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公开(公告)号：CN1543026A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN200410031302.1
申请日：2004-03-26
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/028 , H01S5/0287
Abstract: 低反射膜从与激光器芯片接触的一侧开始依次由折射率为n1及膜厚为d1的第1介质膜、折射率为n2及膜厚为d2的第2介质膜、折射率为n3及膜厚为d3的第3介质膜、折射率为n4及膜厚为d4的第4介质膜形成，具体地，第1介质膜上使用折射率n1＝1.638的氧化铝Al2O3、在第2介质膜及第4介质膜上使用折射率n2＝n4＝1.489的氧化硅SiO2、在第3介质膜上使用折射率n3＝2.063的氧化钽Ta2O5。从而，能够获得具有可稳定控制的反射率的半导体激光器。
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公开(公告)号：CN105891974A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610353201.9
申请日：2010-08-18
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02B6/42
CPC classification number: G02B6/4201 , G02B6/4256 , G02B6/4296 , G02B7/02 , H01S5/02212 , H01S5/0222 , H01S5/02284 , H01S5/02288 , H01S5/4012 , Y10T83/0453
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种光源装置及其制造方法。该光源装置具有半导体激光器(LD)、LED、灯等的发光源、以及透镜、光纤等的传送、转印、会聚等的光学部件，将装置内的硫酸根离子量保持在低水准，由此，能够防止硫酸铵附着于光学部件。光源装置具有：光源，其出射光；光学部件，其对从光源出射的光进行处理；以及框体，其收纳光学部件或者安装光学部件，通过切削不含硫成分的材料来形成框体，所述材料露出于表面。
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公开(公告)号：CN101488641A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910002454.1
申请日：2009-01-16
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/028
CPC classification number: H01S5/32341 , H01S5/028
Abstract: 本发明得到将镀膜的反射率设定在3～13％的范围内，并防止镀膜剥离，且可确保半导体激光器的可靠性的半导体激光器。在射出激光的前端面形成了镀膜的GaN类的半导体激光器中，镀膜包括与前端面相接的第一绝缘膜和形成在第一绝缘膜上的第二绝缘膜，对于半导体激光器的激光波长λ，第二绝缘膜的光学膜厚为λ/4的奇数倍，第一绝缘膜对GaN的密合性强于第二绝缘膜，第二绝缘膜的折射率为2～2.3，第一绝缘膜的膜厚为10nm以下，第一绝缘膜为化学计量成分的氧化膜。
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公开(公告)号：CN1303732C
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200410031302.1
申请日：2004-03-26
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/028
CPC classification number: H01S5/028 , H01S5/0287
Abstract: 低反射膜从与激光器芯片接触的一侧开始依次由折射率为n1及膜厚为d1的第1介质膜、折射率为n2及膜厚为d2的第2介质膜、折射率为n3及膜厚为d3的第3介质膜、折射率为n4及膜厚为d4的第4介质膜形成，具体地，第1介质膜上使用折射率n1＝1.638的氧化铝Al2O3、在第2介质膜及第4介质膜上使用折射率n2＝n4＝1.489的氧化硅SiO2、在第3介质膜上使用折射率n3＝2.063的氧化钽Ta2O5。从而，能够获得具有可稳定控制的反射率的半导体激光器。
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公开(公告)号：CN101494358A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200910002480.4
申请日：2009-01-22
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/028
CPC classification number: H01S5/32341 , H01S5/028
Abstract: 本发明得到将镀膜的反射率设定在3～13％的范围内，并防止镀膜剥离，且可确保半导体激光器的可靠性的半导体激光器。在射出激光的前端面形成了镀膜的GaN类的半导体激光器中，镀膜包括与前端面相接的第一绝缘膜和形成在第一绝缘膜上的第二绝缘膜，对于半导体激光器的激光波长λ，第一绝缘膜和第二绝缘膜的光学膜厚之和为λ/4的奇数倍，第一绝缘膜对GaN的密合性强于第二绝缘膜，第一绝缘膜的折射率为1.9以下，第二绝缘膜的折射率为2～2.3。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101465518A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200810183988.4
