发明授权
CN103025477B 半导体设备的制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 半导体设备的制造方法
- 专利标题(英): Method for manufacturing semiconductor device
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申请号: CN201180036874.7申请日: 2011-07-19
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公开(公告)号: CN103025477B公开(公告)日: 2015-05-06
- 发明人: 下井英树 , 荒木佳祐
- 申请人: 浜松光子学株式会社
- 申请人地址: 日本静冈县
- 专利权人: 浜松光子学株式会社
- 当前专利权人: 浜松光子学株式会社
- 当前专利权人地址: 日本静冈县
- 代理机构: 北京尚诚知识产权代理有限公司
- 代理商 杨琦
- 优先权: 2010-167396 2010.07.26 JP
- 国际申请: PCT/JP2011/066347 2011.07.19
- 国际公布: WO2012/014717 JA 2012.02.02
- 进入国家日期: 2013-01-28
- 主分类号: B23K26/362
- IPC分类号: B23K26/362 ; B23K26/53 ; B23K26/402 ; H01L23/473
摘要:
一种用于制造具有冷却机构(61)的半导体设备(10)的制造方法,包含:通过将激光(L)聚光于由硅所形成的板状的加工对象物(1),从而在加工对象物(1)的内部以沿着改质区域形成预定线(5)延伸的方式形成改质区域(7)的改质区域形成工序;在改质区域形成工序之后,通过对加工对象物(1)实施各向异性蚀刻处理,从而使蚀刻沿着改质区域(7)选择性地进展,将用于流通冷却介质(61)的流路作为冷却机构(61)形成于加工对象物(1)的内部的蚀刻处理工序;及在加工对象物(1)的一个主面侧形成功能元件的功能元件形成工序。
公开/授权文献
- CN103025477A 半导体设备的制造方法 公开/授权日:2013-04-03
IPC分类: