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公开(公告)号：CN103259192B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201210561002.9
申请日：2012-12-21
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 阿部真司
CPC classification number: H01S5/162 , B82Y20/00 , H01S5/2063 , H01S5/2068 , H01S5/3432
Abstract: 本发明涉及能稳定地形成使半导体激光器高输出化的窗结构的半导体激光器的制造方法。在n型GaAs基板（1）上依次形成n型包覆层（2）、活性层（3）、p型包覆层（4）以及p型接触层（5）。形成仅在端面附近的窗区域与p型接触层（5）相接触并从p型接触层（5）吸收Ⅲ族原子以促进Ⅲ族空位的产生的促进膜（8）。向窗区域的p型接触层（5）注入离子，造成损伤。在形成促进膜（8）并注入了离子之后，进行热处理，由此，使Ⅲ族空位扩散，在窗区域使活性层（3）无序化，形成窗结构（13）。
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公开(公告)号：CN101950924A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010298304.2
申请日：2007-10-15
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/2214 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供一种半导体光学元件的制造方法。在波导路径脊的上表面稳定地防止半导体层和电极层的接触面积的减少，并防止该半导体层中的蚀刻损伤。在半导体层上层叠金属保护层(75)形成波导路径(40)，用SiO2膜(78)将其覆盖，涂敷抗蚀剂后，使波导路径脊(40)顶部的SiO2膜(78)的表面露出，并且借助于具有比波导路径脊(40)的金属保护层(75)表面高且比波导路径脊(40)的SiO2膜(78)的表面低的表面的抗蚀剂膜来埋设沟道(38)的SiO2膜(78)，形成抗蚀剂图形(82)，将抗蚀剂图形(82)作为掩膜，利用干蚀刻去除SiO2膜(78)，进而，利用湿蚀刻去除金属保护层(75)，使波导路径脊(40)的p-GaN层(74)表面露出，来形成电极层(46)。
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公开(公告)号：CN101944704A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010004576.7
申请日：2008-02-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/02 , H01L21/301
CPC classification number: H01L2924/01013 , H01L2924/01014
Abstract: 本发明提供一种能够在期望的位置上劈开晶片的半导体激光器的制造方法。在GaN晶片(11)上形成设置了多个脊部(13)的半导体层。在脊部(13)和划线标记(16)之间，与划线标记(16)在同一条直线上设置槽(19)。槽(19)相对于划线标记(16)设置在劈开方向的下流侧上。槽(19)成劈开方向的下流侧端部向外侧凸出的形状，优选该形状的顶点位于要劈开的线上，同时从该顶点延伸的轮廓线不与劈开方向成60度的方向平行。
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公开(公告)号：CN101262119A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810096314.0
申请日：2008-02-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/02 , H01L21/301
CPC classification number: H01L2924/01013 , H01L2924/01014
Abstract: 本发明提供一种能够在期望的位置上劈开晶片的半导体激光器的制造方法。在GaN晶片(11)上形成设置了多个脊部(13)的半导体层。在脊部(13)和划线标记(16)之间，与划线标记(16)在同一条直线上设置槽(19)。槽(19)相对于划线标记(16)设置在劈开方向的下流侧上。槽(19)成劈开方向的下流侧端部向外侧凸出的形状，优选该形状的顶点位于要劈开的线上，同时从该顶点延伸的轮廓线不与劈开方向成60度的方向平行。
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公开(公告)号：CN113557642A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201980093030.2
申请日：2019-03-18
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 阿部真司
IPC: H01S5/02
Abstract: 本发明的半导体激光器装置制造方法包含：材料准备工序，在与形成有表面电极(15a)以及背面电极(15b)的半导体激光器棒(3)相对的棒形状的副安装座棒主体(22)的表面形成金属层(23)，来准备搭载半导体激光器棒(3)的副安装座棒(21)；夹具设置工序，将多个副安装座棒(21)以及半导体激光器棒(3)交替重叠地设置于设置夹具(40)；接合工序，使设置夹具(40)升温，来接合金属层(23)与背面电极(15b)；以及保护膜形成工序，在接合工序之后，针对设置有多个副安装座棒(21)以及半导体激光器棒(3)的设置夹具(40)，通过保护膜形成装置(60)，在半导体激光器棒(3)的解理端面(14)形成保护膜(19)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101276994B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200810087473.4
