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公开(公告)号：CN117043920A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202180096211.8
申请日：2021-04-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/338
Abstract: 本公开的半导体装置的制造方法包括：对形成于基板(1)之上的氮化物半导体层(2)中的要分别形成源极电极(8a)以及漏极电极(8b)的源极‑漏极电极形成区域(4)进行杂质的离子注入的工序；通过等离子体化学气相沉积法，而在氮化物半导体层(2)的表面，作为表面保护牺牲膜(7)，进行折射率为1.80以上且小于1.88并且膜厚为100nm以上且500nm以下的氮化硅膜的成膜的工序；以及对表面保护牺牲膜(7)成膜后的氮化物半导体层(2)进行热处理的工序。
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公开(公告)号：CN110809819B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201780092774.3
申请日：2017-07-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 冈崎拓行
IPC: H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 本申请说明书所公开的技术的目的在于提供与能够降低栅极漏电流而不使高频特性劣化的半导体装置相关的技术。本申请说明书所公开的技术涉及的半导体装置具有：氮化物半导体层(6)；第一绝缘膜(1)，其局部地形成于氮化物半导体层(6)的上表面；以及栅极电极(3)，其形成为下表面的至少一部分与未被第一绝缘膜(1)覆盖而露出的氮化物半导体层(6)的上表面接触，第一绝缘膜(1)形成为与栅极电极(3)的侧面接触，在第一绝缘膜(1)混入过渡金属。
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公开(公告)号：CN106558601B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201610847818.6
申请日：2016-09-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 得到一种能够再现性优异地抑制电流崩塌的半导体装置及其制造方法。在衬底(1)之上形成有氮化物半导体层(3、4)。在氮化物半导体层(3、4)之上形成有源极电极(5)、栅极电极(7)以及漏极电极(6)。SiN表面保护膜(8)覆盖氮化物半导体层(3、4)。SiN表面保护膜(8)的形成Si‑N键的Si与N的构成比Si/N为0.751～0.801。
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公开(公告)号：CN119384776A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202280097098.X
申请日：2022-06-22
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 冈崎拓行
Abstract: 本公开的半导体光集成元件具备：InxGa1－xAsyP1－y(0≤x≤1，0≤y≤1)层，形成于具有高台面脊结构的半导体层叠体的最表面；第一氮化膜，通过CVD法或者ALD法形成在InxGa1－xAsyP1－y(0≤x≤1，0≤y≤1)层之上；绝缘中间膜，在第一氮化膜之上由高分子化合物层或者通过CVD法形成的绝缘膜构成，具有#imgabs0#以上的膜厚；以及第二氮化膜，是在绝缘中间膜之上使用CVD法形成的膜厚为#imgabs1#以上的氮化膜或者使用ALD法形成的膜厚为#imgabs2#以上的氮化膜。由此，能够提供具备在具有覆盖性的同时抑制了剥离以及浮起的表面保护膜的具有高台面脊结构的半导体光集成元件。
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公开(公告)号：CN106531791A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610827160.2
申请日：2016-09-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/778 , H01L21/0495 , H01L21/28581 , H01L23/291 , H01L23/3171 , H01L29/0891 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/452 , H01L29/475 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/06 , H01L29/42364 , H01L29/78
Abstract: 得到一种能够提高耐湿性而不使绝缘膜变厚的半导体装置及其制造方法。氮化物半导体膜物半导体膜(4)上。由氮化硅构成的第1绝缘膜(11)形成于氮化物半导体膜(4)上，与栅极电极(6)的侧面的至少一部分接触，在第1绝缘膜(11)与氮化物半导体膜(4)之间形成界面。由原子层交替排列的氧化铝构成的第2绝缘膜(12)覆盖栅极电极(6)及第1绝缘膜(11)。(4)形成于衬底(1)上。栅极电极(6)形成于氮化
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116569313A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202080107905.2
申请日：2020-12-22
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 冈崎拓行
IPC: H01L21/3205
Abstract: 半导体基板(1)具有相互对置的表面以及背面、和从背面贯通至表面的贯通孔(9)。金属膜(10)以包围贯通孔(9)的方式呈环状地形成于表面。表面电极(6)具有覆盖贯通孔(9)以及金属膜(10)的布线电极(11、12)，且在金属膜(10)的外侧与表面接合。背面电极(15)形成于背面以及贯通孔(9)，且与布线电极(11、12)连接。金属膜(10)的离子化倾向比布线电极(11、12)低且功函数比布线电极(11、12)高。
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公开(公告)号：CN104465770A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410489794.2
申请日：2014-09-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78 , H01L23/3677 , H01L29/0657 , H01L29/2003 , H01L29/4175 , H01L29/41758 , H01L29/42316 , H01L29/66522 , H01L29/7786 , H01L29/7787 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明得到一种半导体装置以及其制造方法，该半导体装置容易降低电路部的导体损耗，提高高频特性和可靠性，堆积填充材料。在Si衬底1的第1主表面上形成有由AlxGa1-xN(0≤x≤1)构成的缓冲层(2)。在缓冲层(2)上形成有由AlyGa1-yN(0≤y≤1，x≠y)构成的外延结晶生长层(5)。在外延结晶生长层(5)中形成有晶体管(8)。在从Si衬底(1)的第2主表面到达缓冲层(2)的通孔(15)中填充有填充材料(16)。填充材料(16)由与缓冲层(2)相同的组成比x的AlxGa1-xN构成。
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公开(公告)号：CN116569313B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202080107905.2
申请日：2020-12-22
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 冈崎拓行
IPC: H01L23/522 , H10D30/87 , H10D64/23 , H01L21/768 , H10D30/01 , H01L21/3205
Abstract: 半导体基板(1)具有相互对置的表面以及背面、和从背面贯通至表面的贯通孔(9)。金属膜(10)以包围贯通孔(9)的方式呈环状地形成于表面。表面电极(6)具有覆盖贯通孔(9)以及金属膜(10)的布线电极(11、12)，且在金属膜(10)的外侧与表面接合。背面电极(15)形成于背面以及贯通孔(9)，且与布线电极(11、12)连接。金属膜(10)的离子化倾向比布线电极(11、12)低且功函数比布线电极(11、12)高。
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公开(公告)号：CN110809819A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201780092774.3
申请日：2017-07-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 冈崎拓行
IPC: H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 本申请说明书所公开的技术的目的在于提供与能够降低栅极漏电流而不使高频特性劣化的半导体装置相关的技术。本申请说明书所公开的技术涉及的半导体装置具有：氮化物半导体层(6)；第一绝缘膜(1)，其局部地形成于氮化物半导体层(6)的上表面；以及栅极电极(3)，其形成为下表面的至少一部分与未被第一绝缘膜(1)覆盖而露出的氮化物半导体层(6)的上表面接触，第一绝缘膜(1)形成为与栅极电极(3)的侧面接触，在第一绝缘膜(1)混入过渡金属。
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