公开(公告)号：CN105261559A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201410586452.2

申请日：2014-10-28

申请人： 超科技公司

发明人： A·W·泽菲洛普洛 ,  A·M·霍里鲁克

IPC分类号： H01L21/268 ,  G03F7/16

摘要： 提供在气态环境中激光加工光致抗蚀剂以改进抗蚀刻性和线-边缘粗糙度中至少一种的方法。所述方法包括按序引入第一和第二分子气体到光致抗蚀剂的表面，和针对每一分子气体，分别进行表面的第一和第二激光扫描。第一分子气体可以是选自三甲基铝、四氯化钛和二乙基锌中的至少一种，和第二分子气体包括水蒸气。短的停留时间防止光致抗蚀剂流动，同时起到加快光致抗蚀剂强化工艺的作用。

公开(公告)号：CN102782834B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201180005787.5

申请日：2011-01-12

申请人： 超科技公司

发明人： R·T·赫林 ,  P·J·林德格伦 ,  E·J·斯普罗吉斯 ,  A·K·斯塔珀

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76898 ,  G03F9/7076 ,  G03F9/708 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种制造集成电路结构的方法，在衬底（100；图1）内形成第一开口，并且用保护衬里加衬所述第一开口（102）。该方法将材料沉积到所述第一开口中（104），并且在所述衬底之上形成保护材料。所述保护材料包括工艺控制标记，并包括位于所述第一开口之上并且与所述第一开口对准的第二开口（108）。所述方法通过所述保护材料内的所述第二开口，从所述第一开口去除所述材料（110）。所述工艺控制标记包括在所述保护材料内的凹陷，所述凹陷仅部分延伸通过所述保护材料，以便所述衬底在所述工艺控制标记之下的部分不受去除所述材料的工艺影响。

公开(公告)号：CN103730180A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201310309113.5

申请日：2013-07-23

申请人： 超科技公司

发明人： A·W·泽菲洛普洛 ,  A·M·霍里鲁克

IPC分类号： G21H1/02 ,  G21H1/06

CPC分类号： B60L11/18 ,  B60L11/002 ,  G21H1/00 ,  G21H1/06

摘要： 本发明内容涉及用于运输应用的贝塔伏特电源。公开了用于运输装置和应用的贝塔伏特电源，其中，所述装置具有同位素层以及能量转换层的堆叠配置。同位素层具有约0.5年至约5年之间的半衰期，且产生能量在约15keV至约200keV的范围内的辐射。贝塔伏特电源被配置为提供足够的电力以在运输装置的有效寿命内操作该运输装置。