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公开(公告)号：CN113169521B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN201880099480.8
申请日：2018-11-19
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的光半导体装置具备：n型第二埋入层(8)，其具有朝向脊状条带(5)的顶部伸出的部分隔开间隔地对置的电流狭窄窗(8a)的n型第二埋入层(8)；p型第二包覆层(9)，其将n型第二埋入层(8a)与电流狭窄窗(8a)一起埋入；以及衍射光栅(6)，其在光行进方向(Dr)上的中间部分配置有λ/4相移(6q)，该光半导体装置构成为电流狭窄窗(8a)的截面形状根据光行进方向(Dr)上的位置而变化，经由电流狭窄窗(8a)的从p型第二包覆层(9)向p型第一包覆层(4)的电流路径的电阻(R)在配置有λ/4相移(6q)的区域最小。
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公开(公告)号：CN107046030B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201710071184.4
申请日：2017-02-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L29/772
Abstract: 本发明涉及在微米波频带、毫米波频带使用的场效应晶体管(FET)的静电放电耐性的改善。本发明所涉及的带静电保护二极管的场效应晶体管具有：第1 FET；以及2端子静电保护电路，其连接于第1 FET的第1栅极和第1源极之间，2端子静电保护电路包含：第1二极管，其位于在对第1栅极施加了比第1源极的电位低的电压时被反向偏置侧，具有比第1 FET的第1栅极和第1源极间的反向耐压低的反向耐压；第2二极管，其位于在对第1栅极施加了比前述第1源极的电位低的电压时被正向偏置侧，与第1二极管反向串联连接；以及电阻，其与由第1二极管和第2二极管构成的二极管对串联连接，是使用与第1 FET相同的沟道层而形成的。
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公开(公告)号：CN107210228A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201580075517.X
申请日：2015-06-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/812
Abstract: 一种半导体装置，其具有：大于或等于一根栅极指(20)，其设置于半导体基板(1)之上的有源区域；以及源极指(30)、漏极指(40)，它们设置于所述有源区域，隔着栅极指(20)而交替地配置，该半导体装置具有末端电路(60)，该末端电路(60)在从栅极指(20)的输入端子(21a)输入的信号的频率下成为电感性阻抗，在该栅极指(20)的与该输入端子(21a)的连接位置远离的部位处与该栅极指直接或间接地连接。
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公开(公告)号：CN102790591A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210155265.X
申请日：2012-05-18
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F1/56 , H03F1/0277 , H03F3/19 , H03F3/72 , H03F2200/222 , H03F2200/318 , H03F2200/387 , H03F2200/411 , H03F2203/7215 , H03F2203/7221 , H03F2203/7236 , H03F2203/7239 , H03G3/3042
Abstract: 本发明涉及高频功率放大器。获得一种能够同时进行阻抗匹配的切换和路径的切换，能够使电路设计的自由度提高的高频功率放大器。晶体管（Tr1）对从外部输入的高频信号进行放大。晶体管（Tr2）对晶体管（Tr1）的输出信号进行放大。晶体管（Tr3）与晶体管（Tr1）并联连接，并对从外部输入的高频信号进行放大。在晶体管（Tr1）的输出和晶体管（Tr2）的输入之间连接有切换元件（SW1）。在晶体管（Tr3）的输出和切换元件（SW1）之间连接有切换元件（SW2）。在晶体管（Tr1）的输出及切换元件（SW2）和晶体管（Tr2）的输出之间串联连接有切换元件（SW3、SW4）。在切换元件（SW3）和切换元件（SW4）之间连接有电容器（C1）。
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公开(公告)号：CN107210228B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201580075517.X
申请日：2015-06-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/812
Abstract: 一种半导体装置，其具有：大于或等于一根栅极指(20)，其设置于半导体基板(1)之上的有源区域；以及源极指(30)、漏极指(40)，它们设置于所述有源区域，隔着栅极指(20)而交替地配置，该半导体装置具有末端电路(60)，该末端电路(60)在从栅极指(20)的输入端子(21a)输入的信号的频率下成为电感性阻抗，在该栅极指(20)的与该输入端子(21a)的连接位置远离的部位处与该栅极指直接或间接地连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107039356A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611007713.6
申请日：2016-11-16
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/043 , H01L23/552
