公开(公告)号：CN111902913B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN201880091772.7

申请日：2018-03-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉野达郎 ,  铃木正人 ,  根岸将人 ,  吉川兼司

IPC: H01L21/301 ,  H01S5/02

Abstract: 特征在于，具有下述步骤：在形成了放射出光的有源区域的基板的背面设置第1电极和第2电极，将由比该基板脆性小的材料形成的层叠物设置为在该第1电极和该第2电极之间的区域的一部分位于该有源区域的正下方；以及在使该层叠物位于该有源区域的正上方的状态下，通过将该基板与该层叠物一起进行解理而使出现了该有源区域的平面露出。

公开(公告)号：CN102623412A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210020283.7

申请日：2012-01-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 根岸将人

IPC: H01L23/00 ,  H01S5/02

CPC classification number: H01S5/0202 ,  H01S5/0014 ,  H01S2301/176

Abstract: 本发明提供一种能够利用划线形成良好的裂纹的半导体晶片、半导体条、半导体晶片的制造方法、半导体条的制造方法以及半导体元件的制造方法。使用半导体晶片的外延生长层在该半导体晶片的面方向排列形成有多个光半导体元件(具体地说，半导体激光器)。InGaAs外延层具有在多个光半导体元件之间连续地设置并且使该InGaAs外延层之下的层至少相对于该InGaAs外延层之上的层露出的部分(具体地说，开口部或者槽)。沿着该部分进行划线，由此，能够形成垂直发展的裂纹。

公开(公告)号：CN103151308B

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201210514862.7

申请日：2012-12-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大野克巳 ,  根岸将人 ,  铃木正人

IPC: H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01S5/0202

Abstract: 本发明得到一种能够减少解理从期望的解理线的偏离的半导体装置的制造方法。在半导体衬底（1）的表面，在期望的解理线（5）上形成起点裂纹（6），沿着期望的解理线（5）断续地形成多个预备裂纹（7a、7b）。沿着期望的解理线（5）从起点裂纹（6）起通过多个预备裂纹（7a、7b）对半导体衬底（1）进行解理。各个预备裂纹（7a、7b）具有随着在解理的进行方向上行进而从期望的解理线（5）的外侧向期望的解理线（5）汇合的裂纹。

公开(公告)号：CN103151308A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201210514862.7

申请日：2012-12-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大野克巳 ,  根岸将人 ,  铃木正人

IPC: H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01S5/0202

Abstract: 本发明得到一种能够减少解理从期望的解理线的偏离的半导体装置的制造方法。在半导体衬底（1）的表面，在期望的解理线（5）上形成起点裂纹（6），沿着期望的解理线（5）断续地形成多个预备裂纹（7a、7b）。沿着期望的解理线（5）从起点裂纹（6）起通过多个预备裂纹（7a、7b）对半导体衬底（1）进行解理。各个预备裂纹（7a、7b）具有随着在解理的进行方向上行进而从期望的解理线（5）的外侧向期望的解理线（5）汇合的裂纹。

公开(公告)号：CN111952235B

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202010397149.3

申请日：2020-05-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 根岸将人 ,  吉田一男

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及半导体制造装置及半导体装置的制造方法。提供如下半导体制造装置，即，在拾取半导体片时，将粘接带从半导体片的四角均等地剥离，不会引起半导体片的位置偏移或胶带破裂，能够稳定地拾取半导体片。使用在上表面存在平坦部、在四角存在形状为凹状的凹部的针(1)，进行粘贴于粘接带(2)的半导体片(4)的推起，均等地产生半导体片(4)的四角的粘接带的剥离而进行拾取。

公开(公告)号：CN114424415B

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202080066063.0

申请日：2020-03-06

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 根岸将人

IPC: H01S5/02345 ,  H01S5/02315 ,  H01L27/144 ,  H01L27/15 ,  H01L33/64 ,  H01S5/024

Abstract: 具备在表面形成有扩散接合层(23b)的安装部件(22)，设置有发光部(21b)且在背面形成有扩散接合层(23a)的光半导体元件(21)，以及通过扩散接合层(23b)与扩散接合层(23a)的扩散接合而形成的电极层(23)，光半导体元件(21)的发光部(21b)在光半导体元件(21)的侧面设置在靠近安装部件(22)的位置，不需要使用焊料以及Ag膏等，不仅防止在光半导体元件的发光部中由焊料引起的污染，还使发光部进一步接近安装部件侧，而实现散热特性的提高。

公开(公告)号：CN111952235A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010397149.3

申请日：2020-05-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 根岸将人 ,  吉田一男

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及半导体制造装置及半导体装置的制造方法。提供如下半导体制造装置，即，在拾取半导体片时，将粘接带从半导体片的四角均等地剥离，不会引起半导体片的位置偏移或胶带破裂，能够稳定地拾取半导体片。使用在上表面存在平坦部、在四角存在形状为凹状的凹部的针(1)，进行粘贴于粘接带(2)的半导体片(4)的推起，均等地产生半导体片(4)的四角的粘接带的剥离而进行拾取。

公开(公告)号：CN111902913A

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN201880091772.7

申请日：2018-03-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉野达郎 ,  铃木正人 ,  根岸将人 ,  吉川兼司

IPC: H01L21/301 ,  H01S5/02

Abstract: 特征在于，具有下述步骤：在形成了放射出光的有源区域的基板的背面设置第1电极和第2电极，将由比该基板脆性小的材料形成的层叠物设置为在该第1电极和该第2电极之间的区域的一部分位于该有源区域的正下方；以及在使该层叠物位于该有源区域的正上方的状态下，通过将该基板与该层叠物一起进行解理而使出现了该有源区域的平面露出。

公开(公告)号：CN110546832A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201880025305.4

申请日：2018-04-10

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉川兼司 ,  根岸将人 ,  铃木正人 ,  吉野达郎

IPC: H01S5/02 ,  H01L21/301

Abstract: 半导体器件(12)的制造方法具备：在晶片(11)的主面(11a)的第一区域(15)形成多个半导体器件(12)的工序；在主面(11a)的与第一区域(15)不同的第二区域(16)形成多个切开起点部(20a-20g)的工序；以及从多个切开起点部(20a-20g)中的相对难以切开的切开起点部(20d)起按顺序以多个切开起点部(20a-20g)为起点切开晶片(11)的工序。形成多个切开起点部(20a-20g)的工序包括：通过对第二区域(16)的一部分进行刻蚀而形成多个第一槽(20a-20g)。因此，能够使半导体器件的出产率和制造效率提高。

公开(公告)号：CN105103278B

公开(公告)日：2018-11-27

申请号：CN201380075504.3

申请日：2013-10-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉田一男 ,  根岸将人

IPC: H01L21/52 ,  H01L21/301

Abstract: 本发明所涉及的半导体装置的特征在于，具备：安装基板；粘接剂，其涂敷于该安装基板；以及器件，其利用该粘接剂将下表面与该安装基板粘接，该器件的侧面上部与该器件的侧面下部相比表面粗糙度较小。