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公开(公告)号：CN111066213B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN201780094681.4
申请日：2017-09-12
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 藏本恭介
IPC: H01S5/02253 , H01S5/02212 , H01S5/02326 , G02B27/30 , G02B27/62 , G01M11/02
Abstract: 激光元件(3)射出激光。透镜盖(4)覆盖于激光元件(3)。透镜(5)内置于透镜盖(4)，透镜(5)使激光汇聚或平行化。在透镜(5)的上表面设置有与激光的光轴(6)垂直的平坦面(7)。
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公开(公告)号：CN112640233A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201880097196.7
申请日：2018-09-12
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 藏本恭介
IPC: H01S5/16
Abstract: 本发明的半导体激光器(50)具备窗结构部(8)，其包含电阻形成得比活性层4的比前端面(14)和后端面(15)侧的端面区域靠内侧的部分低的低电阻活性层(4a)，将接触层(7)的前端面(14)侧的端部设为接触层前端，将接触层(7)的后端面(15)侧的端部设为接触层后端，接触层前端与前端面(14)之间的激光进行往复的光往复方向的长度(L1)为比前端面侧窗结构部长度(Lw)长10μm以上的长度、且为比前端面(14)与接触层后端之间的光往复方向的长度短的长度，背面侧电极(11)的前端面(14)侧的端部与前端面(14)之间的光往复方向的长度(L2)为半导体基板(1)的基板厚度的1.2倍以上、且为比前端面(14)与背面侧电极(11)的后端面(15)侧的端部之间的光往复方向的长度短的长度。
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公开(公告)号：CN105264726B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201380077142.1
申请日：2013-06-06
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S3/109 , G02F1/3558 , H01S3/063 , H01S3/08009 , H01S3/08059 , H01S3/08086
Abstract: 可得到一种波导型激光装置，该波导型激光装置具有：波长选择元件(14)，其选择性地反射通过波长转换元件(13)后的激光的基波振荡波长中的激光振荡模式不同的波长λ＝λ0、λ1、λ2、···、λn(n≥1)的激光；以及波长转换元件(13)，其将由波长选择元件(14)反射后的激光振荡模式不同的波长λ＝λ0、λ1、λ2、···、λn(n≥1)的激光转换成谐波，在使用增益波段较宽的材料作为固体激光元件(12)的激光介质(121)的情况下，能够以该增益波段中的多个波长高效地进行波长转换。
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公开(公告)号：CN102136678A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010502122.2
申请日：2010-09-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/20
CPC classification number: H01S5/0202 , H01S5/0203 , H01S5/32341
Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。通过在n型GaN衬底(10)上形成半导体层叠结构(12)，从而形成具有多个半导体激光器(14)的晶片(16)。接着，在半导体激光器(14)间的分离区域(18)中，在晶片(16)的主面形成第1槽部(22)。接着，将晶片(16)分离为半导体激光器14排列为棒状的激光棒(26)。接着，在激光棒(26)的第1槽部(22)内，形成具有与第1槽部(22)相同或较窄的宽度的第2槽部(30)。接着，沿着第2槽部(30)将激光棒(26)分离为各个半导体激光器(14)。
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公开(公告)号：CN1773792A
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN200510119489.5
申请日：2005-11-09
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 藏本恭介
Abstract: 本发明的课题是通过减少越过有源层内封闭电子用的电子势垒而溢出的电子来提供具备阈值电流小、微分效率高的良好的特性的半导体发光元件。使作为构成有源层20的阻挡层中最接近于p侧的阻挡层的最终阻挡层1的能带间隙比阻挡层2的能带间隙小。与使用与阻挡层2相同的能带间隙的材料作为最终阻挡层1的情况相比，可增大与电子势垒层3的能带不连续量(电子势垒)。其结果，可减少越过电子势垒而溢出的电子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112640233B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201880097196.7
申请日：2018-09-12
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 藏本恭介
IPC: H01S5/16
Abstract: 本发明的半导体激光器(50)具备窗结构部(8)，其包含电阻形成得比活性层4的比前端面(14)和后端面(15)侧的端面区域靠内侧的部分低的低电阻活性层(4a)，将接触层(7)的前端面(14)侧的端部设为接触层前端，将接触层(7)的后端面(15)侧的端部设为接触层后端，接触层前端与前端面(14)之间的激光进行往复的光往复方向的长度(L1)为比前端面侧窗结构部长度(Lw)长10μm以上的长度、且为比前端面(14)与接触层后端之间的光往复方向的长度短的长度，背面侧电极(11)的前端面(14)侧的端部与前端面(14)之间的光往复方向的长度(L2)为半导体基板(1)的基板厚度的1.2倍以上、且为比前端面(14)与背面侧电极(11)的后端面(15)侧的端部之间的光往复方向的长度短的长度。
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公开(公告)号：CN113228432A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201980082036.X
申请日：2019-01-10
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/02315 , H01S5/40
Abstract: 本发明的半导体激光装置(1)构成为，在半导体激光器芯片(5)与次基台(3)的各对置面、以及次基台(3)与散热器(2)的各对置面中的至少任一个，设置有根据多个活性层(4a～4c)的排列方向上的位置，改变光的行进方向上的设定范围，来降低用于接合的接合材料(6)或接合材料(7)的附着性的处理区域(例如，处理区域(R5t))。
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公开(公告)号：CN104813550A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201280077176.6
申请日：2012-11-26
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S3/08086 , G02F1/3534 , G02F1/37 , G02F1/377 , H01S3/0621 , H01S3/0632 , H01S3/08054 , H01S3/0809 , H01S3/09415 , H01S3/10061 , H01S3/109 , H01S3/1653
Abstract: 构成为具有：固体激光元件(3)，其在不同的多个轴向上具有针对不同的多个波长的增益；以及光学元件，其针对各个波长的光，具有光强度越大则光损失越大的特性，固体激光元件(3)和光学元件构成为包含在由该固体激光元件(3)产生的基波的谐振器内，在2个以上的波长处进行振荡。因此，能够利用单个的固体激光元件(3)得到不同的多个波长的输出光，能够得到小型且廉价从而容易制造的激光装置。
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公开(公告)号：CN101290963B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810092602.9
申请日：2008-04-16
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/14 , H01L33/32 , H01S5/2201 , H01S5/3063 , H01S5/3211 , H01S2304/04
Abstract: 本发明涉及一种抑制工作电压的氮化物半导体元件，目的在于提供一种适于在较低的电压下的利用的由氮化物系半导体构成的半导体激光器或发光二极管等发光元件。具有：p型接触层(28)；形成在p型接触层(28)下层的p型中间层(26)；形成在p型中间层的下层的p型覆盖层(24)。p型接触层(28)和所述p型中间层(26)之间、以及p型中间层(26)与所述p型覆盖层(24)之间的带隙差分别为200meV以下。
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公开(公告)号：CN100539334C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200610008808.X
申请日：2006-02-14
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 藏本恭介
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/20 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/34333
Abstract: 在设有包含分别具有5nm膜厚的两个InGaN阱层的2重量子阱结构的活性层的半导体激光器中，光封闭系数Γ在3.0%以下区域中阈值电流的劣化较小，具有微分效率显著改善的特性。另一方面，光封闭系数Γ小于1.5%时，阈值电流显著增大，且微分效率的改善量也小。因而，其光封闭系数Γ的下限最好为1.5%左右，若光封闭系数Γ在3.0%以下，则得到的微分效率为1.6W/A以上，且通过设光封闭系数Γ为2.6%以下，得到1.7W/A以上的微分效率。从而得到具有高微分效率的使用氮化物类III-V族化合物的半导体发光元件。
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