CPC classification number: H01L23/552 , H01L23/481 , H01L23/4924 , H01L23/66 , H01L2223/6616 , H01L2223/6655 , H01L2224/48091 , H01L2924/16195 , H01L2924/00014 , H01L23/043
Abstract: 实现本发明所涉及的微米波段及毫米波段封装体的宽频带化。本发明所涉及的微米波段及毫米波段封装体具有：导体基座板(1)，在上表面固定有半导体元件(5)；侧壁(2)，在导体基座板之上以包围半导体元件的方式设置，具有与导体基座板电连接的导体部分(2e)；电介体帽(3)，设置于侧壁之上，以与导体基座板和侧壁一起形成内部空间；表面金属膜(9)，设置于电介体帽的外侧的面之上；第1背面金属膜(10b)，设置于电介体帽的内侧的面之上，相对于电介体帽的与导体基座板相向的面，中心大致一致；多个通路孔(11)，以贯通电介体帽的方式设置，对表面金属膜和第1背面金属膜间及表面金属膜和侧壁的导体部分(2e)间分别进行电连接。
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公开(公告)号：CN101958507A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010231717.9
申请日：2010-07-15
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/02272 , G11B7/1275 , G11B2007/0006 , H01S5/0224 , H01S5/22 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01S2301/14
Abstract: 本发明涉及半导体激光器装置，在热沉上以结下方式接合2波长半导体激光器芯片，其中，降低在激光器芯片和热沉之间产生的组装应力，减小2个激光器各自的偏振角。在热沉和2波长半导体激光器芯片的接合中使用SnAg焊料。这时，针对2个激光器的每一个，将从波导的中心起至芯片中心侧的热沉与2波长半导体激光器芯片的接合面的端部的距离、与从波导的中心起至芯片端侧的热沉与2波长半导体激光器芯片的接合面的端部的距离的比分别作为0.69以上1.46以下。
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公开(公告)号：CN113169521A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201880099480.8
申请日：2018-11-19
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的光半导体装置具备：n型第二埋入层(8)，其具有朝向脊状条带(5)的顶部伸出的部分隔开间隔地对置的电流狭窄窗(8a)的n型第二埋入层(8)；p型第二包覆层(9)，其将n型第二埋入层(8a)与电流狭窄窗(8a)一起埋入；以及衍射光栅(6)，其在光行进方向(Dr)上的中间部分配置有λ/4相移(6q)，该光半导体装置构成为电流狭窄窗(8a)的截面形状根据光行进方向(Dr)上的位置而变化，经由电流狭窄窗(8a)的从p型第二包覆层(9)向p型第一包覆层(4)的电流路径的电阻(R)在配置有λ/4相移(6q)的区域最小。
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公开(公告)号：CN106059518B
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201610236702.9
申请日：2016-04-15
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03F3/68
Abstract: 本发明的目的在于提供能够抑制不平衡且适于小型化的放大器。具备：多个第1放大元件，它们在封装件中沿输入侧分配电路设置，具有第1栅极焊盘和第1漏极焊盘；多个第2放大元件，它们在该封装件中沿输出侧合成电路设置，具有第2栅极焊盘和第2漏极焊盘；第1输入导线，其将该输入侧分配电路和该第1栅极焊盘连接；第2输入导线，其将该输入侧分配电路和该第2栅极焊盘连接；第1输出导线，其将该第1漏极焊盘和该输出侧合成电路连接；以及第2输出导线，其将该第2漏极焊盘和该输出侧合成电路连接，该多个第1放大元件和该多个第2放大元件设置为交错状，该第1输入导线和该第2输入导线的长度相等，该第1输出导线和该第2输出导线的长度相等。
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公开(公告)号：CN106059518A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610236702.9
申请日：2016-04-15
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03F3/68
CPC classification number: H01L23/66 , H01L25/072 , H01L2224/49175 , H03F3/68
Abstract: 本发明的目的在于提供能够抑制不平衡且适于小型化的放大器。具备：多个第1放大元件，它们在封装件中沿输入侧分配电路设置，具有第1栅极焊盘和第1漏极焊盘；多个第2放大元件，它们在该封装件中沿输出侧合成电路设置，具有第2栅极焊盘和第2漏极焊盘；第1输入导线，其将该输入侧分配电路和该第1栅极焊盘连接；第2输入导线，其将该输入侧分配电路和该第2栅极焊盘连接；第1输出导线，其将该第1漏极焊盘和该输出侧合成电路连接；以及第2输出导线，其将该第2漏极焊盘和该输出侧合成电路连接，该多个第1放大元件和该多个第2放大元件设置为交错状，该第1输入导线和该第2输入导线的长度相等，该第1输出导线和该第2输出导线的长度相等。
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