公开(公告)号：CN1445892A

公开(公告)日：2003-10-01

申请号：CN02151343.0

申请日：2002-11-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 三桥丰 ,  泷口透 ,  花卷吉彦

IPC: H01S5/30 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01S5/223 ,  H01S5/12 ,  H01S5/124 ,  H01S5/209 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3211

Abstract: 本发明提供漏电流少、改善温度特性、高速动作特性的脊形波导型半导体激光装置。它具有在p型半导体衬底上顺序形成p型包层、量子阱活性层、n型薄的第1包层、n型厚的第2包层的二重异质构造元件，在第2包层上形成的第2条沟之间形成脊形波导，对各沟的蚀刻，使用第1包层作为蚀刻阻塞层，并使各沟达到第1包层的表面或其近旁。薄的第1包层抑制漏电流，改善温度特性、高速动作特性。在各沟正下方的第1包层部分上形成高电阻区，进一步抑制漏电流。

公开(公告)号：CN1224150C

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN02151343.0

申请日：2002-11-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 三桥丰 ,  泷口透 ,  花卷吉彦

IPC: H01S5/30 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01S5/223 ,  H01S5/12 ,  H01S5/124 ,  H01S5/209 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3211

Abstract: 本发明提供漏电流少、改善温度特性、高速动作特性的脊形波导型半导体激光装置。它具有在p型半导体衬底上顺序形成p型包层、量子阱活性层、n型薄的第1包层、n型厚的第2包层的二重异质构造元件，在第2包层上形成的第2条沟之间形成脊形波导，对各沟的蚀刻，使用第1包层作为蚀刻阻塞层，并使各沟达到第1包层的表面或其近旁。薄的第1包层抑制漏电流，改善温度特性、高速动作特性。在各沟正下方的第1包层部分上形成高电阻区，进一步抑制漏电流。