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公开(公告)号：CN103026486B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201180036871.3
申请日：2011-07-19
申请人： 浜松光子学株式会社
IPC分类号： H01L23/12 , B23K26/53 , B23K26/55 , B23K26/08 , B23K26/0622
CPC分类号： B23K26/0853 , B23K26/0006 , B23K26/0622 , B23K26/53 , B23K26/55 , B23K2101/40 , B23K2103/56 , H01L21/30608 , H01L21/486 , H01L23/49827 , H01L2924/0002 , H05K3/002 , H05K2203/107 , H01L2924/00
摘要： 一种具备多个贯通电极的中介物的制造方法，包含：通过将激光聚光于由硅形成的板状的加工对象物，在加工对象物形成改质区域的激光聚光工序；在激光聚光工序之后，通过对加工对象物实施各向异性蚀刻处理，沿着改质区域使蚀刻选择性地进展，将相对于加工对象物的厚度方向倾斜且其剖面形状为矩形形状的多个贯通孔形成于加工对象物的蚀刻处理工序；在蚀刻处理工序之后，在贯通孔的内壁形成绝缘膜的绝缘膜形成工序；在绝缘膜形成工序之后，通过将导体埋入贯通孔，形成贯通电极的贯通电极形成工序；多个贯通孔从加工对象物的主面看，以在其倾斜方向上排列的贯通孔在倾斜方向的垂直方向上相互不同的方式配置。
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公开(公告)号：CN102468109B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201010582903.7
申请日：2010-10-29
申请人： 浜松光子学株式会社
摘要： 本发明涉及一种光电倍增管(1)，具有：互相相对配置、各自的相对面(20a)、(40a)由绝缘材料构成的上侧框架(2)以及下侧框架(4)；与框架(2)、(4)一起构成框体的侧壁框架(3)；从下侧框架(4)的相对面(40a)上的一端侧朝向另一端侧依次隔开排列的多级的电子倍增部(33)；在一端侧与电子倍增部(33)隔开设置的、将来自外部的入射光转换为光电子的光电面；在另一端侧与电子倍增部(33)隔开设置的、将由电子倍增部(33)倍增的电子作为信号读取的阳极部(34)；以及壁状电极(32)，其从与相对面(401)正对的方向看被配置成包围光电面(41)，在与另一端侧的电子倍增部(33)相对的部位上形成切口部(35)，与光电面(41)电连接。
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公开(公告)号：CN103025477B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201180036874.7
申请日：2011-07-19
申请人： 浜松光子学株式会社
IPC分类号： B23K26/362 , B23K26/53 , B23K26/402 , H01L23/473
CPC分类号： B23K26/55 , B23K26/0006 , B23K26/0622 , B23K26/0853 , B23K2101/40 , B23K2103/56 , H01L23/473 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种用于制造具有冷却机构（61）的半导体设备（10）的制造方法，包含：通过将激光（L）聚光于由硅所形成的板状的加工对象物（1），从而在加工对象物（1）的内部以沿着改质区域形成预定线（5）延伸的方式形成改质区域（7）的改质区域形成工序；在改质区域形成工序之后，通过对加工对象物（1）实施各向异性蚀刻处理，从而使蚀刻沿着改质区域（7）选择性地进展，将用于流通冷却介质（61）的流路作为冷却机构（61）形成于加工对象物（1）的内部的蚀刻处理工序；及在加工对象物（1）的一个主面侧形成功能元件的功能元件形成工序。
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公开(公告)号：CN101814414B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201010123813.1
申请日：2010-02-25
申请人： 浜松光子学株式会社
CPC分类号： H01J43/243
摘要： 本发明涉及一种光电倍增管，以防止电子向倍增极之间的箱体的绝缘部分入射从而改善耐受电压为课题。该光电倍增管(1)具有彼此相对地配置且各自的相对面(20a、40a)由绝缘材料构成的基板(20、40)、与基板(20、40)共同构成箱体的基板(30)、从基板(40)的相对面(40a)上的一端侧向另一端侧依次间隔地排列的倍增极(31a～31j)、从倍增极(31a)向一端侧间隔设置的光电面(22)以及从倍增极(31j)向另一端侧间隔设置的阳极部(32)，基板(20)的相对面(20a)被形成为覆盖倍增极(31a～31j)，在该相对面(20a)上，在与每一个倍增极(31a～31j)相对的部位上，设置有彼此电独立且被设定为与倍增极等电位的多个导电膜(21a～21j)。
