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公开(公告)号：CN102646582A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210041968.X
申请日：2012-02-15
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/28264 , H01L29/2003 , H01L29/42316 , H01L29/66446 , H01L29/7787
Abstract: 本发明的目的在于，提供能够相对于绝缘膜的开口中心无偏差地形成场电极构造的半导体装置的制造方法。本申请的发明的半导体装置的制造方法的特征在于，具备：在半导体层的表面形成绝缘膜的工序；在该绝缘膜的表面形成具有开口的抗蚀剂的工序；使与该抗蚀剂进行交联反应的图案收缩剂附着在该抗蚀剂、在该抗蚀剂的内周形成硬化层的工序；以该抗蚀剂及该硬化层作为掩模蚀刻该绝缘膜的工序；除去该硬化层的工序；在该半导体层、该绝缘膜以及该抗蚀剂的表面形成金属层的工序；以及通过剥离法除去该抗蚀剂及该抗蚀剂的表面的该金属层的工序。
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公开(公告)号：CN114930658B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202080092759.0
申请日：2020-01-22
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 尾上和之
IPC: H01S5/227
Abstract: 本公开所涉及的半导体装置具备：主部，其具有半导体基板、设置在半导体基板之上且作为n型和p型中的一方的第1型的第1包覆层、设置在第1包覆层之上的活性层、设置在活性层之上且作为n型和p型中的另一方的第2型的第2包覆层，并形成有平坦部和包括活性层的台面部；和第1埋入层，其为第2型且覆盖平坦部的上表面和台面部的侧面，第1埋入层在平坦部的上表面中的在距台面部与平坦部的边界为台面部的高度以内的区域设置的部分的上表面具有突起部。
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公开(公告)号：CN111937259A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201880091918.8
申请日：2018-04-02
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体光元件具有第一包层、第二包层、光限制层(2、20)，该第二包层具有形成为脊形状的脊部(20)，该光限制层(2、20)位于第一包层和第二包层之间，对光进行传播，脊部(20)从接近光限制层(2、20)的一侧起依次具有脊下部(5)、脊中间部(6)、脊上部(8)，脊中间部(6)的与光限制层(2、20)中的光传播方向即光轴垂直的剖面处的宽度是比脊下部(5)及脊上部(8)宽的宽度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111937259B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN201880091918.8
申请日：2018-04-02
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体光元件具有第一包层、第二包层、光限制层(2、20)，该第二包层具有形成为脊形状的脊部(20)，该光限制层(2、20)位于第一包层和第二包层之间，对光进行传播，脊部(20)从接近光限制层(2、20)的一侧起依次具有脊下部(5)、脊中间部(6)、脊上部(8)，脊中间部(6)的与光限制层(2、20)中的光传播方向即光轴垂直的剖面处的宽度是比脊下部(5)及脊上部(8)宽的宽度。
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公开(公告)号：CN102646582B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201210041968.X
申请日：2012-02-15
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/28264 , H01L29/2003 , H01L29/42316 , H01L29/66446 , H01L29/7787
Abstract: 本发明的目的在于，提供能够相对于绝缘膜的开口中心无偏差地形成场电极构造的半导体装置的制造方法。本申请的发明的半导体装置的制造方法的特征在于，具备：在半导体层的表面形成绝缘膜的工序；在该绝缘膜的表面形成具有开口的抗蚀剂的工序；使与该抗蚀剂进行交联反应的图案收缩剂附着在该抗蚀剂、在该抗蚀剂的内周形成硬化层的工序；以该抗蚀剂及该硬化层作为掩模蚀刻该绝缘膜的工序；除去该硬化层的工序；在该半导体层、该绝缘膜以及该抗蚀剂的表面形成金属层的工序；以及通过剥离法除去该抗蚀剂及该抗蚀剂的表面的该金属层的工序。
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公开(公告)号：CN118891795A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202280093564.7
申请日：2022-03-30
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本公开所涉及的半导体器件(100)具备：半导体基板(20)；半导体层(21、22、23、24、25、27)，形成在该半导体基板(20)之上；识别图案区域(15、16)，设置在该半导体基板(20)之上的预先设定的部位；以及针状构造物(40)或者该针状构造物(40)被由SiO2构成的绝缘膜(31)覆盖而成的穹顶状构造物(41)，在该识别图案区域(15、16)的区域内形成在随机的位置。
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公开(公告)号：CN116897481A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202180094851.5
申请日：2021-03-05
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/227
Abstract: 本发明的光半导体装置具备：第1导电型的半导体基板(1)，具有凸状部(1a)；第2导电型的中间层(2)，形成于所述半导体基板(1)的所述凸状部(1a)的两侧的部分上；条纹状的台面构造(6)，由以所述凸状部(1a)为中心层叠于包含所述凸状部(1a)的顶部的面上的第1导电型的第1包层(3)、活性层(4)以及第2导电型的第2包层(5)构成；埋入层(7)，形成于所述台面构造(6)的两侧，并阻止电流；以及第2导电型的接触层(8)，形成于所述台面构造(6)的表面以及所述埋入层(7)的表面。
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公开(公告)号：CN114930658A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202080092759.0
申请日：2020-01-22
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 尾上和之
IPC: H01S5/227
Abstract: 本公开所涉及的半导体装置具备：主部，其具有半导体基板、设置在半导体基板之上且作为n型和p型中的一方的第1型的第1包覆层、设置在第1包覆层之上的活性层、设置在活性层之上且作为n型和p型中的另一方的第2型的第2包覆层，并形成有平坦部和包括活性层的台面部；和第1埋入层，其为第2型且覆盖平坦部的上表面和台面部的侧面，第1埋入层在平坦部的上表面中的在距台面部与平坦部的边界为台面部的高度以内的区域设置的部分的上表面具有突起部。
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