公开(公告)号：CN102214895A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201110085019.7

申请日：2011-04-06

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 西口晴美 ,  广中美佐夫 ,  藏本恭介 ,  楠政谕 ,  铃木洋介

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/042

CPC classification number: H01S5/0224 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2924/01322 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/32341

Abstract: 本发明涉及能够确保高的散热性并且提高成品率的半导体装置及其制造方法。半导体激光器（1）以结向下方式隔着焊料（11）安装在副固定件（12）上。半导体激光器（1）具有：n型GaN衬底（2）；半导体层叠结构（3），形成在n型GaN衬底（2）上并含有pn结；电极（8），形成在半导体层叠结构（3）上。电极（8）隔着焊料（11）接合在副固定件（12）上。在副固定件（12）和半导体层叠结构（3）之间，以包围电极（8）的周围的方式配置有高熔点金属膜（10）。

公开(公告)号：CN102136678A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN201010502122.2

申请日：2010-09-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 广中美佐夫 ,  西口晴美 ,  藏本恭介 ,  楠政谕

IPC: H01S5/20

CPC classification number: H01S5/0202 ,  H01S5/0203 ,  H01S5/32341

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。通过在n型GaN衬底(10)上形成半导体层叠结构(12)，从而形成具有多个半导体激光器(14)的晶片(16)。接着，在半导体激光器(14)间的分离区域(18)中，在晶片(16)的主面形成第1槽部(22)。接着，将晶片(16)分离为半导体激光器14排列为棒状的激光棒(26)。接着，在激光棒(26)的第1槽部(22)内，形成具有与第1槽部(22)相同或较窄的宽度的第2槽部(30)。接着，沿着第2槽部(30)将激光棒(26)分离为各个半导体激光器(14)。