申请日：2008-03-28
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/2086 , H01S5/2202 , H01S5/2214 , H01S5/34333
Abstract: 稳定地防止波导脊的半导体层和电极层的接触面积减小，并且防止在该半导体层上的刻蚀损伤。在半导体叠层结构的表面形成抗蚀剂图形(76)，通过干法刻蚀形成波导脊(40)，在波导脊(40)的表面残留着抗蚀剂图形(76)的状态下，在n-GaN衬底(12)上形成SiO2膜(78)，接下来，形成使波导脊(40)顶部上的SiO2膜(78)露出、具有与n-GaN层(74)的下表面相同程度的高度的表面且埋设沟道(38)的SiO2膜(78)的抗蚀剂图形(82)，将抗蚀剂图形(82)作为掩模除去SiO2膜(78)，在SiO2膜(78)上形成开口部(44a)，通过使用有机溶剂的湿法刻蚀除去抗蚀剂图形(76)和抗蚀剂图形(82)，形成p侧电极(46)。
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公开(公告)号：CN101877456A
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN201010143171.1
申请日：2010-03-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/34306 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/3213
Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件的制造方法及半导体发光元件，本发明的半导体发光元件的制造方法能容易地扩大p侧电极与p型接触层的接触面积，进而能得到动作电压低的半导体发光元件。利用设于脊形波导上表面(46a)的悬突形状的抗蚀剂图案(91)，在脊形波导(46)的上表面(46a)上，以与绝缘膜(50)的端部形成台阶的方式形成金属膜(60)，以该金属膜(60)作为掩模，对脊形波导上表面(46a)的绝缘膜(50)进行蚀刻，由此，能不设置新的掩模工序而扩大设于绝缘膜(50)的开口部(50a)的开口宽度，能增大p侧电极(70)与p型接触层(45)的接触面积。
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公开(公告)号：CN101826585A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN201010142157.X
申请日：2010-03-01
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L33/36
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/3409
Abstract: 本发明涉及半导体发光元件及其制造方法。在n型GaN衬底(10)(半导体衬底)上设置有半导体层(12)。半导体层(12)具有活性层(26)，并形成有波导脊(40)。p侧电极(44)(电极)接触于波导脊(40)的顶部的整个面。SiO2膜(46)(绝缘膜)覆盖波导脊(40)的侧面、p侧电极(44)的侧面、以及p侧电极(44)的上表面的两端部分，不覆盖p侧电极(44)的上表面的中央部分。由此，能够降低工作电压，并防止电极剥落。
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公开(公告)号：CN101276993A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200710305756.7
申请日：2007-10-15
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体光学元件的制造方法。在波导路径脊的上表面稳定地防止半导体层和电极层的接触面积的减少，并防止该半导体层中的蚀刻损伤。在半导体层上层叠金属保护层(75)形成波导路径(40)，用SiO2膜(78)将其覆盖，涂敷抗蚀剂后，使波导路径脊(40)顶部的SiO2膜(78)的表面露出，并且借助于具有比波导路径脊(40)的金属保护层(75)表面高且比波导路径脊(40)的SiO2膜(78)的表面低的表面的抗蚀剂膜来埋设沟道(38)的SiO2膜(78)，形成抗蚀剂图形(82)，将抗蚀剂图形(82)作为掩膜，利用干蚀刻去除SiO2膜(78)，进而，利用湿蚀刻去除金属保护层(75)，使波导路径脊(40)的p－GaN层(74)表面露出，来形成电极层(46)。
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公开(公告)号：CN101276993B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200710305756.7
申请日：2007-10-15
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体光学元件的制造方法。在波导路径脊的上表面稳定地防止半导体层和电极层的接触面积的减少，并防止该半导体层中的蚀刻损伤。在半导体层上层叠金属保护层(75)形成波导路径(40)，用SiO2膜(78)将其覆盖，涂敷抗蚀剂后，使波导路径脊(40)顶部的SiO2膜(78)的表面露出，并且借助于具有比波导路径脊(40)的金属保护层(75)表面高且比波导路径脊(40)的SiO2膜(78)的表面低的表面的抗蚀剂膜来埋设沟道(38)的SiO2膜(78)，形成抗蚀剂图形(82)，将抗蚀剂图形(82)作为掩膜，利用干蚀刻去除SiO2膜(78)，进而，利用湿蚀刻去除金属保护层(75)，使波导路径脊(40)的p-GaN层(74)表面露出，来形成电极层(46)。
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