公开(公告)号：CN106558601A

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201610847818.6

申请日：2016-09-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 仓桥健一郎 ,  南条拓真 ,  吹田宗义 ,  今井章文 ,  柳生荣治 ,  冈崎拓行

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 得到一种能够再现性优异地抑制电流崩塌的半导体装置及其制造方法。在衬底(1)之上形成有氮化物半导体层(3、4)。在氮化物半导体层(3、4)之上形成有源极电极(5)、栅极电极(7)以及漏极电极(6)。SiN表面保护膜(8)覆盖氮化物半导体层(3、4)。SiN表面保护膜(8)的形成Si‑N键的Si与N的构成比Si/N为0.751～0.801。

公开(公告)号：CN119404609A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202280097195.9

申请日：2022-06-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 泷口雄贵 ,  西村邦彦 ,  吹田宗义 ,  山田高宽

IPC: H10D30/47 ,  H10D30/87 ,  H10D30/01

Abstract: 抑制埋入栅极电极所引起的装置的特性偏差。氮化物半导体装置具备基板、第1氮化物半导体层、第2氮化物半导体层、源极电极、漏极电极、从第2氮化物半导体层的上表面到达至第1氮化物半导体层的内部的至少1个盲孔、设置于盲孔内的埋入栅极电极以及跨越埋入栅极电极的上表面以及第2氮化物半导体层的上表面地设置的栅指电极，盲孔的侧面沿着第1氮化物半导体层的{1‑100}面。

公开(公告)号：CN106558601B

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201610847818.6

申请日：2016-09-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 仓桥健一郎 ,  南条拓真 ,  吹田宗义 ,  今井章文 ,  柳生荣治 ,  冈崎拓行

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 得到一种能够再现性优异地抑制电流崩塌的半导体装置及其制造方法。在衬底(1)之上形成有氮化物半导体层(3、4)。在氮化物半导体层(3、4)之上形成有源极电极(5)、栅极电极(7)以及漏极电极(6)。SiN表面保护膜(8)覆盖氮化物半导体层(3、4)。SiN表面保护膜(8)的形成Si‑N键的Si与N的构成比Si/N为0.751～0.801。