公开(公告)号：CN1292522C

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200410034700.9

申请日：2004-04-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 国次恭宏 ,  松岡裕益 ,  中川康幸 ,  西口晴美

IPC: H01S5/028

CPC classification number: H01S5/028 ,  H01S5/0287

Abstract: 半导体激光器装置，在至少一个激光器芯片的光出射面上，形成了反射率大于等于83%的电介质多层膜，电介质多层膜包含由氧化钽(Ta2O5)构成的电介质薄膜、以及由氧化铝(Al2O3)、氧化硅(Si)等电介质氧化物构成的其它电介质薄膜。氧化钽的光吸收系数小于硅(Si)膜，由于伴随着发光的热稳定性比氧化钛(TiO2)膜优秀，因此能够大幅改善COD恶化。

公开(公告)号：CN1540820A

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN200410034700.9

申请日：2004-04-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 国次恭宏 ,  松岡裕益 ,  中川康幸 ,  西口晴美

IPC: H01S5/028 ,  H01S5/10

CPC classification number: H01S5/028 ,  H01S5/0287

Abstract: 半导体激光器装置，在至少一个激光器芯片的光出射面上，形成了反射率大于等于40％的电介质多层膜，电介质多层膜包含由氧化钽(Ta2O5)构成的电介质薄膜、以及由氧化铝(Al2O3)、氧化硅(Si)等电介质氧化物构成的其它电介质薄膜。氧化钽的光吸收系数小于硅(Si)膜，由于伴随着发光的热稳定性比氧化钛(TiO2)膜优秀，因此能够大幅改善COD恶化。