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公开(公告)号：CN103026486A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201180036871.3
申请日：2011-07-19
申请人： 浜松光子学株式会社
CPC分类号： B23K26/0853 , B23K26/0006 , B23K26/0622 , B23K26/53 , B23K26/55 , B23K2101/40 , B23K2103/56 , H01L21/30608 , H01L21/486 , H01L23/49827 , H01L2924/0002 , H05K3/002 , H05K2203/107 , H01L2924/00
摘要： 一种具备多个贯通电极的中介物的制造方法，包含：通过将激光聚光于由硅形成的板状的加工对象物，在加工对象物形成改质区域的激光聚光工序；在激光聚光工序之后，通过对加工对象物实施各向异性蚀刻处理，沿着改质区域使蚀刻选择性地进展，将相对于加工对象物的厚度方向倾斜且其剖面形状为矩形形状的多个贯通孔形成于加工对象物的蚀刻处理工序；在蚀刻处理工序之后，在贯通孔的内壁形成绝缘膜的绝缘膜形成工序；在绝缘膜形成工序之后，通过将导体埋入贯通孔，形成贯通电极的贯通电极形成工序；多个贯通孔从加工对象物的主面看，以在其倾斜方向上排列的贯通孔在倾斜方向的垂直方向上相互不同的方式配置。
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公开(公告)号：CN103026468A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201180036373.9
申请日：2011-07-19
申请人： 浜松光子学株式会社
IPC分类号： H01L21/301 , B23K26/00 , B23K26/04 , B23K26/38
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/7806
摘要： 一种用于制造在基板上形成有功能元件所成的芯片的制造方法，包含：在由硅形成的板状的加工对象物的一个主面形成功能元件的功能元件形成工序；通过使激光聚光于加工对象物，在加工对象物的与一个主面相距对应于基板厚度的规定深度的位置，沿着一个主面形成第1改质区域的第1改质区域形成工序；通过使激光聚光于加工对象物，在加工对象物的一个主面侧，将从一个主面看与基板的侧缘对应而延伸的第2改质区域，以沿着加工对象物的厚度方向而连接于第1改质区域的方式形成的第2改质区域形成工序；以及在第1和第2改质区域形成工序之后，沿着第1和第2改质区域使蚀刻选择性地进展，切下加工对象物的一部分而形成基板的蚀刻工序。
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公开(公告)号：CN102470550A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080029904.7
申请日：2010-07-21
申请人： 浜松光子学株式会社
IPC分类号： B28D5/00 , B23K26/00 , B23K26/38 , B23K26/40 , H01L21/301
CPC分类号： B32B37/06 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , B28D5/00 , B28D5/0011 , B32B38/0004 , H01L21/78 , Y10T29/49002 , Y10T29/49787 , Y10T156/1052
摘要： 由于硅基板(12)的主面成为(100)面，因而以熔融处理区域(13)作为起点而产生的龟裂(17)，向硅基板(12)的劈开方向(与硅基板(12)的主面垂直的方向)伸展。此时，由于加工对象物(1A)的背面(1b)与分断用加工对象物(10A)的表面(10a)通过阳极接合而接合，因而龟裂(17)连续且几乎不改变其方向地，到达加工对象物(1A)的表面(1a)。而且，当使应力产生于分断用加工对象物(10A)时，由于龟裂(17)到达分断用加工对象物(10A)的背面(10b)，因而龟裂(17)容易向加工对象物(1A)侧伸展。
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公开(公告)号：CN100594578C
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200680019795.4
申请日：2006-06-01
申请人： 浜松光子学株式会社
IPC分类号： H01J43/18
CPC分类号： H01J43/18
摘要： 本发明涉及一种光电倍增器，其具有能实现高倍增效率的微细结构。该光电倍增器具备将内部维持在真空的外围器，在规定该外围器的内部空间的内壁面的一部分即器件搭载面(40a)上，配置有反射型光电面即光电面(22)、电子倍增部(31)、阳极(32)、电压分配部(311)。尤其是，电子倍增部由用于对来自光电面的光电子进行级联倍增的多段倍增电极构成，向这些各段倍增电极分别施加相应电压的电压分配部，和电子倍增部一起位于同一平面上。
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