公开(公告)号：CN110431720A

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：CN201780088584.4

申请日：2017-03-23

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 境野刚 ,  中村直干 ,  奥贯雄一郎

IPC分类号： H01S5/026

摘要： 半导体激光器(2)具有n型半导体衬底(1)和在n型半导体衬底(1)之上依次层叠的n型包覆层(4)、有源层(5)以及p型包覆层(6)。光波导(3)具有芯层(9)和包覆层(10)，该芯层(9)位于n型半导体衬底(1)之上且设置于半导体激光器(2)的光输出侧，没有掺杂杂质，与有源层(5)相比禁带宽度大，该包覆层(10)设置于芯层(9)之上，与p型包覆层(6)相比载流子浓度低。半导体激光器(2)具有载流子注入区域(X1)以及在载流子注入区域(X1)和光波导(3)之间设置的非载流子注入区域(X2)。

公开(公告)号：CN107039881B

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201710056430.9

申请日：2017-01-25

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 铃木洋介 ,  奥贯雄一郎 ,  境野刚 ,  中村直干 ,  铃木凉子

IPC分类号： H01S5/022

摘要： 本发明涉及一种光半导体装置，涉及搭载半导体激光器、适于在高频下使用的光半导体装置，本发明的目的在于得到一种光半导体装置，其具有半导体激光器的后端面侧出射光难以触碰安装基板的构造。具有：半导体激光器，其在前端面侧将前端面侧出射光射出，在后端面侧将后端面侧出射光射出；以及安装基板，其在表面具有所述半导体激光器，所述后端面侧出射光是以与所述后端面相距越远则越远离所述安装基板的出射光轴而射出的。

公开(公告)号：CN110178275A

公开(公告)日：2019-08-27

申请号：CN201780083335.6

申请日：2017-01-19

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 渊田步 ,  奥贯雄一郎 ,  境野刚 ,  上辻哲也 ,  中村直干

IPC分类号： H01S5/12

摘要： 特征在于，具备：半导体基板；谐振器部，其形成于半导体基板之上，具有有源层、后端面、和呈倒台面斜面的前端面；防反射涂膜，其形成于该前端面；反射膜，其形成于该后端面；衍射光栅，其形成于该有源层之上或之下；上部电极，其形成于该谐振器部之上；以及下部电极，其形成于该半导体基板之下，该谐振器部的谐振器方向的长度比该半导体基板的该谐振器方向的长度短，从该前端面射出激光。

公开(公告)号：CN107453205A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710397576.X

申请日：2017-05-31

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 渊田步 ,  奥贯雄一郎

IPC分类号： H01S5/18 ,  H01S5/187

摘要： 得到一种端面射出型半导体激光器，其能够抑制与温度变化相伴的振荡波长错动，而不会使生产性和成品率降低。在半导体基板(1)之上形成有具有第1折射率的第1覆层(2)。在第1覆层(2)之上形成有具有比第1折射率高的第2折射率的有源层(3)。在有源层(3)之上形成有布拉格反射镜(4)，该布拉格反射镜是将厚度均比λ/4n厚的低折射率层(4a)和高折射率层(4b)交替地层叠而得到的，其中，λ为振荡波长，n为介质的折射率。在布拉格反射镜(4)之上形成有具有比有源层(3)小的带隙能的光吸收层(5)。在光吸收层(5)之上形成有具有比第2折射率低的第3折射率的第2覆层(6)。

公开(公告)号：CN1767284A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200510118823.5

申请日：2005-10-28

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 奥贯雄一郎 ,  松冈裕益

IPC分类号： H01S5/028 ,  H01S5/10

CPC分类号： H01S5/10

摘要： 本发明提供特性偏差小且高斜度效率的法布里－珀罗型激光二极管或可抑制回程光噪声的分布反馈型激光二极管等的半导体激光器。至少在一个激光出射面形成电介质膜的半导体激光器中，作为电介质膜，采用使出射面上的反射率的波长依存性在激光器的振荡波长附近成为极大或极小，且激光器的振荡波长在出射面的反射率设定为10％以上、25％以下的多种电介质的层叠膜。

