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公开(公告)号：CN102214894B
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201110083417.5
申请日：2011-04-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/022
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的目的在于得到能够低价且简单地制造的在高温特性方面优良的半导体激光器装置及其制造方法。利用模塑树脂（2）将导线（3）固定在框架（1）上。利用焊料（4）将副固定件（5）接合在框架（1）上，利用焊料（6）将半导体激光器芯片（7）接合在副固定件（5）上。这样，利用焊料（4）将框架（1）和副固定件（5）连接，所以能够改善散热性。并且，采用耐热温度比焊料（4、6）的熔点高的模塑树脂（2）。因此，将装载的框架（1）、副固定件（5）及半导体激光器芯片（7）加热，使焊料（4、6）熔融，能够使框架（1）、副固定件（5）及半导体激光器芯片（7）彼此同时接合。
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公开(公告)号：CN102214894A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110083417.5
申请日：2011-04-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/022
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的目的在于得到能够低价且简单地制造的在高温特性方面优良的半导体激光器装置及其制造方法。利用模塑树脂（2）将导线（3）固定在框架（1）上。利用焊料（4）将副固定件（5）接合在框架（1）上，利用焊料（6）将半导体激光器芯片（7）接合在副固定件（5）上。这样，利用焊料（4）将框架（1）和副固定件（5）连接，所以能够改善散热性。并且，采用耐热温度比焊料（4、6）的熔点高的模塑树脂（2）。因此，将装载的框架（1）、副固定件（5）及半导体激光器芯片（7）加热，使焊料（4、6）熔融，能够使框架（1）、副固定件（5）及半导体激光器芯片（7）彼此同时接合。
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公开(公告)号：CN103985768B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201310614577.7
申请日：2013-11-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/02
CPC classification number: G01J1/0204 , G01J1/0271 , H01L31/0203 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体光接收装置。提供了一种能减少对头部上表面的引线接合数的半导体光接收装置。半导体光接收装置（10）具备头部（20）、高频放大器（AMP）以及次黏着基台（SB）。高频放大器（AMP）设置在头部（20）上，并具有上表面，在该上表面具备高频接地焊盘（62）。在次黏着基台（SB）的上表面设置有比次黏着基台的上表面小的半导体光接收元件（APD）。次黏着基台（SB）的上表面具有接合半导体光接收元件（APD）的电极焊盘（67）和设置在其旁边的电极焊盘（66）。高频接地焊盘（62）与电极焊盘（66）通过引线（53）而被连接。
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公开(公告)号：CN101350500B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200810125560.4
申请日：2008-06-13
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/0425 , H01S2301/14
Abstract: 本发明提供一种能够防止在向封装件安装的前后各半导体激光器元件的偏振光旋转的半导体发光装置及其制造方法。在同一衬底(11)上形成多个半导体激光器元件(10a)、(10b)。此外，在多个半导体激光器元件(10a)、(10b)的主面形成Au镀层(16)。并且，使用涂敷在Au镀层(16)上的焊料，将多个半导体激光器元件(10a)、(10b)安装在封装件(22)上。将夹持各半导体激光器元件(10a)、(10b)的发光区域而对置的区域分别作为第一区域和第二区域。并且，在各半导体激光器元件(10a)、(10b)的第一区域和第二区域，使Au镀层(16)的厚度的平均值不一致。
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公开(公告)号：CN101350500A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200810125560.4
申请日：2008-06-13
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/0425 , H01S2301/14
Abstract: 本发明提供一种能够防止在向封装件安装的前后各半导体激光器元件的偏振光旋转的半导体发光装置及其制造方法。在同一衬底(11)上形成多个半导体激光器元件(10a)、(10b)。此外，在多个半导体激光器元件(10a)、(10b)的主面形成Au镀层(16)。并且，使用涂敷在Au镀层(16)上的焊料，将多个半导体激光器元件(10a)、(10b)安装在封装件(22)上。将夹持各半导体激光器元件(10a)、(10b)的发光区域而对置的区域分别作为第一区域和第二区域。并且，在各半导体激光器元件(10a)、(10b)的第一区域和第二区域，使Au镀层(16)的厚度的平均值不一致。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101958507A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010231717.9
