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公开(公告)号：CN100382399C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200510119477.2
申请日：2005-11-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/22
Abstract: 提供一种半导体激光器，射出水平方向的远场图样的强度中心不随光输出变化而变化且形状稳定的激光。设定沟部(15)的宽度，以便使脊(6)中央部的电场大小E1与沟部(15)端部的电场大小E2的比率E1/E2大于0.0001而小于0.01。在双沟道型脊形构造的半导体激光器中，沟部(15)的外侧存在等效折射率大于沟部(15)的等效折射率的层。因而，由于分布在从沟部(15)向外侧的光被半导体吸收，故可获得水平方向的远场图样的强度中心不随光输出的变化而变化且形状稳定的激光。
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公开(公告)号：CN1783605A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510119477.2
申请日：2005-11-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/22
Abstract: 提供一种半导体激光器，射出水平方向的远场图样的强度中心不随光输出变化而变化且形状稳定的激光。设定沟部(15)的宽度，以便使脊(6)中央部的电场大小E1与沟部(15)端部的电场大小E2的比率E1/E2大于0.0001而小于0.01。在双沟道型脊形构造的半导体激光器中，沟部(15)的外侧存在等效折射率大于沟部(15)的等效折射率的层。因而，由于分布在从沟部(15)向外侧的光被半导体吸收，故可获得水平方向的远场图样的强度中心不随光输出的变化而变化且形状稳定的激光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103000744A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210329010.0
申请日：2012-09-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/10 , H01L31/0232 , H01L31/0236
CPC classification number: H01L31/02327 , H01L31/035281 , H01L31/105 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种能够提高响应速度以及效率的背面入射型半导体受光元件。在n型InP基板（l）上依次设置有n型InP层（2）、InGaAs光吸收层（3）、非掺杂InP层（4）。在非掺杂InP层（4）的一部分设置有掺杂Zn的p型杂质扩散区域（5）。n型InP层（2）和p型杂质扩散区域（5）经由InGaAs光吸收层（3）进行pn接合的部分是接收从n型InP基板（1）的背面入射的入射光的受光部（9）。以在平面视图中包围受光部（9）的方式在n型InP基板（1）的背面设置有槽（10）。
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公开(公告)号：CN101958507A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010231717.9
申请日：2010-07-15
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/02272 , G11B7/1275 , G11B2007/0006 , H01S5/0224 , H01S5/22 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01S2301/14
Abstract: 本发明涉及半导体激光器装置，在热沉上以结下方式接合2波长半导体激光器芯片，其中，降低在激光器芯片和热沉之间产生的组装应力，减小2个激光器各自的偏振角。在热沉和2波长半导体激光器芯片的接合中使用SnAg焊料。这时，针对2个激光器的每一个，将从波导的中心起至芯片中心侧的热沉与2波长半导体激光器芯片的接合面的端部的距离、与从波导的中心起至芯片端侧的热沉与2波长半导体激光器芯片的接合面的端部的距离的比分别作为0.69以上1.46以下。
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公开(公告)号：CN101626142A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910117972.8
申请日：2009-02-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/2081 , H01S5/209 , H01S5/2214 , H01S5/2224
Abstract: 本发明涉及一种半导体激光器的制造方法。通过本发明，能够得到确保可靠性的高效率的半导体激光器的制造方法。在GaAS衬底(10)(半导体衬底)上依次层叠n型包层(12)(第一导电型半导体层)、活性层(14)、p型包层(16)(第二导电型半导体层)。在p型包层(16)中形成脊部(20)。通过成膜温度600℃前后的热CVD法在p型包层(16)上形成SiN膜(22)(第一绝缘膜)。在SiN膜(22)上，通过成膜温度300℃前后的等离子体CVD法，形成SiN膜(24)(第二绝缘膜)。在SiN膜(24)上形成电极(26)。
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公开(公告)号：CN115298915B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202080098451.7
申请日：2020-03-19
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的光半导体元件具备：基板(11)；第1脊(12)，形成于基板(11)之上，从下方开始依次具有第1第1导电型包覆层(13)、第1芯层(14)、第1第2导电型包覆层(15)、以及第1接触层(16)，并在两侧配置有第1脊沟(18)；以及第1电极(20)，在第1脊(12)之上与第1接触层(16)接触，不扩展至第1脊沟(18)，并包含第1焊锡层(21)。
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公开(公告)号：CN115298915A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202080098451.7
申请日：2020-03-19
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的光半导体元件具备：基板(11)；第1脊(12)，形成于基板(11)之上，从下方开始依次具有第1第1导电型包覆层(13)、第1芯层(14)、第1第2导电型包覆层(15)、以及第1接触层(16)，并在两侧配置有第1脊沟(18)；以及第1电极(20)，在第1脊(12)之上与第1接触层(16)接触，不扩展至第1脊沟(18)，并包含第1焊锡层(21)。
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