-
公开(公告)号：CN101556906B
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200810178028.9
申请日：2008-12-08
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 堀江淳一
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/302 , H01S5/00
Abstract: 本发明涉及薄膜形成方法和半导体装置的制造方法，其目的在于提供一种能够使蚀刻后的残余膜为一定厚度的残余膜控制性优良的薄膜形成方法。该薄膜形成方法为形成具有第一膜厚的第一部分和比第一膜厚薄的第二膜厚的第二部分的薄膜的方法，其特征在于，包括：在基板上成膜该第一膜厚的该薄膜的工序；向成膜时的该薄膜进行激光照射，取得作为反射波的干涉波形的成膜时干涉波形的工序；对该薄膜的该第二部分进行蚀刻的工序；向该蚀刻时的该第二部分进行激光照射，取得蚀刻时干涉波形的工序；和根据该成膜时干涉波形，对作为该第二部分成为该第二膜厚的状态下的该蚀刻时干涉波形的目标蚀刻时干涉波形进行运算的工序，在该蚀刻时干涉波形成为该目标蚀刻时干涉波形的时刻停止蚀刻。
-
公开(公告)号：CN101609788A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200910007030.4
申请日：2009-02-01
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 堀江淳一
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H05H1/24
CPC classification number: H01J37/321 , H01J37/32174
Abstract: 本发明得到在不改变工序条件或掩模条件的情况下，能够容易控制蚀刻形状的蚀刻装置以及半导体装置的制造方法。在真空室(10)内设有放置被处理物(20)的载物台(22)。在真空室(10)内的载物台(22)上方设有ICP电极(24)(第一电极)。在ICP电极(24)与真空室(10)的天花(12)之间，设有平面状电极(26)(第二电极)。在真空室(10)内设有导入处理气体的给气部件(16)。高频电源(32)与ICP电极(24)连接，且经由可变电容(36)(可变电容元件)还连接到平面状电极(26)。高频电源(32)向ICP电极(24)及平面状电极(26)供给高频电力，从而在真空室(10)内发生处理气体的电感耦合等离子体。
-
公开(公告)号：CN1543026A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN200410031302.1
申请日：2004-03-26
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/028 , H01S5/0287
Abstract: 低反射膜从与激光器芯片接触的一侧开始依次由折射率为n1及膜厚为d1的第1介质膜、折射率为n2及膜厚为d2的第2介质膜、折射率为n3及膜厚为d3的第3介质膜、折射率为n4及膜厚为d4的第4介质膜形成，具体地，第1介质膜上使用折射率n1＝1.638的氧化铝Al2O3、在第2介质膜及第4介质膜上使用折射率n2＝n4＝1.489的氧化硅SiO2、在第3介质膜上使用折射率n3＝2.063的氧化钽Ta2O5。从而，能够获得具有可稳定控制的反射率的半导体激光器。
-
公开(公告)号：CN101877456A
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN201010143171.1
申请日：2010-03-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/34306 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/3213
Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件的制造方法及半导体发光元件，本发明的半导体发光元件的制造方法能容易地扩大p侧电极与p型接触层的接触面积，进而能得到动作电压低的半导体发光元件。利用设于脊形波导上表面(46a)的悬突形状的抗蚀剂图案(91)，在脊形波导(46)的上表面(46a)上，以与绝缘膜(50)的端部形成台阶的方式形成金属膜(60)，以该金属膜(60)作为掩模，对脊形波导上表面(46a)的绝缘膜(50)进行蚀刻，由此，能不设置新的掩模工序而扩大设于绝缘膜(50)的开口部(50a)的开口宽度，能增大p侧电极(70)与p型接触层(45)的接触面积。
-
公开(公告)号：CN1913262A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610109035.4
申请日：2006-07-27
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 堀江淳一
CPC classification number: H01S5/4031 , B82Y20/00 , H01S5/209 , H01S5/22 , H01S5/3211 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/4087
