公开(公告)号：CN110178275A

公开(公告)日：2019-08-27

申请号：CN201780083335.6

申请日：2017-01-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 渊田步 ,  奥贯雄一郎 ,  境野刚 ,  上辻哲也 ,  中村直干

IPC: H01S5/12

Abstract: 特征在于，具备：半导体基板；谐振器部，其形成于半导体基板之上，具有有源层、后端面、和呈倒台面斜面的前端面；防反射涂膜，其形成于该前端面；反射膜，其形成于该后端面；衍射光栅，其形成于该有源层之上或之下；上部电极，其形成于该谐振器部之上；以及下部电极，其形成于该半导体基板之下，该谐振器部的谐振器方向的长度比该半导体基板的该谐振器方向的长度短，从该前端面射出激光。

公开(公告)号：CN111052520A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201780094518.8

申请日：2017-09-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 渊田步 ,  境野刚 ,  上辻哲也 ,  中村直干

IPC: H01S5/026 ,  H01S5/12

Abstract: 半导体光器件具有：半导体衬底，其具有宽度及长度；激光器部，其设置于半导体衬底之上，包含有源层；以及光波导通路部，其设置于半导体衬底之上的激光器部的相邻处而与激光器部接合。光波导通路部包含与有源层的端部连接的芯层和将芯层夹在内侧的一对包层，该光波导通路部将从与激光器部之间的接合界面入射的光从出射端面射出。半导体光器件具有在光波导通路部的上表面设置的反射抑制层。反射抑制层叠放于光波导通路部的上表面中的长度方向上的光波导通路部的中央部，该反射抑制层设置得比光波导通路部的全长短。反射抑制层抑制朝向中央部而在包层之中行进的光在中央部被反射。

公开(公告)号：CN110178275B

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN201780083335.6

申请日：2017-01-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 渊田步 ,  奥贯雄一郎 ,  境野刚 ,  上辻哲也 ,  中村直干

IPC: H01S5/12

Abstract: 特征在于，具备：半导体基板；谐振器部，其形成于半导体基板之上，具有有源层、后端面、和呈倒台面斜面的前端面；防反射涂膜，其形成于该前端面；反射膜，其形成于该后端面；衍射光栅，其形成于该有源层之上或之下；上部电极，其形成于该谐振器部之上；以及下部电极，其形成于该半导体基板之下，该谐振器部的谐振器方向的长度比该半导体基板的该谐振器方向的长度短，从该前端面射出激光。

公开(公告)号：CN104810723A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201510032860.8

申请日：2015-01-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 上辻哲也 ,  川崎和重 ,  南政史

IPC: H01S5/12

CPC classification number: H01S5/323 ,  H01S5/1225 ,  H01S5/1231 ,  H01S5/3211

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够缩短电子束光刻所需的时间的分布反馈型半导体激光元件以及分布反馈型半导体激光元件的制造方法。该分布反馈型半导体激光元件的特征在于，具有：衬底(12)；活性层(16)，其形成在该衬底(12)的上方；以及衍射光栅(20)，其具有第1图案(20a)以及比该第1图案(20a)短且与该第1图案(20a)的中央部相对的第2图案(20b)，对该活性层(16)产生的光进行衍射。

公开(公告)号：CN111052520B

公开(公告)日：2021-10-15

申请号：CN201780094518.8

申请日：2017-09-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 渊田步 ,  境野刚 ,  上辻哲也 ,  中村直干

IPC: H01S5/026 ,  H01S5/12

Abstract: 半导体光器件具有：半导体衬底，其具有宽度及长度；激光器部，其设置于半导体衬底之上，包含有源层；以及光波导通路部，其设置于半导体衬底之上的激光器部的相邻处而与激光器部接合。光波导通路部包含与有源层的端部连接的芯层和将芯层夹在内侧的一对包层，该光波导通路部将从与激光器部之间的接合界面入射的光从出射端面射出。半导体光器件具有在光波导通路部的上表面设置的反射抑制层。反射抑制层叠放于光波导通路部的上表面中的长度方向上的光波导通路部的中央部，该反射抑制层设置得比光波导通路部的全长短。反射抑制层抑制朝向中央部而在包层之中行进的光在中央部被反射。

公开(公告)号：CN113498545A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN201980076194.4

申请日：2019-03-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 上辻哲也 ,  渊田步 ,  铃木正人

IPC: H01L21/301 ,  B28D5/00

Abstract: 本发明的半导体芯片制造装置(10、20、30、40)设置于填充有液体(1a、1b、1c)的壳体(2)中，将半导体晶片(5)分割来制作多个LD芯片，其中，半导体晶片(5)预先形成有划分线(8)并刻有划线(7)，并且沿着该划线(7)形成有微小裂纹，半导体芯片制造装置(10、20、30、40)具备：承受台(4)，其保持上述半导体晶片(5)；以及刀刃(3)，其沿着由上述划分线(8)或上述划线(7)构成的裂纹部(6)对上述半导体晶片(5)进行加压，上述半导体晶片(5)利用上述刀刃(3)在上述液体(1a、1b、1c)中沿着上述裂纹部(6)对半导体晶片(5)进行加压而分割为多个LD芯片。