氮化镓发光二极管的快速热退火

    公开(公告)号:CN102956476B

    公开(公告)日:2015-06-03

    申请号:CN201210300599.1

    申请日:2012-08-22

    申请人: 超科技公司

    摘要: 氮化镓发光二极管的快速热退火。本发明公开一种在形成氮化镓(GaN)发光二极管(LED)时所执行的快速热退火的方法,以及使用所述快速热退火方法所形成的氮化镓发光二极管。一种例示性方法包含形成氮化镓多层结构,其具有n型氮化镓层与p型氮化镓层,且所述n型氮化镓层与p型氮化镓层之间夹入激活层。该方法还包含使用激光器或闪光灯对p型氮化镓层执行快速热退火。该方法还包含在氮化镓多层结构上形成透明导电层,且将p型接触添加至透明导电层上及将n型接触添加至n型氮化镓层上。所得氮化镓发光二极管具有增强的输出功率、更低的接通电压及减低的串联电阻。

    用于GaN发光二极管的激光尖脉冲退火

    公开(公告)号:CN102110748B

    公开(公告)日:2015-06-17

    申请号:CN201010533083.2

    申请日:2010-11-05

    申请人: 超科技公司

    IPC分类号: H01L33/00 H01L33/40

    摘要: 公开了在形成氮化镓(GaN)发光二极管(LED)中进行激光尖脉冲退火(LSA)的方法以及用LSA形成的GaN LED。示例性方法包含在基底顶上形成有当中夹入激活层的n-GaN层和p-GaN层的GaN多层结构。该方法还包含通过令激光束在该p-GaN层上扫描进行LSA。该方法还包含在该GaN多层结构顶上形成透明导电层,并添加p-接触到透明导电层和n-接触到n-GaN层。得到的GaN LED有增强的输出功率、较低的导通电压和降低的串联电阻。

    氮化镓发光二极管的快速热退火

    公开(公告)号:CN102956476A

    公开(公告)日:2013-03-06

    申请号:CN201210300599.1

    申请日:2012-08-22

    申请人: 超科技公司

    摘要: 氮化镓发光二极管的快速热退火。本发明公开一种在形成氮化镓(GaN)发光二极管(LED)时所执行的快速热退火的方法,以及使用所述快速热退火方法所形成的氮化镓发光二极管。一种例示性方法包含形成氮化镓多层结构,其具有n型氮化镓层与p型氮化镓层,且所述n型氮化镓层与p型氮化镓层之间夹入激活层。该方法还包含使用激光器或闪光灯对p型氮化镓层执行快速热退火。该方法还包含在氮化镓多层结构上形成透明导电层,且将p型接触添加至透明导电层上及将n型接触添加至n型氮化镓层上。所得氮化镓发光二极管具有增强的输出功率、更低的接通电压及减低的串联电阻。

    GaNLED的快速退火
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102891225A

    公开(公告)日:2013-01-23

    申请号:CN201210252428.6

    申请日:2012-07-20

    申请人: 超科技公司

    IPC分类号: H01L33/00 H01L33/32 H01L33/36

    摘要: GaN LED的快速退火。公开了在形成GaN发光二极管(LED)中进行快速热退火的方法以及用快速热退火层形成的GaN LED。示例性方法包含形成有当中夹入激活层的n-GaN层和p-GaN层的GaN多层结构。该方法包含用或者激光器或者闪光灯进行p-GaN层的快速热退火。该方法还包含在该GaN多层结构顶上形成透明导电层,并添加p-接触到透明导电层和n-接触到n-GaN层。得到的GaN LED有增强的输出功率、较低的导通电压和降低的串联电阻。

    用于GaN发光二极管的激光尖脉冲退火

    公开(公告)号:CN102110748A

    公开(公告)日:2011-06-29

    申请号:CN201010533083.2

    申请日:2010-11-05

    申请人: 超科技公司

    摘要: 公开了在形成氮化镓(GaN)发光二极管(LED)中进行激光尖脉冲退火(LSA)的方法以及用LSA形成的GaN LED。示例性方法包含在基底顶上形成有当中夹入激活层的n-GaN层和p-GaN层的GaN多层结构。该方法还包含通过令激光束在该p-GaN层上扫描进行LSA。该方法还包含在该GaN多层结构顶上形成透明导电层,并添加p-接触到透明导电层和n-接触到n-GaN层。得到的GaN LED有增强的输出功率、较低的导通电压和降低的串联电阻。