公开(公告)号：CN110178275A

公开(公告)日：2019-08-27

申请号：CN201780083335.6

申请日：2017-01-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 渊田步 ,  奥贯雄一郎 ,  境野刚 ,  上辻哲也 ,  中村直干

IPC: H01S5/12

Abstract: 特征在于，具备：半导体基板；谐振器部，其形成于半导体基板之上，具有有源层、后端面、和呈倒台面斜面的前端面；防反射涂膜，其形成于该前端面；反射膜，其形成于该后端面；衍射光栅，其形成于该有源层之上或之下；上部电极，其形成于该谐振器部之上；以及下部电极，其形成于该半导体基板之下，该谐振器部的谐振器方向的长度比该半导体基板的该谐振器方向的长度短，从该前端面射出激光。

公开(公告)号：CN1264260C

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN03131241.1

申请日：2003-05-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 羽田英树 ,  境野刚 ,  久义浩

IPC: H01S5/227

CPC classification number: H01S5/227 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/06226 ,  H01S5/2277

Abstract: 提供具有在制造、安装工序中防止波导区损伤的结构的半导体光装置。脊形波导型的半导体光装置，包括被1对台面沟夹着的波导区、台面沟的外方的第1安装区以及第2安装区、设在第1安装区的第1隔离层以及设在第2安装区的第2隔离层、与波导区的上部覆层电连接、从波导区的上部延伸到第1安装区的上部的第1金属层、以及设在第2安装区的上部的第2金属层，从半导体衬底的背面到第1安装区的第1金属层的上端的高度以及从半导体衬底的背面到第2安装区的第2金属层的上端的高度，均比从半导体衬底的背面到波导区的第1金属层的上端的高度高。

公开(公告)号：CN110178275B

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN201780083335.6

申请日：2017-01-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 渊田步 ,  奥贯雄一郎 ,  境野刚 ,  上辻哲也 ,  中村直干

IPC: H01S5/12

Abstract: 特征在于，具备：半导体基板；谐振器部，其形成于半导体基板之上，具有有源层、后端面、和呈倒台面斜面的前端面；防反射涂膜，其形成于该前端面；反射膜，其形成于该后端面；衍射光栅，其形成于该有源层之上或之下；上部电极，其形成于该谐振器部之上；以及下部电极，其形成于该半导体基板之下，该谐振器部的谐振器方向的长度比该半导体基板的该谐振器方向的长度短，从该前端面射出激光。

公开(公告)号：CN110431720B

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN201780088584.4

申请日：2017-03-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 境野刚 ,  中村直干 ,  奥贯雄一郎

IPC: H01S5/026

Abstract: 半导体激光器(2)具有n型半导体衬底(1)和在n型半导体衬底(1)之上依次层叠的n型包覆层(4)、有源层(5)以及p型包覆层(6)。光波导(3)具有芯层(9)和包覆层(10)，该芯层(9)位于n型半导体衬底(1)之上且设置于半导体激光器(2)的光输出侧，没有掺杂杂质，与有源层(5)相比禁带宽度大，该包覆层(10)设置于芯层(9)之上，与p型包覆层(6)相比载流子浓度低。半导体激光器(2)具有载流子注入区域(X1)以及在载流子注入区域(X1)和光波导(3)之间设置的非载流子注入区域(X2)。

公开(公告)号：CN111937260A

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN201880092013.2

申请日：2018-04-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 渊田步 ,  中村直干 ,  境野刚

IPC: H01S5/227

Abstract: 具有：有源层脊(6)，其在n型InP衬底(1)之上依次层叠了n型包覆层(2)、有源层(3)、第一p型包覆层(4)、第二n型阻挡层(5)，有源层脊(6)是从比有源层(3)低的位置凸出而形成的；填埋层(7)，其将有源层脊(6)的两侧填埋至比有源层(3)高的位置；第一n型阻挡层(8)，其在有源层脊(6)的两侧层叠于填埋层(7)的表面侧；以及第二p型包覆层(10)，其对有源层脊(6)的端部以及第一n型阻挡层(8)进行填埋，在处于有源层脊(6)顶部的第二n型阻挡层(5)的中央设置使空穴电流通过的电流狭窄窗(9)。

公开(公告)号：CN101593930A

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200910002706.0

申请日：2009-01-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 泷口透 ,  奥贯雄一郎 ,  境野刚

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/227 ,  H01S5/2222 ,  H01S5/2226 ,  H01S5/2275

