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公开(公告)号：CN119404612A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202280097208.2
申请日：2022-06-22
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H10F30/225
Abstract: 本公开的半导体受光元件(100)具备：半导体基板(2)；增倍层(4)，形成在半导体基板(2)之上，由交替层叠多次由单原子层的N倍(1≦N≦20)的层厚构成的第一半导体层(4a)以及由单原子层的M倍(1≦M≦20)的层厚构成且带隙能量比第一半导体层(4a)小的第二半导体层(4b)而成的数字合金构造构成，并放大光载流子；光吸收层(6)，形成在增倍层(4)之上，吸收入射光而生成光载流子；以及电场缓和层(5)，形成在增倍层(4)与光吸收层(6)之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117426031A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202180099132.2
申请日：2021-06-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/02255
Abstract: 在半导体激光装置(100、101、102)中，具备：基板(51)；半导体激光元件(50)，载置在上述基板(51)上并集成在单一的芯片内；基板电极(54)及电极(52)，分别设置在上述半导体激光元件(50)的上述基板(51)侧和与上述基板(51)相反的一侧；反射镜(3、3a)，将入射的激光向相对于上述基板(51)垂直的方向反射；第二反射镜(2)，将入射的激光向相对于上述基板水平的方向反射；以及透镜(4)，使入射的激光聚集。
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公开(公告)号：CN119563393A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202280098040.7
申请日：2022-07-19
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H10F30/225
Abstract: 本公开的半导体受光元件(100)的特征在于，具备：半导体基板(1)；n型缓冲层(2)，形成在半导体基板(1)之上；倍增层(3)，形成在n型缓冲层(2)之上；p型电场缓和层(4)，形成在倍增层(3)之上；以及光吸收层(5)，形成在p型电场缓和层(4)之上，n型缓冲层(2)、倍增层(3)以及p型电场缓和层(4)中的任意1层、任意2层或者3层由数字合金构造构成。
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公开(公告)号：CN114365359B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN201980100307.X
申请日：2019-09-17
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体激光装置(100)在同一半导体基板(17)形成有激光部(20)、传播从激光部(20)射出的激光的波导(28)、和检测激光的光检测器(24)。光检测器(24)具备：p型接触层(35c)，其形成于波导(28)的与半导体基板(17)相反的一侧的上方且与阳极电极(96)连接；n型接触层(94)，其与阴极电极(95)连接；以及未掺杂层(93)，其形成于p型接触层(35c)与n型接触层(94)之间。光检测器(24)中的未掺杂层(93)以及n型接触层(94)具备：主受光部(91)，其在波导(28)的上方配置为包含波导(28)；以及放大部(92)，其与主受光部(91)连接且配置为不包含波导(28)。
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公开(公告)号：CN114365359A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201980100307.X
申请日：2019-09-17
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体激光装置(100)在同一半导体基板(17)形成有激光部(20)、传播从激光部(20)射出的激光的波导(28)、和检测激光的光检测器(24)。光检测器(24)具备：p型接触层(35c)，其形成于波导(28)的与半导体基板(17)相反的一侧的上方且与阳极电极(96)连接；n型接触层(94)，其与阴极电极(95)连接；以及未掺杂层(93)，其形成于p型接触层(35c)与n型接触层(94)之间。光检测器(24)中的未掺杂层(93)以及n型接触层(94)具备：主受光部(91)，其在波导(28)的上方配置为包含波导(28)；以及放大部(92)，其与主受光部(91)连接且配置为不包含波导(28)。
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