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公开(公告)号：CN103000744A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210329010.0
申请日：2012-09-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/10 , H01L31/0232 , H01L31/0236
CPC classification number: H01L31/02327 , H01L31/035281 , H01L31/105 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种能够提高响应速度以及效率的背面入射型半导体受光元件。在n型InP基板（l）上依次设置有n型InP层（2）、InGaAs光吸收层（3）、非掺杂InP层（4）。在非掺杂InP层（4）的一部分设置有掺杂Zn的p型杂质扩散区域（5）。n型InP层（2）和p型杂质扩散区域（5）经由InGaAs光吸收层（3）进行pn接合的部分是接收从n型InP基板（1）的背面入射的入射光的受光部（9）。以在平面视图中包围受光部（9）的方式在n型InP基板（1）的背面设置有槽（10）。
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公开(公告)号：CN100411262C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200610055079.3
申请日：2004-03-26
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/028 , H01S5/0287
Abstract: 低反射膜从与激光器芯片接触的一侧开始依次由折射率为n1及膜厚为d1的第1介质膜、折射率为n2及膜厚为d2的第2介质膜、折射率为n3及膜厚为d3的第3介质膜、折射率为n4及膜厚为d4的第4介质膜形成，具体地，第1介质膜上使用折射率n1＝1.638的氧化铝Al2O3、在第2介质膜及第4介质膜上使用折射率n2＝n4＝1.489的氧化硅SiO2、在第3介质膜上使用折射率n3＝2.063的氧化钽Ta2O5。从而，能够获得具有可稳定控制的反射率的半导体激光器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1303732C
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200410031302.1
申请日：2004-03-26
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/028
CPC classification number: H01S5/028 , H01S5/0287
Abstract: 低反射膜从与激光器芯片接触的一侧开始依次由折射率为n1及膜厚为d1的第1介质膜、折射率为n2及膜厚为d2的第2介质膜、折射率为n3及膜厚为d3的第3介质膜、折射率为n4及膜厚为d4的第4介质膜形成，具体地，第1介质膜上使用折射率n1＝1.638的氧化铝Al2O3、在第2介质膜及第4介质膜上使用折射率n2＝n4＝1.489的氧化硅SiO2、在第3介质膜上使用折射率n3＝2.063的氧化钽Ta2O5。从而，能够获得具有可稳定控制的反射率的半导体激光器。
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公开(公告)号：CN1543026A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN200410031302.1
申请日：2004-03-26
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/028 , H01S5/0287
Abstract: 低反射膜从与激光器芯片接触的一侧开始依次由折射率为n1及膜厚为d1的第1介质膜、折射率为n2及膜厚为d2的第2介质膜、折射率为n3及膜厚为d3的第3介质膜、折射率为n4及膜厚为d4的第4介质膜形成，具体地，第1介质膜上使用折射率n1＝1.638的氧化铝Al2O3、在第2介质膜及第4介质膜上使用折射率n2＝n4＝1.489的氧化硅SiO2、在第3介质膜上使用折射率n3＝2.063的氧化钽Ta2O5。从而，能够获得具有可稳定控制的反射率的半导体激光器。
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公开(公告)号：CN1292522C
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200410034700.9
申请日：2004-04-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/028
CPC classification number: H01S5/028 , H01S5/0287
Abstract: 半导体激光器装置，在至少一个激光器芯片的光出射面上，形成了反射率大于等于83%的电介质多层膜，电介质多层膜包含由氧化钽(Ta2O5)构成的电介质薄膜、以及由氧化铝(Al2O3)、氧化硅(Si)等电介质氧化物构成的其它电介质薄膜。氧化钽的光吸收系数小于硅(Si)膜，由于伴随着发光的热稳定性比氧化钛(TiO2)膜优秀，因此能够大幅改善COD恶化。
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公开(公告)号：CN1819378A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200610055079.3
申请日：2004-03-26
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/028 , H01S5/0287
Abstract: 低反射膜从与激光器芯片接触的一侧开始依次由折射率为n1及膜厚为d1的第1介质膜、折射率为n2及膜厚为d2的第2介质膜、折射率为n3及膜厚为d3的第3介质膜、折射率为n4及膜厚为d4的第4介质膜形成，具体地，第1介质膜上使用折射率n1＝1.638的氧化铝Al2O3、在第2介质膜及第4介质膜上使用折射率n2＝n4＝1.489的氧化硅SiO2、在第3介质膜上使用折射率n3＝2.063的氧化钽Ta2O5。从而，能够获得具有可稳定控制的反射率的半导体激光器。
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公开(公告)号：CN1540820A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN200410034700.9
申请日：2004-04-23
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/028 , H01S5/0287
Abstract: 半导体激光器装置，在至少一个激光器芯片的光出射面上，形成了反射率大于等于40％的电介质多层膜，电介质多层膜包含由氧化钽(Ta2O5)构成的电介质薄膜、以及由氧化铝(Al2O3)、氧化硅(Si)等电介质氧化物构成的其它电介质薄膜。氧化钽的光吸收系数小于硅(Si)膜，由于伴随着发光的热稳定性比氧化钛(TiO2)膜优秀，因此能够大幅改善COD恶化。
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