Abstract: 本发明涉及半导体激光器及其制造方法。得到能够进行10Gbps以上的高速调制的半导体激光器。形成层叠了p型InP覆盖层(12)(p型覆盖层)、AlGaInAs应变量子阱活性层(14)(活性层)以及n型InP覆盖层(16)(n型覆盖层)的脊结构(18)。用埋入层(20)对脊结构(18)的两侧进行埋入。埋入层(20)具有构成pn结(30)的低载流子浓度p型InP层(26)(p型半导体层)和n型InP层(24)(n型半导体层)。低载流子浓度p型InP层(26)的pn结附近的载流子浓度为5×1017cm－3以下。

公开(公告)号：CN101499625A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200810160916.8

申请日：2008-09-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 境野刚

IPC: H01S5/223

CPC classification number: H01S5/227 ,  H01S5/028 ,  H01S5/12 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/2222 ,  H01S5/2275

Abstract: 本发明的目的在于得到一种能够确保良好特性和较高的可靠性的半导体光元件的制造方法。在p型InP覆盖层(12)(第一半导体层)上形成槽(14)。在槽(14)内形成含有Al元素的活性层(15)(第二半导体层)。在p型InP覆盖层(12)和活性层(15)上形成n型InP覆盖层(16)(第三半导体层)。在n型InP覆盖层(16)上，以覆盖活性层15的上方的方式形成绝缘膜(17)。将绝缘膜(17)作为掩模，不使活性层(15)露出地刻蚀p型InP覆盖层(12)和n型InP覆盖层(16)，形成条纹结构(18)。由p型InP埋入层(19)、n型InP埋入层(20)和p型InP埋入层(21)埋入条纹结构(18)。

公开(公告)号：CN105811239B

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201610039147.0

申请日：2016-01-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 境野刚

IPC: H01S5/026

Abstract: 本发明得到一种光半导体装置，其能够兼顾半导体激光器部与光波导部之间的电分离以及高的光耦合效率。光波导部(3)的上包层(9)具有与半导体激光器部(2)的p型包层(6)相比载流子浓度较低的第一低载流子浓度层(10)、在第一低载流子浓度层(10)上形成的Fe掺杂InP层(11)。漏电流抑制层(14)具有配置在p型半导体层(13)的旁边的Fe掺杂InP层(15)。第一低载流子浓度层(10)具有与p型包层(6)的侧面接触的侧壁部(12)。Fe掺杂InP层(11)隔着第一低载流子浓度层(10)的侧壁部(12)而配置在p型包层(6)的旁边，与p型包层(6)不接触。

公开(公告)号：CN107039881A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201710056430.9

申请日：2017-01-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 铃木洋介 ,  奥贯雄一郎 ,  境野刚 ,  中村直干 ,  铃木凉子

IPC: H01S5/022

Abstract: 本发明涉及一种光半导体装置，涉及搭载半导体激光器、适于在高频下使用的光半导体装置，本发明的目的在于得到一种光半导体装置，其具有半导体激光器的后端面侧出射光难以触碰安装基板的构造。具有：半导体激光器，其在前端面侧将前端面侧出射光射出，在后端面侧将后端面侧出射光射出；以及安装基板，其在表面具有所述半导体激光器，所述后端面侧出射光是以与所述后端面相距越远则越远离所述安装基板的出射光轴而射出的。

公开(公告)号：CN105811239A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201610039147.0

申请日：2016-01-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 境野刚

IPC: H01S5/026

CPC classification number: H01S5/2275 ,  H01S5/026 ,  H01S5/12 ,  H01S5/2222 ,  H01S5/2224 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/34366 ,  H01S2301/17 ,  H01S5/0261

Abstract: 本发明得到一种光半导体装置，其能够兼顾半导体激光器部与光波导部之间的电分离以及高的光耦合效率。光波导部(3)的上包层(9)具有与半导体激光器部(2)的p型包层(6)相比载流子浓度较低的第一低载流子浓度层(10)、在第一低载流子浓度层(10)上形成的Fe掺杂InP层(11)。漏电流抑制层(14)具有配置在p型半导体层(13)的旁边的Fe掺杂InP层(15)。第一低载流子浓度层(10)具有与p型包层(6)的侧面接触的侧壁部(12)。Fe掺杂InP层(11)隔着第一低载流子浓度层(10)的侧壁部(12)而配置在p型包层(6)的旁边，与p型包层(6)不接触。