公开(公告)号：CN102969289B

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201210317464.6

申请日：2012-08-31

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 野上洋一 ,  小山英寿 ,  山本佳嗣

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/4855 ,  H01L23/481 ,  H01L23/482 ,  H01L23/4821 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 防止高频特性的恶化，提高耐湿性。在半导体衬底(1)的主表面上的元件区域内，设置有漏极电极(2)。一端和漏极电极连接的漏极布线(5)设置于主表面上。在主表面上的元件区域外，设置有和漏极布线分离的漏极电极垫(12)。Au镀层(9)设置于主表面上，在和主表面之间形成空隙(10)。空隙内包漏极布线的一端和漏极电极。已固化的聚酰亚胺膜(14)阻塞空隙的开口部(11)，覆盖漏极布线的另一端，而不覆盖漏极电极垫。在空隙的内表面设置有拒液膜(15)。经由在已固化的聚酰亚胺膜(14)设置的开口(16)，通过Au镀层(18)，漏极布线的另一端和漏极电极垫连接。漏极布线的另一端不从聚酰亚胺膜露出。

公开(公告)号：CN102969289A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201210317464.6

申请日：2012-08-31

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 野上洋一 ,  小山英寿 ,  山本佳嗣

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/4855 ,  H01L23/481 ,  H01L23/482 ,  H01L23/4821 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 防止高频特性的恶化，提高耐湿性。在半导体衬底（1）的主表面上的元件区域内，设置有漏极电极（2）。一端和漏极电极（2）连接的漏极布线（5）设置于主表面上。在主表面上的元件区域外，设置有和漏极布线（5）分离的漏极电极垫（12）。Au镀层（9）设置于主表面上，在和主表面之间形成空隙（10）。空隙（10）内包漏极布线（5）的一端和漏极电极（2）。已固化的聚酰亚胺膜（14）阻塞空隙（10）的开口部（11），覆盖漏极布线（5）的另一端，而不覆盖漏极电极垫（12）。在空隙（10）的内表面设置有拒液膜（15）。经由在已固化的聚酰亚胺膜（14）设置的开口（16），通过Au镀层（18），漏极布线（5）的另一端和漏极电极垫（12）连接。漏极布线（5）的另一端不从聚酰亚胺膜（14）露出。

公开(公告)号：CN102646582A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210041968.X

申请日：2012-02-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 仓桥健一郎 ,  小山英寿 ,  尾上和之

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28264 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66446 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明的目的在于，提供能够相对于绝缘膜的开口中心无偏差地形成场电极构造的半导体装置的制造方法。本申请的发明的半导体装置的制造方法的特征在于，具备：在半导体层的表面形成绝缘膜的工序；在该绝缘膜的表面形成具有开口的抗蚀剂的工序；使与该抗蚀剂进行交联反应的图案收缩剂附着在该抗蚀剂、在该抗蚀剂的内周形成硬化层的工序；以该抗蚀剂及该硬化层作为掩模蚀刻该绝缘膜的工序；除去该硬化层的工序；在该半导体层、该绝缘膜以及该抗蚀剂的表面形成金属层的工序；以及通过剥离法除去该抗蚀剂及该抗蚀剂的表面的该金属层的工序。

公开(公告)号：CN110612599A

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201780090559.X

申请日：2017-05-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小山英寿

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/02 ,  H01L21/66 ,  H01L29/41 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 在GaN类半导体层(3、4)之上形成源极电极(5)、漏极电极(6)、T型栅极电极(9)而形成晶体管。形成覆盖T型栅极电极(9)的绝缘膜(10、11)。对晶体管的特性进行评价。通过与评价结果对应地对绝缘膜(10、11)的膜种类、膜厚度或介电常数进行调整，从而使晶体管的特性接近作为目标的特性。

公开(公告)号：CN106531791A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201610827160.2

申请日：2016-09-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 冈崎拓行 ,  仓桥健一郎 ,  小山英寿 ,  北野俊明 ,  加茂宣卓

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L21/0495 ,  H01L21/28581 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/0891 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/452 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/78

