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公开(公告)号：CN1224150C
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN02151343.0
申请日：2002-11-18
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/223 , H01S5/12 , H01S5/124 , H01S5/209 , H01S5/22 , H01S5/2231 , H01S5/3211
Abstract: 本发明提供漏电流少、改善温度特性、高速动作特性的脊形波导型半导体激光装置。它具有在p型半导体衬底上顺序形成p型包层、量子阱活性层、n型薄的第1包层、n型厚的第2包层的二重异质构造元件，在第2包层上形成的第2条沟之间形成脊形波导，对各沟的蚀刻，使用第1包层作为蚀刻阻塞层，并使各沟达到第1包层的表面或其近旁。薄的第1包层抑制漏电流，改善温度特性、高速动作特性。在各沟正下方的第1包层部分上形成高电阻区，进一步抑制漏电流。
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公开(公告)号：CN103138156B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201210489740.7
申请日：2012-11-27
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 泷口透
IPC: H01S5/227
CPC classification number: H01S5/026 , G02B6/122 , G02B6/4202 , G02B2006/121 , H01S5/1014 , H01S5/1017 , H01S5/2275
Abstract: 本发明得到能够防止光输出下降的光半导体装置。光波导（2）与半导体激光器（1）对接接合。半导体激光器（1）是具有InGaAsP应变量子阱有源层（5）和覆盖InGaAsP应变量子阱有源层（5）的侧面的埋入层（17）的台面构造。光波导（2）是具有由与InGaAsP应变量子阱有源层（5）不同的层构造构成的AlGaInAs量子阱光波导层（9）和覆盖AlGaInAs量子阱光波导层（9）的侧面的埋入层（17）的台面构造。光波导（2）的台面宽度（W2）比半导体激光器（1）的台面宽度（W1）窄。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103633555A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310307818.3
申请日：2013-07-22
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G02B6/0001 , B82Y20/00 , G02B6/122 , G02B6/2813 , G02B2006/1215 , H01S5/026 , H01S5/0265 , H01S5/227 , H01S5/34306 , H01S5/4031
Abstract: 本发明的课题是得到能够减小分别驱动多个半导体激光器时的输出光的线宽的波动的光半导体装置。解决的手段是，MMI耦合器（2）将来自分离配置的两组半导体激光器（1a～1l）的输出光耦合。SOA（3）将来自MMI耦合器（2）的输出光放大。多条弯曲波导路（4a～4l）将两组半导体激光器（1a～1l）分别连接于MMI耦合器（2）。多条弯曲波导路（4a～4l）的曲率半径完全相同。
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公开(公告)号：CN101593930A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200910002706.0
申请日：2009-01-19
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/227 , H01S5/2222 , H01S5/2226 , H01S5/2275
Abstract: 本发明涉及半导体激光器及其制造方法。得到能够进行10Gbps以上的高速调制的半导体激光器。形成层叠了p型InP覆盖层(12)(p型覆盖层)、AlGaInAs应变量子阱活性层(14)(活性层)以及n型InP覆盖层(16)(n型覆盖层)的脊结构(18)。用埋入层(20)对脊结构(18)的两侧进行埋入。埋入层(20)具有构成pn结(30)的低载流子浓度p型InP层(26)(p型半导体层)和n型InP层(24)(n型半导体层)。低载流子浓度p型InP层(26)的pn结附近的载流子浓度为5×1017cm－3以下。
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公开(公告)号：CN103138156A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201210489740.7
申请日：2012-11-27
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 泷口透
IPC: H01S5/227
CPC classification number: H01S5/026 , G02B6/122 , G02B6/4202 , G02B2006/121 , H01S5/1014 , H01S5/1017 , H01S5/2275
Abstract: 本发明得到能够防止光输出下降的光半导体装置。光波导（2）与半导体激光器（1）对接接合。半导体激光器（1）是具有InGaAsP应变量子阱有源层（5）和覆盖InGaAsP应变量子阱有源层（5）的侧面的埋入层（17）的台面构造。光波导（2）是具有由与InGaAsP应变量子阱有源层（5）不同的层构造构成的AlGaInAs量子阱光波导层（9）和覆盖AlGaInAs量子阱光波导层（9）的侧面的埋入层（17）的台面构造。光波导（2）的台面宽度（W2）比半导体激光器（1）的台面宽度（W1）窄。
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公开(公告)号：CN101593930B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200910002706.0
申请日：2009-01-19
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/227 , H01S5/2222 , H01S5/2226 , H01S5/2275
Abstract: 本发明涉及半导体激光器及其制造方法。得到能够进行10Gbps以上的高速调制的半导体激光器。形成层叠了p型InP覆盖层(12)(p型覆盖层)、AlGaInAs应变量子阱活性层(14)(活性层)以及n型InP覆盖层(16)(n型覆盖层)的脊结构(18)。用埋入层(20)对脊结构(18)的两侧进行埋入。埋入层(20)具有构成pn结(30)的低载流子浓度p型InP层(26)(p型半导体层)和n型InP层(24)(n型半导体层)。低载流子浓度p型InP层(26)的pn结附近的载流子浓度为5×1017cm-3以下。
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公开(公告)号：CN1445892A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN02151343.0
申请日：2002-11-18
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/223 , H01S5/12 , H01S5/124 , H01S5/209 , H01S5/22 , H01S5/2231 , H01S5/3211
Abstract: 本发明提供漏电流少、改善温度特性、高速动作特性的脊形波导型半导体激光装置。它具有在p型半导体衬底上顺序形成p型包层、量子阱活性层、n型薄的第1包层、n型厚的第2包层的二重异质构造元件，在第2包层上形成的第2条沟之间形成脊形波导，对各沟的蚀刻，使用第1包层作为蚀刻阻塞层，并使各沟达到第1包层的表面或其近旁。薄的第1包层抑制漏电流，改善温度特性、高速动作特性。在各沟正下方的第1包层部分上形成高电阻区，进一步抑制漏电流。
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