申请日：2010-07-15
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/02272 , G11B7/1275 , G11B2007/0006 , H01S5/0224 , H01S5/22 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01S2301/14
Abstract: 本发明涉及半导体激光器装置，在热沉上以结下方式接合2波长半导体激光器芯片，其中，降低在激光器芯片和热沉之间产生的组装应力，减小2个激光器各自的偏振角。在热沉和2波长半导体激光器芯片的接合中使用SnAg焊料。这时，针对2个激光器的每一个，将从波导的中心起至芯片中心侧的热沉与2波长半导体激光器芯片的接合面的端部的距离、与从波导的中心起至芯片端侧的热沉与2波长半导体激光器芯片的接合面的端部的距离的比分别作为0.69以上1.46以下。
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公开(公告)号：CN101272034A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200810083035.0
申请日：2008-03-18
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L24/02 , H01L2224/45 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/4823 , H01L2224/83121 , H01L2224/85 , H01L2224/85205 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 在针对在眼孔上粘结次粘着基台和半导体芯片的封装件的安装方式中，由于组装装置的精度的影响，眼孔的中心线和激光二极管的中心线倾斜，并且用于引线接合的Au球露出到电极外。引线接合用电极图形具有引线接合基准图形和引线接合识别图形，将从引线接合基准图形到引线接合位置的距离和从引线接合识别图形到引线接合位置的距离设定为预定的值，由此，能够精度良好地进行引线接合。
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公开(公告)号：CN1264260C
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN03131241.1
申请日：2003-05-08
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/227
CPC classification number: H01S5/227 , H01S5/0425 , H01S5/06226 , H01S5/2277
Abstract: 提供具有在制造、安装工序中防止波导区损伤的结构的半导体光装置。脊形波导型的半导体光装置，包括被1对台面沟夹着的波导区、台面沟的外方的第1安装区以及第2安装区、设在第1安装区的第1隔离层以及设在第2安装区的第2隔离层、与波导区的上部覆层电连接、从波导区的上部延伸到第1安装区的上部的第1金属层、以及设在第2安装区的上部的第2金属层，从半导体衬底的背面到第1安装区的第1金属层的上端的高度以及从半导体衬底的背面到第2安装区的第2金属层的上端的高度，均比从半导体衬底的背面到波导区的第1金属层的上端的高度高。
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公开(公告)号：CN103985768A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201310614577.7
申请日：2013-11-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/02
CPC classification number: G01J1/0204 , G01J1/0271 , H01L31/0203 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体光接收装置。提供了一种能减少对头部上表面的引线接合数的半导体光接收装置。半导体光接收装置（10）具备头部（20）、高频放大器（AMP）以及次黏着基台（SB）。高频放大器（AMP）设置在头部（20）上，并具有上表面，在该上表面具备高频接地焊盘（62）。在次黏着基台（SB）的上表面设置有比次黏着基台的上表面小的半导体光接收元件（APD）。次黏着基台（SB）的上表面具有接合半导体光接收元件（APD）的电极焊盘（67）和设置在其旁边的电极焊盘（66）。高频接地焊盘（62）与电极焊盘（66）通过引线（53）而被连接。
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公开(公告)号：CN101272034B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200810083035.0
申请日：2008-03-18
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L24/02 , H01L2224/45 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/4823 , H01L2224/83121 , H01L2224/85 , H01L2224/85205 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 在针对在眼孔上粘结次粘着基台和半导体芯片的封装件的安装方式中，由于组装装置的精度的影响，眼孔的中心线和激光二极管的中心线倾斜，并且用于引线接合的Au球露出到电极外。引线接合用电极图形具有引线接合基准图形和引线接合识别图形，将从引线接合基准图形到引线接合位置的距离和从引线接合识别图形到引线接合位置的距离设定为预定的值，由此，能够精度良好地进行引线接合。
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