申请日：2008-12-19
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/02212 , H01S5/0222 , H01S5/02224 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/0287 , H01S5/2201 , H01S5/3211
Abstract: 本发明提供减小在谐振器端面上形成的氮化物电介质膜的应力，并减少在形成氮化物电介质膜时产生的对谐振器端面的损伤的、可靠性高的氮化物半导体激光器的制造方法。本发明的氮化物半导体激光器的制造方法，是采用氮化物III－V族半导体的氮化物半导体激光器的制造方法，其特征在于包括：(a)利用由氮气组成的等离子体，在光出射侧谐振器端面(20)和光反射侧谐振器端面(23)上形成由氮化物电介质构成的密着层(21、24)的工序；以及(b)在密着层(21、24)上形成由电介质构成的低反射端面镀膜(22)和高反射端面镀膜(25)的工序。
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公开(公告)号：CN101257187A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810081373.0
申请日：2008-02-25
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/32341
Abstract: 本发明提供一种即使用于构成在半导体激光器端面上形成的反射膜的电介质膜的膜厚和折射率发生变动也能够稳定地控制反射率的半导体激光装置。半导体激光装置具备折射率小于等于3.5的GaN基板(1)和层叠在基板(1)上的半导体层，同时，在与层叠方向垂直的方向上具有一对相向的共振器端面。一个共振器端面上设置有低反射膜(6)，低反射膜(6)由第1电介质膜(8)、第2电介质膜(9)、第3电介质膜(10)和第4电介质膜(11)构成。如果将它们的折射率表示为n1、n2、n3、n4，则其满足n1＝n3、n2＝n4的关系。另外，在第1电介质膜(8)及第3电介质膜(10)、第2电介质膜(9)及第4电介质膜(11)之间，nd+n’d’＝pλ/4(p：整数，λ：激光的振荡波长)的关系成立。
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公开(公告)号：CN1292522C
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200410034700.9
申请日：2004-04-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/028
CPC classification number: H01S5/028 , H01S5/0287
Abstract: 半导体激光器装置，在至少一个激光器芯片的光出射面上，形成了反射率大于等于83%的电介质多层膜，电介质多层膜包含由氧化钽(Ta2O5)构成的电介质薄膜、以及由氧化铝(Al2O3)、氧化硅(Si)等电介质氧化物构成的其它电介质薄膜。氧化钽的光吸收系数小于硅(Si)膜，由于伴随着发光的热稳定性比氧化钛(TiO2)膜优秀，因此能够大幅改善COD恶化。
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公开(公告)号：CN1819378A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200610055079.3
申请日：2004-03-26
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/028 , H01S5/0287
Abstract: 低反射膜从与激光器芯片接触的一侧开始依次由折射率为n1及膜厚为d1的第1介质膜、折射率为n2及膜厚为d2的第2介质膜、折射率为n3及膜厚为d3的第3介质膜、折射率为n4及膜厚为d4的第4介质膜形成，具体地，第1介质膜上使用折射率n1＝1.638的氧化铝Al2O3、在第2介质膜及第4介质膜上使用折射率n2＝n4＝1.489的氧化硅SiO2、在第3介质膜上使用折射率n3＝2.063的氧化钽Ta2O5。从而，能够获得具有可稳定控制的反射率的半导体激光器。
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公开(公告)号：CN1540820A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN200410034700.9
申请日：2004-04-23
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/028 , H01S5/0287
Abstract: 半导体激光器装置，在至少一个激光器芯片的光出射面上，形成了反射率大于等于40％的电介质多层膜，电介质多层膜包含由氧化钽(Ta2O5)构成的电介质薄膜、以及由氧化铝(Al2O3)、氧化硅(Si)等电介质氧化物构成的其它电介质薄膜。氧化钽的光吸收系数小于硅(Si)膜，由于伴随着发光的热稳定性比氧化钛(TiO2)膜优秀，因此能够大幅改善COD恶化。
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