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公开(公告)号：CN102148477A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201110034238.2
申请日：2011-02-01
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/32341 , H01L33/20 , H01L33/385 , H01L2933/0016 , H01S5/0425 , H01S5/22
Abstract: 本发明涉及半导体发光元件及其制造方法。在n型GaN衬底（10）上形成有半导体层叠结构（12）。在半导体层叠结构（12）的上部形成有脊部（26）。沟道部（28）与脊部（26）相邻。平台部（30）与沟道部（28）的脊部（26）的相反侧相邻。第一绝缘膜（32）覆盖沟道部（28）。第一绝缘膜（32）在脊部（26）以及平台部（30）上具有开口。在第一绝缘膜（32）上形成有单层粘接层（34）。Pd电极（36）覆盖脊部（26）以及单层粘接层（34）的一部分，并且与脊部（26）的p型GaN接触层（24）连接。第二绝缘膜（38）覆盖单层粘接层（34）的未被Pd电极（36）覆盖的部分以及平台部（30）。
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公开(公告)号：CN101527427A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200910126180.7
申请日：2009-03-05
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/3063
Abstract: 本发明提供一种半导体光元件的制造方法，该方法可以通过简单的步骤防止波导脊顶部的半导体层和电极的接触面积的减少，并可以防止波导脊顶部的半导体层因蚀刻而受到损伤。该方法包括如下步骤：以抗蚀剂作为掩模对第二半导体层进行蚀刻，直至蚀刻到第二半导体层中途，从而形成在底部残留有第二半导体层的凹部以及与该凹部相邻的波导脊；在残留有抗蚀剂的状态下，在波导脊和凹部上形成绝缘膜；利用形成在抗蚀剂上的绝缘膜和形成在凹部上的绝缘膜的蚀刻速度的不同，除去形成在抗蚀剂上的绝缘膜使抗蚀剂露出，但同时保留形成在凹部上的绝缘膜；除去露出的抗蚀剂；除去抗蚀剂之后，在波导脊顶部形成电极。
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公开(公告)号：CN101494270A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200910002799.7
申请日：2009-01-22
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及具备Pd电极的半导体发光元件及其制造方法，目的在于提供一种半导体发光元件及其制造方法，该半导体发光元件通过牢固地密合Pd电极和绝缘膜从而能够回避电极剥落的问题，并且通过提高Pd电极的作为低电阻欧姆电极的特性而实现激光装置的高功率化和低工作电流化。该半导体发光元件具备：半导体层；形成于该半导体层上且形成有开口部的绝缘膜；形成于该绝缘膜上的多层密合层；和以在该开口部与该半导体层接触，还与该多层密合层接触的方式形成的Pd电极，该多层密合层具有Au层作为最上层，在该Au层与该Pd电极的界面上形成有该Au层的Au与该Pd电极的Pd的合金。
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公开(公告)号：CN101478020A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200810190645.0
申请日：2008-12-26
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及具有Pd电极的半导体发光元件的制造方法，其目的在于提供一种半导体发光元件的制造方法，能够以简易方法回避剥落的绝缘膜上Pd电极向半导体发光元件表面上的附着所引起的成品率降低、焊盘电极未形成部分的发生、p型接触层与焊盘电极接触的问题。该方法具备：在半导体上形成具有开口部的绝缘膜的工序；在该开口部和该绝缘膜上形成Pd电极的工序；对该绝缘膜上的该Pd电极施加物理的力，在残留该开口部的该Pd电极的状态下，将该绝缘膜上的该Pd电极剥离并除去的剥离工序。
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公开(公告)号：CN101276994A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810087473.4
申请日：2008-03-28
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/2086 , H01S5/2202 , H01S5/2214 , H01S5/34333
Abstract: 稳定地防止波导脊的半导体层和电极层的接触面积减小，并且防止在该半导体层上的刻蚀损伤。在半导体叠层结构的表面形成抗蚀剂图形(76)，通过干法刻蚀形成波导脊(40)，在波导脊(40)的表面残留着抗蚀剂图形(76)的状态下，在n－GaN衬底(12)上形成SiO2膜(78)，接下来，形成使波导脊(40)顶部上的SiO2膜(78)露出、具有与n－GaN层(74)的下表面相同程度的高度的表面且埋设沟道(38)的SiO2膜(78)的抗蚀剂图形(82)，将抗蚀剂图形(82)作为掩模除去SiO2膜(78)，在SiO2膜(78)上形成开口部(44a)，通过使用有机溶剂的湿法刻蚀除去抗蚀剂图形(76)和抗蚀剂图形(82)，形成p侧电极(46)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110036695B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201780070512.7
