光电倍增管
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101165844A

    公开(公告)日:2008-04-23

    申请号:CN200710162500.5

    申请日:2007-10-16

    Abstract: 本发明涉及一种光电倍增管,所述光电倍增管具有允许大规模生产的结构,实现了响应时间特性的显著改进。该光电倍增管包括电子倍增器部,用于级联倍增从所述光电阴极发射的光电子。该电子倍增器具有保持至少两个倍增电极组同时中间夹入容纳电子倍增器的密封容器的管轴的结构。特别地,分别属于两个倍增电极组的第一倍增电极排列成与各个二次电子发射面相对的它们的背面彼此相对,同时中间夹入管轴。在该排列中,因为各个第一倍增电极本身位于管轴附近,收集到达第一倍增电极外围的光电子的效率得到了显著提高。

    光电子倍增器
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101208768B

    公开(公告)日:2010-10-13

    申请号:CN200680019274.9

    申请日:2006-06-01

    CPC classification number: H01J43/06

    Abstract: 本发明涉及具有实现稳定的检测精度的细微结构的光电子倍增器。该光电子倍增器具内部被维持为真空的外围器,在该外围器内,配置有光电面(22)、电子倍增部(311)以及阳极(32)。特别地,配置于包围电子倍增部以及阳极的外围器的内部空间中的一个或一个以上的控制电极(320),通过从电子倍增部的电子放出端延伸的一个或一个以上的连接部而电连接。在该结构中,通过将施加于电子倍增部的电子入射端与电子放出端之间的电压施加于电子入射端与控制电极之间,在电子倍增部,形成从光电面侧朝向阳极侧逐渐增加的电位梯度,同时使该电子倍增部的电子放出端与阳极之间具有足够的电位差,可以得到稳定的检测精度。

    光电子倍增器
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101208768A

    公开(公告)日:2008-06-25

    申请号:CN200680019274.9

    申请日:2006-06-01

    CPC classification number: H01J43/06

    Abstract: 本发明涉及具有实现稳定的检测精度的细微结构的光电子倍增器。该光电子倍增器具内部被维持为真空的外围器,在该外围器内,配置有光电面(22)、电子倍增部(311)以及阳极(32)。特别地,配置于包围电子倍增部以及阳极的外围器的内部空间中的一个或一个以上的控制电极(320),通过从电子倍增部的电子放出端延伸的一个或一个以上的连接部而电连接。在该结构中,通过将施加于电子倍增部的电子入射端与电子放出端之间的电压施加于电子入射端与控制电极之间,在电子倍增部,形成从光电面侧朝向阳极侧逐渐增加的电位梯度,同时使该电子倍增部的电子放出端与阳极之间具有足够的电位差,可以得到稳定的检测精度。

    光电倍增器
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101189700A

    公开(公告)日:2008-05-28

    申请号:CN200680019795.4

    申请日:2006-06-01

    CPC classification number: H01J43/18

    Abstract: 本发明涉及一种光电倍增器,其具有能实现高倍增效率的微细结构。该光电倍增器具备将内部维持在真空的外围器,在规定该外围器的内部空间的内壁面的一部分即器件搭载面(40a)上,配置有反射型光电面即光电面(22)、电子倍增部(31)、阳极(32)、电压分配部(311)。尤其是,电子倍增部由用于对来自光电面的光电子进行级联倍增的多段倍增电极构成,向这些各段倍增电极分别施加相应电压的电压分配部,和电子倍增部一起位于同一平面上。

    光电倍增管
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101385115B

    公开(公告)日:2010-05-19

    申请号:CN200680011024.0

    申请日:2006-02-17

    CPC classification number: H01J43/06

    Abstract: 本发明涉及一种光电倍增管,该光电倍增管具有能够实现高增益并满足较高需求性质的结构。在该光电倍增管中,容纳在密封容器内的电子倍增单元包括聚焦电极、加速电极、倍增电极单元、和阳极。具体地说,至少加速电极和倍增电极单元在包括在倍增电极单元内的第一级倍增电极和第二级倍增电极不经由导电材料而与加速电极直接相对的状态下,被共同保持。在加速电极和倍增电极之间没有放置直接支持倍增电极的电位设定成与第一级倍增电极相同的现有的金属盘;因此,当电子从阴极经由第一级倍增电极到达第二级倍增电极时,可以极大地减少电子的渡越时间的变化。