公开(公告)号：CN113841310A

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN201980094951.0

申请日：2019-05-27

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 永尾龙介 ,  奥贯雄一郎 ,  松本启资

IPC分类号： H01S5/026

摘要： 光半导体装置(1)具备：多个半导体激光器(2)，它们从前端侧输出第一光，并且从与前端侧相反的一侧即后端侧输出第二光；光合波电路(4)，其对从多个半导体激光器(2)输出的第一光进行合波并将输出光(7)输出；多个波导路(8)，它们将第二光分别向该光半导体装置(1)的一端面(12)侧导波；以及多个光检测器(9)，它们接收在波导路(8)中进行了导波的第二光分别在一端面(12)或在形成于一端面(12)的多个凹部(14)的倾斜端面(35)反射后的各个反射光(11)。光检测器(9)配置于半导体激光器(2)的后端侧与一端面(12)或倾斜端面(35)之间，从波导路(8)输出的第二光相对于一端面(12)或倾斜端面(35)的垂线倾斜地输出。

公开(公告)号：CN110178275B

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN201780083335.6

申请日：2017-01-19

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 渊田步 ,  奥贯雄一郎 ,  境野刚 ,  上辻哲也 ,  中村直干

IPC分类号： H01S5/12

摘要： 特征在于，具备：半导体基板；谐振器部，其形成于半导体基板之上，具有有源层、后端面、和呈倒台面斜面的前端面；防反射涂膜，其形成于该前端面；反射膜，其形成于该后端面；衍射光栅，其形成于该有源层之上或之下；上部电极，其形成于该谐振器部之上；以及下部电极，其形成于该半导体基板之下，该谐振器部的谐振器方向的长度比该半导体基板的该谐振器方向的长度短，从该前端面射出激光。

公开(公告)号：CN110431720B

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN201780088584.4

申请日：2017-03-23

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 境野刚 ,  中村直干 ,  奥贯雄一郎

IPC分类号： H01S5/026

摘要： 半导体激光器(2)具有n型半导体衬底(1)和在n型半导体衬底(1)之上依次层叠的n型包覆层(4)、有源层(5)以及p型包覆层(6)。光波导(3)具有芯层(9)和包覆层(10)，该芯层(9)位于n型半导体衬底(1)之上且设置于半导体激光器(2)的光输出侧，没有掺杂杂质，与有源层(5)相比禁带宽度大，该包覆层(10)设置于芯层(9)之上，与p型包覆层(6)相比载流子浓度低。半导体激光器(2)具有载流子注入区域(X1)以及在载流子注入区域(X1)和光波导(3)之间设置的非载流子注入区域(X2)。

公开(公告)号：CN101593930A

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200910002706.0

申请日：2009-01-19

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 泷口透 ,  奥贯雄一郎 ,  境野刚

IPC分类号： H01S5/00 ,  H01S5/343

CPC分类号： H01S5/227 ,  H01S5/2222 ,  H01S5/2226 ,  H01S5/2275

摘要： 本发明涉及半导体激光器及其制造方法。得到能够进行10Gbps以上的高速调制的半导体激光器。形成层叠了p型InP覆盖层(12)(p型覆盖层)、AlGaInAs应变量子阱活性层(14)(活性层)以及n型InP覆盖层(16)(n型覆盖层)的脊结构(18)。用埋入层(20)对脊结构(18)的两侧进行埋入。埋入层(20)具有构成pn结(30)的低载流子浓度p型InP层(26)(p型半导体层)和n型InP层(24)(n型半导体层)。低载流子浓度p型InP层(26)的pn结附近的载流子浓度为5×1017cm－3以下。

公开(公告)号：CN1251370C

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN03145145.4

申请日：2003-06-20

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 奥贯雄一郎

IPC分类号： H01S5/00

CPC分类号： H01S5/16 ,  H01S5/168 ,  H01S2301/173 ,  H01S2301/18

摘要： 本发明提供可以出射角度无偏移地输出激光的、具有窗口结构的半导体激光器。在激活层上发生的光经窗口部分出射的这种半导体激光器中，在衬底上形成的窗口部分中设有：以第一载流子浓度形成的第一半导体层，以及以比第一载流子浓度低的第二载流子浓度形成的包含激活层延长面的第二半导体层。在窗口部分中的第二半导体层的上方还设有以第三载流子浓度形成的第三半导体层，窗口部分的光的折射率分布，以激活层的延长面为中心在层叠方向上成对称。从而产生的激光均等地传播，因此，能使激光在垂直方向(层叠方向)上无偏移地出射。