申请日：2017-11-30
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 除电装置(1)具备包含一个以上的带电器部分(21、22)的带电器(20)和接地的针状导体(30)。带电器(20)构成为以使绝缘膜(11)的表面电位的绝对值成为3kV以上的方式使绝缘膜(11)带电。针状导体(30)配置为能够在针状导体(30)与通过带电器(20)而被带电的绝缘膜(11)之间发生电晕放电。因此，能够可靠地对绝缘膜(11)进行除电。
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公开(公告)号：CN110036695A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201780070512.7
申请日：2017-11-30
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 除电装置(1)具备包含一个以上的带电器部分(21、22)的带电器(20)和接地的针状导体(30)。带电器(20)构成为以使绝缘膜(11)的表面电位的绝对值成为3kV以上的方式使绝缘膜(11)带电。针状导体(30)配置为能够在针状导体(30)与通过带电器(20)而被带电的绝缘膜(11)之间发生电晕放电。因此，能够可靠地对绝缘膜(11)进行除电。
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公开(公告)号：CN101276994B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200810087473.4
申请日：2008-03-28
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/2086 , H01S5/2202 , H01S5/2214 , H01S5/34333
Abstract: 稳定地防止波导脊的半导体层和电极层的接触面积减小，并且防止在该半导体层上的刻蚀损伤。在半导体叠层结构的表面形成抗蚀剂图形(76)，通过干法刻蚀形成波导脊(40)，在波导脊(40)的表面残留着抗蚀剂图形(76)的状态下，在n-GaN衬底(12)上形成SiO2膜(78)，接下来，形成使波导脊(40)顶部上的SiO2膜(78)露出、具有与n-GaN层(74)的下表面相同程度的高度的表面且埋设沟道(38)的SiO2膜(78)的抗蚀剂图形(82)，将抗蚀剂图形(82)作为掩模除去SiO2膜(78)，在SiO2膜(78)上形成开口部(44a)，通过使用有机溶剂的湿法刻蚀除去抗蚀剂图形(76)和抗蚀剂图形(82)，形成p侧电极(46)。
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公开(公告)号：CN101527427B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200910126180.7
申请日：2009-03-05
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/3063
Abstract: 本发明提供一种半导体光元件的制造方法，该方法可以通过简单的步骤防止波导脊顶部的半导体层和电极的接触面积的减少，并可以防止波导脊顶部的半导体层因蚀刻而受到损伤。该方法包括如下步骤：以抗蚀剂作为掩模对第二半导体层进行蚀刻，直至蚀刻到第二半导体层中途，从而形成在底部残留有第二半导体层的凹部以及与该凹部相邻的波导脊；在残留有抗蚀剂的状态下，在波导脊和凹部上形成绝缘膜；利用形成在抗蚀剂上的绝缘膜和形成在凹部上的绝缘膜的蚀刻速度的不同，除去形成在抗蚀剂上的绝缘膜使抗蚀剂露出，但同时保留形成在凹部上的绝缘膜；除去露出的抗蚀剂；除去抗蚀剂之后，在波导脊顶部形成电极。
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公开(公告)号：CN101877456A
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN201010143171.1
申请日：2010-03-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/34306 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/3213
Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件的制造方法及半导体发光元件，本发明的半导体发光元件的制造方法能容易地扩大p侧电极与p型接触层的接触面积，进而能得到动作电压低的半导体发光元件。利用设于脊形波导上表面(46a)的悬突形状的抗蚀剂图案(91)，在脊形波导(46)的上表面(46a)上，以与绝缘膜(50)的端部形成台阶的方式形成金属膜(60)，以该金属膜(60)作为掩模，对脊形波导上表面(46a)的绝缘膜(50)进行蚀刻，由此，能不设置新的掩模工序而扩大设于绝缘膜(50)的开口部(50a)的开口宽度，能增大p侧电极(70)与p型接触层(45)的接触面积。
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