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公开(公告)号:CN102956476B
公开(公告)日:2015-06-03
申请号:CN201210300599.1
申请日:2012-08-22
申请人: 超科技公司
IPC分类号: H01L21/324 , H01L33/00 , H01L33/02
摘要: 氮化镓发光二极管的快速热退火。本发明公开一种在形成氮化镓(GaN)发光二极管(LED)时所执行的快速热退火的方法,以及使用所述快速热退火方法所形成的氮化镓发光二极管。一种例示性方法包含形成氮化镓多层结构,其具有n型氮化镓层与p型氮化镓层,且所述n型氮化镓层与p型氮化镓层之间夹入激活层。该方法还包含使用激光器或闪光灯对p型氮化镓层执行快速热退火。该方法还包含在氮化镓多层结构上形成透明导电层,且将p型接触添加至透明导电层上及将n型接触添加至n型氮化镓层上。所得氮化镓发光二极管具有增强的输出功率、更低的接通电压及减低的串联电阻。
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公开(公告)号:CN103268856B
公开(公告)日:2017-09-12
申请号:CN201310028523.2
申请日:2013-01-25
申请人: 超科技公司
IPC分类号: H01L21/268 , H01L21/66 , H01L21/324 , B23K26/06 , B23K26/073 , B23K26/08 , G01N21/55
CPC分类号: H01L21/2636 , B23K26/0608 , B23K26/0732 , B23K26/08 , B23K2101/40 , G01N21/55 , H01L21/268 , H01L21/324 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要: 本公开涉及具改良温度表现的双光束雷射退火。一种可在雷射退火制程中减少晶圆表面温度变异的雷射退火系统与方法。所述系统与方法包含对晶圆表面以第一和第二激光束退火,其分别作为预热以及退火激光束且分别具有第一与第二强度。预热激光束使晶元表面温度趋近于退火温度,而退火激光束则将晶圆表面温度带至退火温度。在预热波长以及退火波长之下使用晶圆表面的反射率地图(reflectivity map)可确保良好的退火温度一致性。
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公开(公告)号:CN103632938A
公开(公告)日:2014-03-12
申请号:CN201310377092.0
申请日:2013-08-27
申请人: 超科技公司
IPC分类号: H01L21/268 , H01L21/324
CPC分类号: H01L21/268 , H01L21/02107 , H01L21/28518 , H01L27/14634 , H01L27/1469
摘要: 公开了一种对薄半导体晶片的退火方法。所述方法允许对薄半导体晶片的一侧进行高温退火而不会损害或过度加热那些位于晶片另一侧或者嵌入在晶片中的热敏感电子器件特征。退火是在低于晶片的熔点的温度下进行,因此在退火过程中不会发生显著的掺杂重新分布的情况。本方法可用于激活掺杂或用于形成欧姆接触。
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公开(公告)号:CN105990195A
公开(公告)日:2016-10-05
申请号:CN201610156288.0
申请日:2016-03-18
申请人: 超科技公司
发明人: 王耘
IPC分类号: H01L21/67 , H01L21/268
CPC分类号: B23K26/0622 , B23K26/0006 , B23K26/0643 , B23K26/0648 , B23K26/066 , B23K26/0738 , B23K26/082 , B23K26/352 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , B23K2103/56 , H01L21/268 , H01L21/324 , H01S3/0071 , H01S3/0085 , H01L21/67115
摘要: 本发明是公开减少激光退火的脉冲激光束轮廓的非均匀性的系统及方法。所述的方法包含沿光轴定向初始脉冲式激光束,及对每个光脉冲施加相对于所述的光轴的随时间变化的角度偏转量。如此形成新激光束,其中每个光脉冲在空间偏转量δ上可被抹平,此空间偏转量δ足够减少激光束的微观尺度强度变化。此新激光束被用以形成线图像,和使用初始激光束所形成的线图像相比,新激光束所形成的线图像具有较佳的强度均匀性。
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公开(公告)号:CN102110748B
公开(公告)日:2015-06-17
申请号:CN201010533083.2
