公开(公告)号：CN101465518A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200810183988.4

申请日：2008-12-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 铃木洋介 ,  中川康幸 ,  臧本恭介 ,  白滨武郎

IPC: H01S5/028 ,  H01S5/10 ,  H01S5/223

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/0222 ,  H01S5/02224 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3211

Abstract: 本发明提供减小在谐振器端面上形成的氮化物电介质膜的应力，并减少在形成氮化物电介质膜时产生的对谐振器端面的损伤的、可靠性高的氮化物半导体激光器的制造方法。本发明的氮化物半导体激光器的制造方法，是采用氮化物III－V族半导体的氮化物半导体激光器的制造方法，其特征在于包括：(a)利用由氮气组成的等离子体，在光出射侧谐振器端面(20)和光反射侧谐振器端面(23)上形成由氮化物电介质构成的密着层(21、24)的工序；以及(b)在密着层(21、24)上形成由电介质构成的低反射端面镀膜(22)和高反射端面镀膜(25)的工序。

公开(公告)号：CN101488641A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200910002454.1

申请日：2009-01-16

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中川康幸 ,  西口晴美 ,  蔵本恭介 ,  楠政谕 ,  白滨武郎 ,  铃木洋介 ,  松冈裕益

IPC: H01S5/028

CPC classification number: H01S5/32341 ,  H01S5/028

Abstract: 本发明得到将镀膜的反射率设定在3～13％的范围内，并防止镀膜剥离，且可确保半导体激光器的可靠性的半导体激光器。在射出激光的前端面形成了镀膜的GaN类的半导体激光器中，镀膜包括与前端面相接的第一绝缘膜和形成在第一绝缘膜上的第二绝缘膜，对于半导体激光器的激光波长λ，第二绝缘膜的光学膜厚为λ/4的奇数倍，第一绝缘膜对GaN的密合性强于第二绝缘膜，第二绝缘膜的折射率为2～2.3，第一绝缘膜的膜厚为10nm以下，第一绝缘膜为化学计量成分的氧化膜。