    光电倍增器
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101189701B

    公开(公告)日:2010-04-21

    申请号:CN200680019794.X

    申请日:2006-06-01

    CPC classification number: H01J43/24

    Abstract: 本发明涉及一种光电倍增器,其具有能有效地抑制电子倍增通道间的串扰,实现高检测精度的微细结构。该光电倍增器具有将内部维持在真空的外围器,在该外围器内配置有光电面(22)、电子倍增部(311)、阳极(32)。电子倍增部作为电子倍增通道具有用于对光电子进行级联倍增的沟部,阳极由分别与以壁部规定的沟部相对应的通道电极构成。特别是各通道电极(320),其一部分被配置在被规定相应沟部的一对壁部夹着的空间内。

    光电倍增器
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101189701A

    公开(公告)日:2008-05-28

    申请号:CN200680019794.X

    申请日:2006-06-01

    CPC classification number: H01J43/24

    Abstract: 本发明涉及一种光电倍增器,其具有能有效地抑制电子倍增通道间的串扰,实现高检测精度的微细结构。该光电倍增器具有将内部维持在真空的外围器,在该外围器内配置有光电面(22)、电子倍增部(311)、阳极(32)。电子倍增部作为电子倍增通道具有用于对光电子进行级联倍增的沟部,阳极由分别与以壁部规定的沟部相对应的通道电极构成。特别是各通道电极(320),其一部分被配置在被规定相应沟部的一对壁部夹着的空间内。

    光电倍增器
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100594578C

    公开(公告)日:2010-03-17

    申请号:CN200680019795.4

    申请日:2006-06-01

    CPC classification number: H01J43/18

    Abstract: 本发明涉及一种光电倍增器,其具有能实现高倍增效率的微细结构。该光电倍增器具备将内部维持在真空的外围器,在规定该外围器的内部空间的内壁面的一部分即器件搭载面(40a)上,配置有反射型光电面即光电面(22)、电子倍增部(31)、阳极(32)、电压分配部(311)。尤其是,电子倍增部由用于对来自光电面的光电子进行级联倍增的多段倍增电极构成,向这些各段倍增电极分别施加相应电压的电压分配部,和电子倍增部一起位于同一平面上。

    光电倍增管
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101385115A

    公开(公告)日:2009-03-11

    申请号:CN200680011024.0

    申请日:2006-02-17

    CPC classification number: H01J43/06

    Abstract: 本发明涉及一种光电倍增管,该光电倍增管具有能够实现高增益并满足较高需求性质的结构。在该光电倍增管中,容纳在密封容器内的电子倍增单元包括聚焦电极、加速电极、倍增电极单元、和阳极。具体地说,至少加速电极和倍增电极单元在包括在倍增电极单元内的第一级倍增电极和第二级倍增电极不经由导电材料而与加速电极直接相对的状态下,被共同保持。在加速电极和倍增电极之间没有放置直接支持倍增电极的电位设定成与第一级倍增电极相同的现有的金属盘;因此,当电子从阴极经由第一级倍增电极到达第二级倍增电极时,可以极大地减少电子的渡越时间的变化。

    光电倍增管
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101165845A

    公开(公告)日:2008-04-23

    申请号:CN200710162497.7

    申请日:2007-10-16

    Abstract: 本发明涉及一种光电倍增管,这种光电倍增管通过一种能大量生产的结构实现显著提高响应时间特性。这种光电倍增管包括密封容器,并且这个密封容器包括沿管轴延伸的中空体部分和面板。这个面板具有光入射表面和在其上形成有光电阴极的光发射表面。特别地,光发射表面包括平坦区域和位于平坦区域的外围并包括光发射表面的边缘的加工成曲面的区域。为了调整位于所述外围区域的光电阴极发射光电子的发射角度,有意改变面板光发射表面的外围区域的表面形状。因此,从光电阴极传送到第一倍增电极的光电子的渡越时间离散被有效地减少并且使其不依赖于光电子的发射位置。

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