公开(公告)号：CN109314049A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201780031354.4

申请日：2017-06-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大野克巳 ,  平野兼史 ,  根岸将人 ,  铃木正人 ,  吉野达郎

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/53

Abstract: 半导体装置的制造方法包含：准备包含第1半导体层和第2半导体层的半导体基板的步骤和从第1半导体层侧对半导体基板照射激光从而将半导体基板切片为半导体芯片的步骤。第1半导体层包含对激光透明的半导体材料。第2半导体层包含对激光不透明的半导体材料。关于激光，照射使第1半导体层的半导体材料变化为对激光不透明的强度的激光。

公开(公告)号：CN107636805A

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201680032946.3

申请日：2016-06-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 平野兼史 ,  大野克巳

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/073 ,  B23K26/364

CPC classification number: B23K26/38 ,  B23K26/0643 ,  B23K26/0648 ,  B23K26/0736 ,  B23K26/359 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/268 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68327

Abstract: 本发明的半导体元件的制造方法通过使激光(21)的聚光光点形状成为椭圆、使激光(21)聚光到半导体基板(10)与固定用薄片(14)的界面(15)的预定分离线(12a)上而进行照射，使得在界面(15)产生蒸发压力，使初始裂纹(13a)延伸。此时，将聚光光点形状的椭圆的长轴设为沿着预定分离线(12a)的方向且使该椭圆的半长轴a成为热扩散长度Lt以上，从而能够提高椭圆的长轴方向的裂纹延伸效果。由此，能够减小激光(21)的能量，能够降低对半导体基板(10)的元件区域(11)的热损伤和碎屑，并且能够稳定地得到平坦性良好的分离面。

公开(公告)号：CN107636805B

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN201680032946.3

申请日：2016-06-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 平野兼史 ,  大野克巳

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/073 ,  B23K26/364

Abstract: 本发明的半导体元件的制造方法通过使激光(21)的聚光光点形状成为椭圆、使激光(21)聚光到半导体基板(10)与作为蒸发压力封闭薄片的固定用薄片(14)的界面(15)的预定分离线(12a)上而进行照射，将由于照射而产生的蒸发压力封闭在半导体基板(10)与固定用薄片(14)之间来作为针对半导体基板(10)的弯曲力发挥作用，使初始裂纹(13a)延伸。由此，能够减小激光(21)的能量，能够降低对半导体基板(10)的元件区域(11)的热损伤和碎屑，并且能够稳定地得到平坦性良好的分离面。