公开(公告)号：CN117426031A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202180099132.2

申请日：2021-06-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 白泷穗高 ,  丹羽显嗣

IPC: H01S5/02255

Abstract: 在半导体激光装置(100、101、102)中，具备：基板(51)；半导体激光元件(50)，载置在上述基板(51)上并集成在单一的芯片内；基板电极(54)及电极(52)，分别设置在上述半导体激光元件(50)的上述基板(51)侧和与上述基板(51)相反的一侧；反射镜(3、3a)，将入射的激光向相对于上述基板(51)垂直的方向反射；第二反射镜(2)，将入射的激光向相对于上述基板水平的方向反射；以及透镜(4)，使入射的激光聚集。

公开(公告)号：CN118891795A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202280093564.7

申请日：2022-03-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 白泷穗高 ,  尾上和之

IPC: H01S5/227 ,  G06V20/80 ,  G06T7/00 ,  H01L21/02 ,  H01L23/00

Abstract: 本公开所涉及的半导体器件(100)具备：半导体基板(20)；半导体层(21、22、23、24、25、27)，形成在该半导体基板(20)之上；识别图案区域(15、16)，设置在该半导体基板(20)之上的预先设定的部位；以及针状构造物(40)或者该针状构造物(40)被由SiO2构成的绝缘膜(31)覆盖而成的穹顶状构造物(41)，在该识别图案区域(15、16)的区域内形成在随机的位置。