Abstract: 得到一种能够提高耐湿性而不使绝缘膜变厚的半导体装置及其制造方法。氮化物半导体膜物半导体膜(4)上。由氮化硅构成的第1绝缘膜(11)形成于氮化物半导体膜(4)上，与栅极电极(6)的侧面的至少一部分接触，在第1绝缘膜(11)与氮化物半导体膜(4)之间形成界面。由原子层交替排列的氧化铝构成的第2绝缘膜(12)覆盖栅极电极(6)及第1绝缘膜(11)。(4)形成于衬底(1)上。栅极电极(6)形成于氮化

公开(公告)号：CN101281931B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200710193300.6

申请日：2007-12-03

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小山英寿 ,  加茂宣卓 ,  志贺俊彦

IPC: H01L29/812 ,  H01L29/47

CPC classification number: H01L29/475 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明的目的在于提供一种晶体管，具有将肖特基势垒高度或者理想系数值这样的特性保持为良好的值并且耐热性优良的电极。在AlGaN层(14)上层叠高氮化率的TaN层(22)，得到良好的特性的肖特基结。在TaN层(22)的周围设置绝缘膜(16)，在TaN层(22)的上层层叠耐热性优良的低氮化率TaN层(24)。由TaN层(24)和绝缘膜(16)覆盖TaN层(22)，保护TaN层(22)不暴露在大气中。

公开(公告)号：CN104465770A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410489794.2

申请日：2014-09-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 冈崎拓行 ,  加茂宣卓 ,  野上洋一 ,  小山英寿 ,  宫国晋一

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L23/3677 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明得到一种半导体装置以及其制造方法，该半导体装置容易降低电路部的导体损耗，提高高频特性和可靠性，堆积填充材料。在Si衬底1的第1主表面上形成有由AlxGa1-xN(0≤x≤1)构成的缓冲层(2)。在缓冲层(2)上形成有由AlyGa1-yN(0≤y≤1，x≠y)构成的外延结晶生长层(5)。在外延结晶生长层(5)中形成有晶体管(8)。在从Si衬底(1)的第2主表面到达缓冲层(2)的通孔(15)中填充有填充材料(16)。填充材料(16)由与缓冲层(2)相同的组成比x的AlxGa1-xN构成。

公开(公告)号：CN102646582B

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201210041968.X

申请日：2012-02-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 仓桥健一郎 ,  小山英寿 ,  尾上和之

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28264 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66446 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明的目的在于，提供能够相对于绝缘膜的开口中心无偏差地形成场电极构造的半导体装置的制造方法。本申请的发明的半导体装置的制造方法的特征在于，具备：在半导体层的表面形成绝缘膜的工序；在该绝缘膜的表面形成具有开口的抗蚀剂的工序；使与该抗蚀剂进行交联反应的图案收缩剂附着在该抗蚀剂、在该抗蚀剂的内周形成硬化层的工序；以该抗蚀剂及该硬化层作为掩模蚀刻该绝缘膜的工序；除去该硬化层的工序；在该半导体层、该绝缘膜以及该抗蚀剂的表面形成金属层的工序；以及通过剥离法除去该抗蚀剂及该抗蚀剂的表面的该金属层的工序。

公开(公告)号：CN101281931A

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200710193300.6

申请日：2007-12-03

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小山英寿 ,  加茂宣卓 ,  志贺俊彦

IPC: H01L29/812 ,  H01L29/47

CPC classification number: H01L29/475 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明的目的在于提供一种晶体管，具有将肖特基势垒高度或者理想系数值这样的特性保持为良好的值并且耐热性优良的电极。在AlGaN层(14)上层叠高氮化率的TaN层(22)，得到良好的特性的肖特基结。在TaN层(22)的周围设置绝缘膜(16)，在TaN层(22)的上层层叠耐热性优良的低氮化率TaN层(24)。由TaN层(24)和绝缘膜(16)覆盖TaN层(22)，保护TaN层(22)不暴露在大气中。

公开(公告)号：CN110612599B

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN201780090559.X

申请日：2017-05-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小山英寿

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/02 ,  H01L21/66 ,  H01L29/41 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 在GaN类半导体层(3、4)之上形成源极电极(5)、漏极电极(6)、T型栅极电极(9)而形成晶体管。形成覆盖T型栅极电极(9)的绝缘膜(10、11)。对晶体管的特性进行评价。通过与评价结果对应地对绝缘膜(10、11)的膜种类、膜厚度或介电常数进行调整，从而使晶体管的特性接近作为目标的特性。