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公开(公告)号：CN102136678A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010502122.2
申请日：2010-09-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/20
CPC classification number: H01S5/0202 , H01S5/0203 , H01S5/32341
Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。通过在n型GaN衬底(10)上形成半导体层叠结构(12)，从而形成具有多个半导体激光器(14)的晶片(16)。接着，在半导体激光器(14)间的分离区域(18)中，在晶片(16)的主面形成第1槽部(22)。接着，将晶片(16)分离为半导体激光器14排列为棒状的激光棒(26)。接着，在激光棒(26)的第1槽部(22)内，形成具有与第1槽部(22)相同或较窄的宽度的第2槽部(30)。接着，沿着第2槽部(30)将激光棒(26)分离为各个半导体激光器(14)。
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公开(公告)号：CN1207828C
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN01125554.4
申请日：2001-08-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/162 , H01S2302/00
Abstract: 本发明的课题是，提供COD退化分散度小的高可靠性半导体激光装置。在激射波长为770～810nm的半导体激光器10中，将杂质掺入半导体激光器端面附近的MQW有源层16，形成无序化区域，并以此作为窗口层20，以激发光照射该窗口层20，测量窗口层20的光致发光波长λdpl(nm)，将以激发光照射有源层16时所产生的光致发光的波长λapl(nm)同以激发光照射窗口层20时所产生的光致发光的波长λdpl(nm)之差定义为蓝移量λbl(nm)，借助于该蓝移量λb1可在制造过程的各阶段预测产品的COD水平。
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公开(公告)号：CN1492549A
公开(公告)日：2004-04-28
申请号：CN01135701.0
申请日：2001-08-18
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/00
Abstract: 本发明的课题是，提供即使将发光点的相互间隔变窄，在芯片分离时，也没有芯片损缺或破裂而导致成品率下降的情况发生、不存在散热不良，并可抑制多条激光光束的相对角度发生偏离的半导体激光器装置的制造方法和半导体激光器装置。可以用设定的重叠方法，将多个半导体激光器棒上下重叠，并将多个半导体激光器棒的各解理端面对齐在设定的平面上，将各半导体激光器棒相互键合。作为设定的重叠方法，可以采用使条一侧处于下方在Y轴方向上下重叠的方法，或者使条一侧成为粘结面在Y轴方向上下重叠的方法等。进而，为使散热良好，还可以采用在半导体激光器棒和激光器棒之间夹入次安装座的结构。也可以将半导体激光器棒在Z轴方向相互错开进行安装。
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公开(公告)号：CN1292522C
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200410034700.9
申请日：2004-04-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/028
CPC classification number: H01S5/028 , H01S5/0287
Abstract: 半导体激光器装置，在至少一个激光器芯片的光出射面上，形成了反射率大于等于83%的电介质多层膜，电介质多层膜包含由氧化钽(Ta2O5)构成的电介质薄膜、以及由氧化铝(Al2O3)、氧化硅(Si)等电介质氧化物构成的其它电介质薄膜。氧化钽的光吸收系数小于硅(Si)膜，由于伴随着发光的热稳定性比氧化钛(TiO2)膜优秀，因此能够大幅改善COD恶化。
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公开(公告)号：CN1819378A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200610055079.3
申请日：2004-03-26
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/028 , H01S5/0287
Abstract: 低反射膜从与激光器芯片接触的一侧开始依次由折射率为n1及膜厚为d1的第1介质膜、折射率为n2及膜厚为d2的第2介质膜、折射率为n3及膜厚为d3的第3介质膜、折射率为n4及膜厚为d4的第4介质膜形成，具体地，第1介质膜上使用折射率n1＝1.638的氧化铝Al2O3、在第2介质膜及第4介质膜上使用折射率n2＝n4＝1.489的氧化硅SiO2、在第3介质膜上使用折射率n3＝2.063的氧化钽Ta2O5。从而，能够获得具有可稳定控制的反射率的半导体激光器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1540820A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN200410034700.9