Abstract: 本发明构成发光特性佳、高效率且高输出的半导体激光装置。该半导体激光装置具备第一LD结构(14)，该结构具备：n－GaAs衬底(12)上依次配设的第一n型包层；包含量子阱层的第一激活层(18)；该第一激活层(18)上配设的第一p型包层(20)；该第一p型包层(20)上配设、具有与第一p型包层(20)相同构成元素的p型的信号层(22)；以及该信号层(22)上条纹台面状配设，具有与信号层(22)相同构成元素且其中互补关系的两种构成元素的组分比不同于信号层(22)的p型的脊波导(24)。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1819378A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200610055079.3
申请日：2004-03-26
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/028 , H01S5/0287
Abstract: 低反射膜从与激光器芯片接触的一侧开始依次由折射率为n1及膜厚为d1的第1介质膜、折射率为n2及膜厚为d2的第2介质膜、折射率为n3及膜厚为d3的第3介质膜、折射率为n4及膜厚为d4的第4介质膜形成，具体地，第1介质膜上使用折射率n1＝1.638的氧化铝Al2O3、在第2介质膜及第4介质膜上使用折射率n2＝n4＝1.489的氧化硅SiO2、在第3介质膜上使用折射率n3＝2.063的氧化钽Ta2O5。从而，能够获得具有可稳定控制的反射率的半导体激光器。
-
公开(公告)号：CN1303732C
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200410031302.1
申请日：2004-03-26
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/028
CPC classification number: H01S5/028 , H01S5/0287
Abstract: 低反射膜从与激光器芯片接触的一侧开始依次由折射率为n1及膜厚为d1的第1介质膜、折射率为n2及膜厚为d2的第2介质膜、折射率为n3及膜厚为d3的第3介质膜、折射率为n4及膜厚为d4的第4介质膜形成，具体地，第1介质膜上使用折射率n1＝1.638的氧化铝Al2O3、在第2介质膜及第4介质膜上使用折射率n2＝n4＝1.489的氧化硅SiO2、在第3介质膜上使用折射率n3＝2.063的氧化钽Ta2O5。从而，能够获得具有可稳定控制的反射率的半导体激光器。
-
公开(公告)号：CN1681172A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN200510062896.7
申请日：2005-04-05
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 堀江淳一
CPC classification number: H01S5/028 , H01S5/0202 , H01S5/0425
Abstract: 本发明的目的在于获得在进行端面涂敷时不使用虚设条即可防止激光条彼此发生热压接的半导体激光元件。包括具有通过镀金形成的表面电极，通过镀金形成的背面电极，仅在表面电极上形成的、由不与Au反应的材料构成的防附着膜，和覆盖发光侧端面及其相反侧端面上涂覆的涂敷膜。而且，防附着膜形成在表面电极的四角。
-
公开(公告)号：CN101609788B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200910007030.4
申请日：2009-02-01
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 堀江淳一
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H05H1/24
CPC classification number: H01J37/321 , H01J37/32174
Abstract: 本发明得到在不改变工序条件或掩模条件的情况下，能够容易控制蚀刻形状的蚀刻装置以及半导体装置的制造方法。在真空室(10)内设有放置被处理物(20)的载物台(22)。在真空室(10)内的载物台(22)上方设有ICP电极(24)(第一电极)。在ICP电极(24)与真空室(10)的天花(12)之间，设有平面状电极(26)(第二电极)。在真空室(10)内设有导入处理气体的给气部件(16)。高频电源(32)与ICP电极(24)连接，且经由可变电容(36)(可变电容元件)还连接到平面状电极(26)。高频电源(32)向ICP电极(24)及平面状电极(26)供给高频电力，从而在真空室(10)内发生处理气体的电感耦合等离子体。
-
公开(公告)号：CN1913262B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200610109035.4
申请日：2006-07-27
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 堀江淳一
CPC classification number: H01S5/4031 , B82Y20/00 , H01S5/209 , H01S5/22 , H01S5/3211 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/4087
Abstract: 本发明构成发光特性佳、高效率且高输出的半导体激光装置。该半导体激光装置具备第一LD结构(14)，该结构具备：n-GaAs衬底(12)上依次配设的第一n型包层；包含量子阱层的第一激活层(18)；该第一激活层(18)上配设的第一p型包层(20)；该第一p型包层(20)上配设、具有与第一p型包层(20)相同构成元素的p型的信号层(22)；以及该信号层(22)上条纹台面状配设，具有与信号层(22)相同构成元素且其中互补关系的两种构成元素的组分比不同于信号层(22)的p型的脊波导(24)。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.021 seconds)