申请日:2010-11-05
申请人: 超科技公司
CPC分类号: H01L33/0095 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/42
摘要: 公开了在形成氮化镓(GaN)发光二极管(LED)中进行激光尖脉冲退火(LSA)的方法以及用LSA形成的GaN LED。示例性方法包含在基底顶上形成有当中夹入激活层的n-GaN层和p-GaN层的GaN多层结构。该方法还包含通过令激光束在该p-GaN层上扫描进行LSA。该方法还包含在该GaN多层结构顶上形成透明导电层,并添加p-接触到透明导电层和n-接触到n-GaN层。得到的GaN LED有增强的输出功率、较低的导通电压和降低的串联电阻。
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公开(公告)号:CN103268856A
公开(公告)日:2013-08-28
申请号:CN201310028523.2
申请日:2013-01-25
申请人: 超科技公司
IPC分类号: H01L21/268 , B23K26/00
CPC分类号: H01L21/2636 , B23K26/0608 , B23K26/0732 , B23K26/08 , B23K2101/40 , G01N21/55 , H01L21/268 , H01L21/324 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要: 本发明涉及具改良温度表现的双光束雷射退火。一种可在雷射退火制程中减少晶圆表面温度变异的雷射退火系统与方法。所述系统与方法包含对晶圆表面以第一和第二激光束退火,其分别作为预热以及退火激光束且分别具有第一与第二强度。预热激光束使晶元表面温度趋近于退火温度,而退火激光束则将晶圆表面温度带至退火温度。在预热波长以及退火波长之下使用晶圆表面的反射率地图(reflectivity map)可确保良好的退火温度一致性。
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公开(公告)号:CN102956476A
公开(公告)日:2013-03-06
申请号:CN201210300599.1
申请日:2012-08-22
申请人: 超科技公司
IPC分类号: H01L21/324 , H01L33/00 , H01L33/02
摘要: 氮化镓发光二极管的快速热退火。本发明公开一种在形成氮化镓(GaN)发光二极管(LED)时所执行的快速热退火的方法,以及使用所述快速热退火方法所形成的氮化镓发光二极管。一种例示性方法包含形成氮化镓多层结构,其具有n型氮化镓层与p型氮化镓层,且所述n型氮化镓层与p型氮化镓层之间夹入激活层。该方法还包含使用激光器或闪光灯对p型氮化镓层执行快速热退火。该方法还包含在氮化镓多层结构上形成透明导电层,且将p型接触添加至透明导电层上及将n型接触添加至n型氮化镓层上。所得氮化镓发光二极管具有增强的输出功率、更低的接通电压及减低的串联电阻。
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公开(公告)号:CN102891225A
公开(公告)日:2013-01-23
申请号:CN201210252428.6
申请日:2012-07-20
申请人: 超科技公司
摘要: GaN LED的快速退火。公开了在形成GaN发光二极管(LED)中进行快速热退火的方法以及用快速热退火层形成的GaN LED。示例性方法包含形成有当中夹入激活层的n-GaN层和p-GaN层的GaN多层结构。该方法包含用或者激光器或者闪光灯进行p-GaN层的快速热退火。该方法还包含在该GaN多层结构顶上形成透明导电层,并添加p-接触到透明导电层和n-接触到n-GaN层。得到的GaN LED有增强的输出功率、较低的导通电压和降低的串联电阻。
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公开(公告)号:CN102110748A
公开(公告)日:2011-06-29
申请号:CN201010533083.2
申请日:2010-11-05
申请人: 超科技公司
CPC分类号: H01L33/0095 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/42
摘要: 公开了在形成氮化镓(GaN)发光二极管(LED)中进行激光尖脉冲退火(LSA)的方法以及用LSA形成的GaN LED。示例性方法包含在基底顶上形成有当中夹入激活层的n-GaN层和p-GaN层的GaN多层结构。该方法还包含通过令激光束在该p-GaN层上扫描进行LSA。该方法还包含在该GaN多层结构顶上形成透明导电层,并添加p-接触到透明导电层和n-接触到n-GaN层。得到的GaN LED有增强的输出功率、较低的导通电压和降低的串联电阻。
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