申请日：2004-04-23
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/028 , H01S5/0287
Abstract: 半导体激光器装置，在至少一个激光器芯片的光出射面上，形成了反射率大于等于40％的电介质多层膜，电介质多层膜包含由氧化钽(Ta2O5)构成的电介质薄膜、以及由氧化铝(Al2O3)、氧化硅(Si)等电介质氧化物构成的其它电介质薄膜。氧化钽的光吸收系数小于硅(Si)膜，由于伴随着发光的热稳定性比氧化钛(TiO2)膜优秀，因此能够大幅改善COD恶化。
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公开(公告)号：CN1359179A
公开(公告)日：2002-07-17
申请号：CN01125554.4
申请日：2001-08-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/162 , H01S2302/00
Abstract: 本发明的课题是,提供COD退化分散度小的高可靠性半导体激光装置。在激射波长为770～810nm的半导体激光器10中,将杂质掺入半导体激光器端面附近的MQW有源层16,形成无序化区域,并以此作为窗口层20,以激发光照射该窗口层20,测量窗口层20的光荧光波长λdp1(nm),将以激发光照射有源层16时所产生的光荧光的波长λap1(nm)同以激发光照射窗口层20时所产生的光荧光的波长λdp1(nm)之差定义为蓝移量λb1(nm),借助于该蓝移量λb1可在制造过程的各阶段预测产品的COD水平。
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公开(公告)号：CN101262119B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200810096314.0
申请日：2008-02-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/02 , H01L21/301
CPC classification number: H01L2924/01013 , H01L2924/01014
Abstract: 本发明提供一种能够在期望的位置上劈开晶片的半导体激光器的制造方法。在GaN晶片(11)上形成设置了多个脊部(13)的半导体层。在脊部(13)和划线标记(16)之间，与划线标记(16)在同一条直线上设置槽(19)。槽(19)相对于划线标记(16)设置在劈开方向的下流侧上。槽(19)成劈开方向的下流侧端部向外侧凸出的形状，优选该形状的顶点位于要劈开的线上，同时从该顶点延伸的轮廓线不与劈开方向成(60)度的方向平行。
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公开(公告)号：CN100411262C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200610055079.3
申请日：2004-03-26
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/028 , H01S5/0287
Abstract: 低反射膜从与激光器芯片接触的一侧开始依次由折射率为n1及膜厚为d1的第1介质膜、折射率为n2及膜厚为d2的第2介质膜、折射率为n3及膜厚为d3的第3介质膜、折射率为n4及膜厚为d4的第4介质膜形成，具体地，第1介质膜上使用折射率n1＝1.638的氧化铝Al2O3、在第2介质膜及第4介质膜上使用折射率n2＝n4＝1.489的氧化硅SiO2、在第3介质膜上使用折射率n3＝2.063的氧化钽Ta2O5。从而，能够获得具有可稳定控制的反射率的半导体激光器。
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公开(公告)号：CN1264258C
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN01135701.0
申请日：2001-08-18
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/00
Abstract: 本发明的课题是，提供即使将发光点的相互间隔变窄，在芯片分离时，也没有芯片损缺或破裂而导致成品率下降的情况发生、不存在散热不良，并可抑制多条激光光束的相对角度发生偏离的半导体激光器装置的制造方法和半导体激光器装置。可以用设定的重叠方法，将多个半导体激光器棒上下重叠，并将多个半导体激光器棒的各解理端面对齐在设定的平面上，将各半导体激光器棒相互键合。作为设定的重叠方法，可以采用使条一侧处于下方在Y轴方向上下重叠的方法，或者使条一侧成为粘结面在Y轴方向上下重叠的方法等。进而，为使散热良好，还可以采用在半导体激光器棒和激光器棒之间夹入次安装座的结构。也可以将半导体激光器棒在Z轴方向相互错开进行安装。
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