公开(公告)号：CN116235373B

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202080103096.8

申请日：2020-11-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 铃木正人 ,  楠政谕

IPC: H01S5/028

Abstract: 本发明的激光二极管条的端面成膜方法，在以隔着板的开口的方式设置于该板的上表面的突起处交替地排列多个激光二极管条和多个虚设条，将该突起作为基准位置，整齐排列有该多个激光二极管条和该多个虚设条，并且该多个激光二极管条的端面相对于该多个虚设条向上方突出。接着，在该多个激光二极管条中的相对于该多个虚设条突出的部分形成绝缘膜。

公开(公告)号：CN111508868A

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN202010075384.9

申请日：2020-01-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 铃木正人 ,  吉野达郎

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明涉及半导体基板的分离方法及分离用夹具。促进已通过解理而成为条形棒排列起来的状态的半导体基板分离为多个条形棒。准备已通过解理而成为条形棒排列起来的状态的半导体基板。将半导体基板设置于两个夹具之间，以在条形棒的长度方向上相对的方式配置这两个夹具。两个夹具都具有每隔一个条形棒地与条形棒对应的接触部，该两个夹具配置为各自的接触部交替地与相邻的条形棒对应。通过缩短两个夹具的距离而按压条形棒，使相邻的条形棒彼此的位置错开，从而能够促进分离为条形棒。

公开(公告)号：CN103151308B

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201210514862.7

申请日：2012-12-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大野克巳 ,  根岸将人 ,  铃木正人

IPC: H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01S5/0202

Abstract: 本发明得到一种能够减少解理从期望的解理线的偏离的半导体装置的制造方法。在半导体衬底（1）的表面，在期望的解理线（5）上形成起点裂纹（6），沿着期望的解理线（5）断续地形成多个预备裂纹（7a、7b）。沿着期望的解理线（5）从起点裂纹（6）起通过多个预备裂纹（7a、7b）对半导体衬底（1）进行解理。各个预备裂纹（7a、7b）具有随着在解理的进行方向上行进而从期望的解理线（5）的外侧向期望的解理线（5）汇合的裂纹。

公开(公告)号：CN103151308A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201210514862.7

申请日：2012-12-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大野克巳 ,  根岸将人 ,  铃木正人

IPC: H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01S5/0202

Abstract: 本发明得到一种能够减少解理从期望的解理线的偏离的半导体装置的制造方法。在半导体衬底（1）的表面，在期望的解理线（5）上形成起点裂纹（6），沿着期望的解理线（5）断续地形成多个预备裂纹（7a、7b）。沿着期望的解理线（5）从起点裂纹（6）起通过多个预备裂纹（7a、7b）对半导体衬底（1）进行解理。各个预备裂纹（7a、7b）具有随着在解理的进行方向上行进而从期望的解理线（5）的外侧向期望的解理线（5）汇合的裂纹。

公开(公告)号：CN116235373A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202080103096.8

申请日：2020-11-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 铃木正人 ,  楠政谕

IPC: H01S5/028

Abstract: 本发明的激光二极管条的端面成膜方法，在以隔着板的开口的方式设置于该板的上表面的突起处交替地排列多个激光二极管条和多个虚设条，将该突起作为基准位置，整齐排列有该多个激光二极管条和该多个虚设条，并且该多个激光二极管条的端面相对于该多个虚设条向上方突出。接着，在该多个激光二极管条中的相对于该多个虚设条突出的部分形成绝缘膜。

公开(公告)号：CN110546832B

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN201880025305.4

申请日：2018-04-10

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉川兼司 ,  根岸将人 ,  铃木正人 ,  吉野达郎

IPC: H01S5/02 ,  H01L21/301

Abstract: 半导体器件(12)的制造方法具备：在晶片(11)的主面(11a)的第一区域(15)形成多个半导体器件(12)的工序；在主面(11a)的与第一区域(15)不同的第二区域(16)形成多个切开起点部(20a‑20g)的工序；以及从多个切开起点部(20a‑20g)中的相对难以切开的切开起点部(20d)起按顺序以多个切开起点部(20a‑20g)为起点切开晶片(11)的工序。形成多个切开起点部(20a‑20g)的工序包括：通过对第二区域(16)的一部分进行刻蚀而形成多个第一槽(20a‑20g)。因此，能够使半导体器件的出产率和制造效率提高。

公开(公告)号：CN110476308B

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN201780089134.7

申请日：2017-04-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉野达郎 ,  铃木正人 ,  根岸将人 ,  吉川兼司

IPC: H01S5/02

Abstract: 特征在于，具备以下工序：在晶片形成多个具有有源区域的半导体元件；在该晶片的上表面侧形成多个劈开槽；以及将该晶片从该晶片的上表面侧劈开，使多个该有源区域和通过多个该劈开槽形成的台阶在剖面露出，该有源区域设置于将从该劈开槽的底至该晶片的下表面的距离作为半径、将该劈开槽的劈开行进方向侧的端部正下方的该晶片的下表面作为中心的半圆内。

公开(公告)号：CN110476308A

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201780089134.7

申请日：2017-04-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉野达郎 ,  铃木正人 ,  根岸将人 ,  吉川兼司

IPC: H01S5/02

Abstract: 特征在于，具备以下工序：在晶片形成多个具有有源区域的半导体元件；在该晶片的上表面侧形成多个劈开槽；以及将该晶片从该晶片的上表面侧劈开，使多个该有源区域和通过多个该劈开槽形成的台阶在剖面露出，该有源区域设置于将从该劈开槽的底至该晶片的下表面的距离作为半径、将该劈开槽的劈开行进方向侧的端部正下方的该晶片的下表面作为中心的半圆内。

公开(公告)号：CN109314049A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201780031354.4

申请日：2017-06-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大野克巳 ,  平野兼史 ,  根岸将人 ,  铃木正人 ,  吉野达郎

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/53

Abstract: 半导体装置的制造方法包含：准备包含第1半导体层和第2半导体层的半导体基板的步骤和从第1半导体层侧对半导体基板照射激光从而将半导体基板切片为半导体芯片的步骤。第1半导体层包含对激光透明的半导体材料。第2半导体层包含对激光不透明的半导体材料。关于激光，照射使第1半导体层的半导体材料变化为对激光不透明的强度的激光。

公开(公告)号：CN107851563A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680039593.X

申请日：2016-07-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉川兼司 ,  铃木正人

IPC: H01L21/301 ,  B28D5/00

CPC classification number: H01L33/005 ,  B28D5/0011 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  H01L23/562 ,  H01L2933/0033

Abstract: 半导体元件(12)的制造方法具备：在晶片(11)的主面中形成多个半导体元件(12)；形成配置到分割基准线上的多个劈开槽群(20)；以及沿着分割基准线(14)将晶片(11)劈开，而使多个半导体元件(12)相互分离。针对多个半导体元件(12)中的、相互相邻的4个半导体元件(12)，配置多个劈开槽群(20)的至少1个。多个劈开槽群(20)分别包括在分割基准线(14)上配置的多个劈开槽(21、22、23)。由此，能够提高半导体元件(12)的制造成品率。