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公开(公告)号：CN116897481A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202180094851.5
申请日：2021-03-05
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/227
Abstract: 本发明的光半导体装置具备：第1导电型的半导体基板(1)，具有凸状部(1a)；第2导电型的中间层(2)，形成于所述半导体基板(1)的所述凸状部(1a)的两侧的部分上；条纹状的台面构造(6)，由以所述凸状部(1a)为中心层叠于包含所述凸状部(1a)的顶部的面上的第1导电型的第1包层(3)、活性层(4)以及第2导电型的第2包层(5)构成；埋入层(7)，形成于所述台面构造(6)的两侧，并阻止电流；以及第2导电型的接触层(8)，形成于所述台面构造(6)的表面以及所述埋入层(7)的表面。
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公开(公告)号：CN101447640B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200810165771.0
申请日：2008-09-23
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , H01S5/02212 , H01S5/0224 , H01S5/02244 , H01S5/02272 , H01S5/02476 , H01S5/4087
Abstract: 本发明提供一种能够减小激光器的起偏振角的半导体发光装置及其制造方法。本发明的半导体发光装置是将半导体激光芯片(11)以结向下方式接合到AlN衬底(12)上，并将该AlN衬底(12)接合到Cu管座13(封装)上而形成的。将与半导体激光芯片(11)的激光照射方向垂直的方向作为AlN衬底(12)的宽度W的方向。对AlN衬底(12)厚度H和宽度W进行设定，使得半导体激光芯片(11)与AlN衬底(12)发生接合的面的中心部受到的等效应力与AlN衬底(12)的宽度W方向的应力相乘后所得的数值∑不会超过通过改变AlN衬底(12)的厚度H和宽度W所能得到的数值∑的最大值的70％。
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公开(公告)号：CN100508312C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200410057521.7
申请日：2004-08-17
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/40
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/2063 , H01S5/2086 , H01S5/209 , H01S5/2231 , H01S5/34326 , H01S5/34353 , H01S5/4031 , H01S5/4087
Abstract: 提供一种单片式半导体激光器及其制造方法，使条带构造的相对的位置，发光点之间的相对的位置变成恒定。该单片式半导体激光器包含发光波长不同的多个半导体激光器，包括：半导体衬底；形成在半导体衬底上的第1区域中、从上下用第1包层把第1活性层夹在中间的第1双异质结构；形成在半导体衬底上的第2区域中、从上下用第2包层把第2活性层夹在中间的第2双异质结构；在第1活性层与该第1活性层的上侧的第1包层之间、和在第2活性层与该第2活性层的上侧的第2包层之间形成的刻蚀阻挡层；第1和第2活性层由不同的半导体材料构成。第1活性层上下的第1包层由基本相同的半导体材料构成，第2活性层上下的第2包层由基本相同的半导体材料构成。
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公开(公告)号：CN1604415A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410057521.7
申请日：2004-08-17
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/2063 , H01S5/2086 , H01S5/209 , H01S5/2231 , H01S5/34326 , H01S5/34353 , H01S5/4031 , H01S5/4087
Abstract: 提供一种单片式半导体激光器及其制造方法，使条带构造的相对的位置，即，发光点之间的相对的位置变成恒定。该单片式半导体激光器包含发光波长不同的多个半导体激光器，且包括：半导体衬底；在半导体衬底上的第1区域中形成的、从上下用第1包层把第1活性层夹在中间的第1双异质结构；在半导体衬底上的第2区域中形成的、从上下用第2包层把第2活性层夹在中间的第2双异质结构；第1和第2活性层由彼此不同的半导体材料构成。此外，第1活性层上下的第1包层由基本相同的半导体材料构成，而且，第2活性层上下的第2包层由基本相同的半导体材料构成。
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公开(公告)号：CN111937259A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201880091918.8
申请日：2018-04-02
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体光元件具有第一包层、第二包层、光限制层(2、20)，该第二包层具有形成为脊形状的脊部(20)，该光限制层(2、20)位于第一包层和第二包层之间，对光进行传播，脊部(20)从接近光限制层(2、20)的一侧起依次具有脊下部(5)、脊中间部(6)、脊上部(8)，脊中间部(6)的与光限制层(2、20)中的光传播方向即光轴垂直的剖面处的宽度是比脊下部(5)及脊上部(8)宽的宽度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101350500B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200810125560.4
申请日：2008-06-13
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/0425 , H01S2301/14
Abstract: 本发明提供一种能够防止在向封装件安装的前后各半导体激光器元件的偏振光旋转的半导体发光装置及其制造方法。在同一衬底(11)上形成多个半导体激光器元件(10a)、(10b)。此外，在多个半导体激光器元件(10a)、(10b)的主面形成Au镀层(16)。并且，使用涂敷在Au镀层(16)上的焊料，将多个半导体激光器元件(10a)、(10b)安装在封装件(22)上。将夹持各半导体激光器元件(10a)、(10b)的发光区域而对置的区域分别作为第一区域和第二区域。并且，在各半导体激光器元件(10a)、(10b)的第一区域和第二区域，使Au镀层(16)的厚度的平均值不一致。
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公开(公告)号：CN101447640A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810165771.0
申请日：2008-09-23
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , H01S5/02212 , H01S5/0224 , H01S5/02244 , H01S5/02272 , H01S5/02476 , H01S5/4087
Abstract: 本发明提供一种能够减小激光器的起偏振角的半导体发光装置及其制造方法。本发明的半导体发光装置是将半导体激光芯片(11)以结向下方式接合到AlN衬底(12)上，并将该AlN衬底(12)接合到Cu管座(13)(封装)上而形成的。将与半导体激光芯片(11)的激光照射方向垂直的方向作为AlN衬底(12)的宽度W的方向。对AlN衬底(12)厚度H和宽度W进行设定，使得半导体激光芯片(11)与AlN衬底(12)发生接合的面的中心部受到的等效应力与AlN衬底(12)的宽度W方向的应力相乘后所得的数值∑不会超过通过改变AlN衬底(12)的厚度H和宽度W所能得到的数值∑的最大值的70％。
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公开(公告)号：CN101350500A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200810125560.4
申请日：2008-06-13
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/0425 , H01S2301/14
Abstract: 本发明提供一种能够防止在向封装件安装的前后各半导体激光器元件的偏振光旋转的半导体发光装置及其制造方法。在同一衬底(11)上形成多个半导体激光器元件(10a)、(10b)。此外，在多个半导体激光器元件(10a)、(10b)的主面形成Au镀层(16)。并且，使用涂敷在Au镀层(16)上的焊料，将多个半导体激光器元件(10a)、(10b)安装在封装件(22)上。将夹持各半导体激光器元件(10a)、(10b)的发光区域而对置的区域分别作为第一区域和第二区域。并且，在各半导体激光器元件(10a)、(10b)的第一区域和第二区域，使Au镀层(16)的厚度的平均值不一致。
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公开(公告)号：CN100382399C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200510119477.2
申请日：2005-11-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/22
Abstract: 提供一种半导体激光器，射出水平方向的远场图样的强度中心不随光输出变化而变化且形状稳定的激光。设定沟部(15)的宽度，以便使脊(6)中央部的电场大小E1与沟部(15)端部的电场大小E2的比率E1/E2大于0.0001而小于0.01。在双沟道型脊形构造的半导体激光器中，沟部(15)的外侧存在等效折射率大于沟部(15)的等效折射率的层。因而，由于分布在从沟部(15)向外侧的光被半导体吸收，故可获得水平方向的远场图样的强度中心不随光输出的变化而变化且形状稳定的激光。
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