公开(公告)号：CN106558601B

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201610847818.6

申请日：2016-09-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 仓桥健一郎 ,  南条拓真 ,  吹田宗义 ,  今井章文 ,  柳生荣治 ,  冈崎拓行

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 得到一种能够再现性优异地抑制电流崩塌的半导体装置及其制造方法。在衬底(1)之上形成有氮化物半导体层(3、4)。在氮化物半导体层(3、4)之上形成有源极电极(5)、栅极电极(7)以及漏极电极(6)。SiN表面保护膜(8)覆盖氮化物半导体层(3、4)。SiN表面保护膜(8)的形成Si‑N键的Si与N的构成比Si/N为0.751～0.801。

公开(公告)号：CN114175219A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN201980098913.2

申请日：2019-11-11

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 南条拓真 ,  今井章文 ,  绵引达郎

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明涉及异质结场效应型晶体管，在第一氮化物半导体的沟道层的上层部具备：与第一氮化物半导体异质接合的第二氮化物半导体的阻挡层；中间夹持阻挡层而相互留有间隔地设置的n型的第一杂质区域和n型的第二杂质区域；在第一杂质区域和所述第二杂质区域上设置的源电极及漏电极；与至少阻挡层的除源电极侧的边缘部以外的区域接触的方式设置的绝缘膜；至少将与阻挡层的边缘部接触、且与阻挡层的除边缘部以外的区域接触而设置的绝缘膜覆盖的栅极绝缘膜；和以将缘膜上的一部分区域上和阻挡层的边缘部的区域上覆盖的方式在栅极绝缘膜上设置的栅电极，在阻挡层中的边缘部的沟道层与阻挡层的界面产生的2DEG引起的薄层电阻成为10kΩ/sq以上。

公开(公告)号：CN106558601A

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201610847818.6

申请日：2016-09-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 仓桥健一郎 ,  南条拓真 ,  吹田宗义 ,  今井章文 ,  柳生荣治 ,  冈崎拓行

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 得到一种能够再现性优异地抑制电流崩塌的半导体装置及其制造方法。在衬底(1)之上形成有氮化物半导体层(3、4)。在氮化物半导体层(3、4)之上形成有源极电极(5)、栅极电极(7)以及漏极电极(6)。SiN表面保护膜(8)覆盖氮化物半导体层(3、4)。SiN表面保护膜(8)的形成Si‑N键的Si与N的构成比Si/N为0.751～0.801。