半导体光装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1264260C

    公开(公告)日:2006-07-12

    申请号:CN03131241.1

    申请日:2003-05-08

    CPC classification number: H01S5/227 H01S5/0425 H01S5/06226 H01S5/2277

    Abstract: 提供具有在制造、安装工序中防止波导区损伤的结构的半导体光装置。脊形波导型的半导体光装置,包括被1对台面沟夹着的波导区、台面沟的外方的第1安装区以及第2安装区、设在第1安装区的第1隔离层以及设在第2安装区的第2隔离层、与波导区的上部覆层电连接、从波导区的上部延伸到第1安装区的上部的第1金属层、以及设在第2安装区的上部的第2金属层,从半导体衬底的背面到第1安装区的第1金属层的上端的高度以及从半导体衬底的背面到第2安装区的第2金属层的上端的高度,均比从半导体衬底的背面到波导区的第1金属层的上端的高度高。

    半导体光装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1457121A

    公开(公告)日:2003-11-19

    申请号:CN03131241.1

    申请日:2003-05-08

    CPC classification number: H01S5/227 H01S5/0425 H01S5/06226 H01S5/2277

    Abstract: 提供具有在制造、安装工序中防止波导区损伤的结构的半导体光装置。脊形波导型的半导体光装置,包括被1对台面沟夹着的波导区、台面沟的外方的第1安装区以及第2安装区、设在第1安装区的第1隔离层以及设在第2安装区的第2隔离层、与波导区的上部覆层电连接、从波导区的上部延伸到第1安装区的上部的第1金属层、以及设在第2安装区的上部的第2金属层,从半导体衬底的背面到第1安装区的第1金属层的上端的高度以及从半导体衬底的背面到第2安装区的第2金属层的上端的高度,均比从半导体衬底的背面到波导区的第1金属层的上端的高度高。

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