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公开(公告)号：CN101488641A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910002454.1
申请日：2009-01-16
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/028
CPC classification number: H01S5/32341 , H01S5/028
Abstract: 本发明得到将镀膜的反射率设定在3～13％的范围内，并防止镀膜剥离，且可确保半导体激光器的可靠性的半导体激光器。在射出激光的前端面形成了镀膜的GaN类的半导体激光器中，镀膜包括与前端面相接的第一绝缘膜和形成在第一绝缘膜上的第二绝缘膜，对于半导体激光器的激光波长λ，第二绝缘膜的光学膜厚为λ/4的奇数倍，第一绝缘膜对GaN的密合性强于第二绝缘膜，第二绝缘膜的折射率为2～2.3，第一绝缘膜的膜厚为10nm以下，第一绝缘膜为化学计量成分的氧化膜。
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公开(公告)号：CN111937257A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201880091961.4
申请日：2018-04-03
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/022
Abstract: 具有以下工序：准备载体；将具有发光条带区域和相邻区域的激光芯片搭载于焊料之上，使该激光芯片位于该第1端面的正上方和该第2端面的正上方；以及使加热后的该焊料在其浸润扩展由于该毛刺而受到限制的同时，在该第1端面或者该第2端面的方向浸润扩展而形成延伸部，该延伸部将该激光芯片与该阻挡层直接连接，该载体具有：载体基板，其具有第1端面和第2端面；电极层，其设置于该载体基板之上；阻挡层，其设置于该电极层之上，在俯视观察时仅达到至该载体基板的端面中的该第1端面或者该第2端面的至少一者；毛刺，其位于该阻挡层的侧面，比该阻挡层高；以及该焊料，其在该阻挡层之上，在俯视观察时从该载体基板的全部端面退后地设置。
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公开(公告)号：CN101527427B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200910126180.7
申请日：2009-03-05
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/3063
Abstract: 本发明提供一种半导体光元件的制造方法，该方法可以通过简单的步骤防止波导脊顶部的半导体层和电极的接触面积的减少，并可以防止波导脊顶部的半导体层因蚀刻而受到损伤。该方法包括如下步骤：以抗蚀剂作为掩模对第二半导体层进行蚀刻，直至蚀刻到第二半导体层中途，从而形成在底部残留有第二半导体层的凹部以及与该凹部相邻的波导脊；在残留有抗蚀剂的状态下，在波导脊和凹部上形成绝缘膜；利用形成在抗蚀剂上的绝缘膜和形成在凹部上的绝缘膜的蚀刻速度的不同，除去形成在抗蚀剂上的绝缘膜使抗蚀剂露出，但同时保留形成在凹部上的绝缘膜；除去露出的抗蚀剂；除去抗蚀剂之后，在波导脊顶部形成电极。
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公开(公告)号：CN101826585A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN201010142157.X
申请日：2010-03-01
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L33/36
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/3409
Abstract: 本发明涉及半导体发光元件及其制造方法。在n型GaN衬底(10)(半导体衬底)上设置有半导体层(12)。半导体层(12)具有活性层(26)，并形成有波导脊(40)。p侧电极(44)(电极)接触于波导脊(40)的顶部的整个面。SiO2膜(46)(绝缘膜)覆盖波导脊(40)的侧面、p侧电极(44)的侧面、以及p侧电极(44)的上表面的两端部分，不覆盖p侧电极(44)的上表面的中央部分。由此，能够降低工作电压，并防止电极剥落。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116171517A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202080104305.0
申请日：2020-09-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/028
Abstract: 本发明的虚设条在将绝缘膜在激光二极管条(30)的前端面(32)以及后端面(34)成膜时使用，具备：主体部(12)，其具有板形状并具有与长度方向垂直并相互对置的一对侧面(14)、和与一对侧面垂直并且与板形状的厚度方向平行并相互对置的上表面(16)及下表面(18)，主体部的长度方向的长度与激光二极管条(30)的长度方向的长度相同；和把手部(20)，其在一对侧面(14)中设置于离开下表面(18)的位置。
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公开(公告)号：CN111937257B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201880091961.4
申请日：2018-04-03
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/022
Abstract: 具有以下工序：准备载体；将具有发光条带区域和相邻区域的激光芯片搭载于焊料之上，使该激光芯片位于该第1端面的正上方和该第2端面的正上方；以及使加热后的该焊料在其浸润扩展由于该毛刺而受到限制的同时，在该第1端面或者该第2端面的方向浸润扩展而形成延伸部，该延伸部将该激光芯片与该阻挡层直接连接，该载体具有：载体基板，其具有第1端面和第2端面；电极层，其设置于该载体基板之上；阻挡层，其设置于该电极层之上，在俯视观察时仅达到至该载体基板的端面中的该第1端面或者该第2端面的至少一者；毛刺，其位于该阻挡层的侧面，比该阻挡层高；以及该焊料，其在该阻挡层之上，在俯视观察时从该载体基板的全部端面退后地设置。
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公开(公告)号：CN102214895A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110085019.7
申请日：2011-04-06
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/0224 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/32507 , H01L2224/83385 , H01L2924/01322 , H01S5/0202 , H01S5/02272 , H01S5/32341
Abstract: 本发明涉及能够确保高的散热性并且提高成品率的半导体装置及其制造方法。半导体激光器（1）以结向下方式隔着焊料（11）安装在副固定件（12）上。半导体激光器（1）具有：n型GaN衬底（2）；半导体层叠结构（3），形成在n型GaN衬底（2）上并含有pn结；电极（8），形成在半导体层叠结构（3）上。电极（8）隔着焊料（11）接合在副固定件（12）上。在副固定件（12）和半导体层叠结构（3）之间，以包围电极（8）的周围的方式配置有高熔点金属膜（10）。
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公开(公告)号：CN102136678A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010502122.2
申请日：2010-09-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/20
CPC classification number: H01S5/0202 , H01S5/0203 , H01S5/32341
Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。通过在n型GaN衬底(10)上形成半导体层叠结构(12)，从而形成具有多个半导体激光器(14)的晶片(16)。接着，在半导体激光器(14)间的分离区域(18)中，在晶片(16)的主面形成第1槽部(22)。接着，将晶片(16)分离为半导体激光器14排列为棒状的激光棒(26)。接着，在激光棒(26)的第1槽部(22)内，形成具有与第1槽部(22)相同或较窄的宽度的第2槽部(30)。接着，沿着第2槽部(30)将激光棒(26)分离为各个半导体激光器(14)。
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